等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法。为了高精度地检测对样品台或者其内部的电极供给的高频电力的波形并使成品率和工作的效率提高，等离子体处理装置使用在配置于真空容器内部的处理室内形成的等离子体对配置于该处理室内的样品台的上表面载置的处理对象的晶圆进行处理，该等离子体处理装置具备：高频电源，在所述晶圆的处理中形成对所述等离子体或者晶圆以规定的周期脉冲状地供给的高频电力；判断器，根据以比所述周期长的间隔检测到的所述高频电力的电压或者电流的值来计算该电压或者电流的波形，判断该波形是否处于预先规定的允许范围内；和通知器，对使用者通知该判断器的判断结果以及该波形的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法
本专利技术与使用在真空容器内部的处理室内形成的等离子体来对在该处理室内配置的晶圆进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法有关，涉及以规定时间的间隔对大小的振幅进行反复来对载有晶圆的样品台内部的电极供给高频电力，同时对晶圆进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
技术介绍
在将半导体晶圆设为对象的等离子体处理装置中，经由上述处理室内的样品台或者其内部的电极来检测高频电力的值，判断使用了处理室内的等离子体的处理的状态有无异常，作为这样的技术的例子，已知有日本特开2017-162713号公报(专利文献1)中记载的内容。在该专利文献1中，具备：高频电源，在每个规定的期间与构成样品台的电极连接；放电传感器，经由样品台或者其内部的电极，将通过从高频电源供给的高频电力而形成于处理室内的等离子体的放电的状态作为电位来检测；和信号解析部，对来自放电传感器的信号进行解析来检测异常。特别是，在本专利文献1中公开了以下内容：信号解析部对作为处理中的采样期间当中的第N期间内来自经由电极检测到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，使用在配置于真空容器内部的处理室内形成的等离子体对配置于该处理室内的样品台的上表面载置的处理对象的晶圆进行处理，该等离子体处理装置具备：/n高频电源，在所述晶圆的处理中形成对所述等离子体或者晶圆以规定的周期脉冲状地供给的高频电力；/n判断器，根据以比所述周期长的间隔检测到的所述高频电力的电压或者电流的值来计算该电压或者电流的波形，并判断该波形是否处于预先规定的允许范围内；和/n通知器，对使用者通知该判断器的判断结果以及该波形的形状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，使用在配置于真空容器内部的处理室内形成的等离子体对配置于该处理室内的样品台的上表面载置的处理对象的晶圆进行处理，该等离子体处理装置具备：
高频电源，在所述晶圆的处理中形成对所述等离子体或者晶圆以规定的周期脉冲状地供给的高频电力；
判断器，根据以比所述周期长的间隔检测到的所述高频电力的电压或者电流的值来计算该电压或者电流的波形，并判断该波形是否处于预先规定的允许范围内；和
通知器，对使用者通知该判断器的判断结果以及该波形的形状。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
输出用于在所述晶圆上形成偏置电位的所述高频电力的所述高频电源与配置于所述样品台内部的电极电连接。


3.根据权利要求1或者2所述的等离子体处理装置，其中，
所述判断器判断计算出的所述波形的振幅的大小以及计算出的该波形与成为基准的波形之间的比较的结果是否处于所述预先规定的允许范围。


4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
所述判断器对计算出的所述波形和成为所述基准的波形进行比较，针对计算出的所述波形与成为所述基准的波形的值之差以及计算出的所述波形与该成为基准的波形之间的相关性中的至少任一个来判断是否处于所述允许范围内。


5.根据权利要求3或者4所述的等离子体处理装置，其中，
所述判断器具备存储装置，该存储装置在所述晶圆的处理开始前预先存储表示成为所述基准的波形的信息，对根据存储的所述信息计算出的成为所述基准的波形和计算出的所述波形进行比较。


6.一种等离子体处理装置的工作方法，使用在配置于真空容器内部的处理室内形成的等离子体对配置于该处理室内的样品台的上表面载置的处理对象的晶圆进行处理，该等离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：安永拓哉，佐佐木宽，长谷征洋，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP