成膜装置及成膜装置的水分去除方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可在不会导致装置的复杂化的情况下促进腔室内的水分去除的成膜装置及成膜装置的水分去除方法。实施方式的成膜装置具有：能够使内部为真空的腔室、对腔室内进行排气的排气部、利用旋转台循环搬运工件的搬运部、以及对循环搬运后的工件进行等离子体处理的多个等离子体处理部，多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的工件进行成膜处理的成膜处理部，多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用排气部进行的排气及旋转台的旋转，产生等离子体，经由旋转台对腔室内进行加热，由此去除水分。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置及成膜装置的水分去除方法
本专利技术涉及一种成膜装置及成膜装置的水分去除方法。
技术介绍
在半导体装置、液晶显示器、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器、光盘等各种产品的制造工序中，例如有时在晶片或玻璃基板等工件上制成光学膜等薄膜。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜处理、或对形成的膜进行蚀刻、氧化或氮化等膜处理等来制成。成膜处理或膜处理可利用各种方法进行，作为其中之一，有在减压至规定的真空度的腔室中产生等离子体，使用所述等离子体进行处理的方法。在成膜处理中，向配置有包括成膜材料的靶材的腔室导入惰性气体，对靶材施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子与靶材碰撞，使自靶材中敲击出的成膜材料堆积在工件而进行成膜。此种成膜处理被称为溅镀。在膜处理中，向配置有电极的真空腔室导入工艺气体，对电极施加高频电压。通过使等离子体化的工艺气体的离子、自由基等活性种与工件上的膜碰撞，进行膜处理。为了连续进行此种成膜处理与膜处理，有在一腔室的内部安装作为旋转体的旋转台，在旋转台上方的周向上配置有多个成膜用单元与膜处理用单元的等离子体处理装置。成膜用单元与膜处理用单元分别具有划分出的处理室(成膜室、膜处理室)。各处理室的朝向旋转台的下方被开放，将工件保持在旋转台上并加以搬运，使其通过多个处理室的正下方，由此形成光学膜等薄膜。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2005-352018号公报[专利文献2]日本专利特开2010-225847号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]随着持续进行成膜处理，自成膜用单元飞散出的成膜材料堆积在所述般的成膜装置的腔室内的各种部位。若以所述方式堆积的成膜材料剥离，则作为成膜对象的工件会被污染。但是，在膜直接附着在腔室的内壁或旋转台的情况下，去除膜是非常困难的。因此，以覆盖腔室的内壁、旋转台的表面等的方式，能够装卸地设置有防附着板。防附着板通过附着成膜处理时飞散的成膜材料，防止成膜材料附着在腔室的内壁或旋转台的表面。此种防附着板在持续进行成膜处理后，为了防止附着的膜剥离而污染工件，需要拆卸进行清洗(进行维护)。例如将腔室向大气开放，自腔室拆卸防附着板后，通过喷砂去除堆积在表面的膜，进而利用纯水进行清洗。清洗后，使其干燥后，在真空包装的状态下搬运至成膜装置，开封后再次安装于成膜装置，进行成膜。此处，在通过溅镀进行成膜时，将成膜装置的腔室减压至高真空区域。由此，可减少腔室内存在的杂质，且减少气体分子，使得平均自由行程变大。结果，自靶材中敲击出的成膜材料到达工件，稳定地形成致密的膜质。但是，在刚更换防附着板后，使成膜装置运转并对腔室进行排气减压，腔室内的真空度也不会上升的状态会长期持续。这是因为：在安装清洗、干燥后的防附着板时，防附着板的内部残留有水分，随着腔室内进行减压，大量的水分自防附着板持续产生。进而，若维护等时将腔室内向大气开放，则大气中包含的水分会吸附在腔室内的壁和各种构件上。因此，不仅防附着板，暴露在大气中的腔室内的所有构件均需要去除水分。由于水分通过对腔室内进行减压而逐渐蒸发、排气，因此此种状态随着持续进行成膜而得到改善。但是，包括安装在腔室内的防附着板在内，包含水分的构件的数量和面积非常大，因此产生的水分量也变多。因此，难以在短时间内完全去除水分而获得处理所需的真空度。例如，至达到对于成膜而言优选的状态为止，会历时几天至几周。于是，将腔室内向大气开放而进行维护后，或更换防附着板后，无法成膜的期间将长期持续，从而导致生产性降低。另外，若以残留水分的状态进行成膜，则有可能会产生成膜后的膜表面的粗糙或缺陷等对成膜造成不良影响。为了应对所述情况，提出在腔室内设置红外线灯等加热装置的方法(专利文献1)，或导入加热后的气体对腔室内的构件进行加热，促进水分蒸发的方法(专利文献2)。然而，在一面旋转搬运工件一面遍及多个处理室进行处理的分批式成膜装置中，在每个处理室设置加热装置或导入加热后的惰性气体会导致装置结构的复杂化，耗费成本。关于防附着板，也考虑在安装于腔室内之前，放入加热炉中进行除湿(蒸发水分)，但防附着板各个均为大型，并且数量多，因此可收纳所有防附着板并一起除湿的加热炉并不现实。另外，即便预先除湿，在安装于腔室时也会与大气接触，因此会再次吸附水分。本专利技术是为了解决所述课题而提出，其目的在于提供一种可在不会导致装置的复杂化的情况下促进腔室内的水分去除的成膜装置及成膜装置的水分去除方法。[解决问题的技术手段]为了实现所述目的，本实施方式的成膜装置具有：腔室，能够使内部为真空；排气部，对所述腔室内进行排气；搬运部，利用设置在所述腔室内的旋转台循环搬运工件；以及多个等离子体处理部，设置在所述腔室内并对循环搬运后的所述工件进行等离子体处理，所述多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，所述多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的所述工件进行成膜处理的成膜处理部，所述多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用所述成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用所述排气部进行的排气及所述旋转台的旋转，产生等离子体，经由所述旋转台对所述腔室内进行加热，由此去除所述腔室内的水分。另外，本专利技术的成膜装置的水分去除方法包括：排气开始工序，排气部开始腔室的排气；旋转开始工序，旋转台开始旋转；工艺气体导入工序，工艺气体导入部向处理空间导入工艺气体；等离子体生成工序，等离子体发生器使所述处理空间的所述工艺气体等离子体化；工艺气体停止工序，所述工艺气体导入部停止所述工艺气体的导入；等离子体停止工序，所述等离子体发生器停止所述处理空间的所述工艺气体的等离子体化；以及旋转停止工序，所述旋转台停止旋转。[专利技术的效果]根据本专利技术，可提供可在不会导致装置的复杂化的情况下促进腔室内的水分去除的成膜装置及成膜装置的水分去除方法。附图说明图1是示意性地表示本实施方式的成膜装置的结构的透视平面图。图2是图1中的A-A剖面图，是自图1的实施方式的成膜装置的侧面观察的内部结构的详细图。图3是本实施方式的成膜装置的通过加热进行的水分去除处理的流程图。图4是示意性地表示本实施方式的成膜装置的一部分的结构的剖面图。图5是示意性地表示本实施方式的成膜装置的一部分的结构的剖面图。图6是表示本实施方式的成膜装置的维护至成膜处理的各要素的动作的时序图。[符号的说明]1：成膜装置10：腔室10a：天花板10b：内底面10c：内周面11：排气口12：划分部20：排气部30：搬运部31：旋转台32：马达33：保持部34：托盘40：等离子体处理部41、42：处理空间50：防附着板60：移送腔室62：装载锁定部70：冷却装置...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其特征在于，具有：/n腔室，能够使内部为真空；/n排气部，对所述腔室内进行排气；/n搬运部，利用设置在所述腔室内的旋转台循环搬运工件；以及/n多个等离子体处理部，设置在所述腔室内并对循环搬运后的所述工件进行等离子体处理，/n所述多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，/n所述多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的所述工件进行成膜处理的成膜处理部，/n所述多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用所述成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用所述排气部进行的排气及所述旋转台的旋转，产生等离子体，经由所述旋转台对所述腔室内进行加热，由此去除所述腔室内的水分。/n

【技术特征摘要】
20200214 JP 2020-023678;20210113 JP 2021-0037711.一种成膜装置，其特征在于，具有：
腔室，能够使内部为真空；
排气部，对所述腔室内进行排气；
搬运部，利用设置在所述腔室内的旋转台循环搬运工件；以及
多个等离子体处理部，设置在所述腔室内并对循环搬运后的所述工件进行等离子体处理，
所述多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，
所述多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的所述工件进行成膜处理的成膜处理部，
所述多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用所述成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用所述排气部进行的排气及所述旋转台的旋转，产生等离子体，经由所述旋转台对所述腔室内进行加热，由此去除所述腔室内的水分。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：具有防附着板，所述防附着板能够装卸地设置在所述腔室内，防止自所述成膜处理部飞散的成膜材料附着在所述腔室内。


3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：具有冷却装置，所述冷却装置通过冷却自所述腔室脱离的气体来去除脱离的气体中的水分。


4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：在所述腔室连接有用于经由闸阀在所述腔室中搬入及搬出所述工件的移送腔室，
在所述移送腔室设置有所述冷却装置。


5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边昌平，吉村浩司，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP