【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在带电粒子装置中进行光学测量的装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月31日提交的美国申请62/786,905的优先权,并且该申请通过引用以其整体并入本文。
本文提供的实施例涉及利用一个或多个带电粒子束的带电粒子装置,诸如利用一个或多个电子束的电子显微镜装置。
技术介绍
通过在晶片(也被称为衬底)上创建图案来制造集成电路。晶片被支撑在设备中的晶片台上以用于创建图案。制造集成电路的过程的一个部分涉及查看或“检查”晶片和/或晶片台的部分。这可以利用扫描电子显微镜来完成。即使利用扫描电子显微镜,在某些情况下也期望能够例如利用光学显微镜,来光学地(即基于光)检查晶片和/或晶片台的部分。然而,扫描电子显微镜可以具有稍微在晶片台上方的金属板,以与安装在晶片台上的围绕和/或覆盖下面的晶片的导电板或表面相结合,来平滑被检查区域周围的电场。该屏蔽件在防止由于晶片台上的上述导电区域边缘周围的高电场引起的放电方面也有用。为了利用光学显微镜对晶片和平台进行视觉检查和对齐,光学显微镜被定位在大金属平板上方,并且通 ...
【技术保护点】
1.一种制品,包括:/n基本平坦的板,包括导电材料和限定贯通孔径的结构;以及/n场成形元件,被定位在所述贯通孔径处,所述场成形元件被配置为:抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响,所述场成形元件导电并且透光。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181231 US 62/786,9051.一种制品,包括:
基本平坦的板,包括导电材料和限定贯通孔径的结构;以及
场成形元件,被定位在所述贯通孔径处,所述场成形元件被配置为:抵消所述贯通孔径对所述基本平坦的板附近的电场的影响,所述场成形元件导电并且透光。
2.根据权利要求1所述的制品,其中所述场成形元件包括被定位在所述贯通孔径处的窗口元件。
3.根据权利要求2所述的制品,其中所述窗口元件包括透射可见光的导电材料,所述可见光的波长在大约300nm至大约1100nm的范围内。
4.根据权利要求2所述的制品,其中所述窗口元件包括透明金属氧化物,并且其中透光的所述窗口元件包括光学透明的所述窗口元件。
5.根据权利要求2所述的制品,其中所述窗口元件包括氧化铟锡。
6.根据权利要求2所述的制品,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:JG·C·范德托恩,陈仲玮,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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