高频功率晶体管和高频功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种高频功率晶体管(1)，包括晶体管(2)、至少一个电容器(3)和至少部分地包围晶体管(2)和电容器(3)的壳体。将用于高频输入和栅极直流电压供给的第一端子(4)连接在晶体管(2)的栅极触点(5)上。本发明专利技术的目的是提供一种高频功率晶体管，该高频功率晶体管具有能够更好地限定的特性。根据本发明专利技术，通过将第二端子(6)连接在晶体管(2)的漏极触点(7)上以用于高频输出和漏极直流电压供给来实现该目的。在晶体管(2)的源极触点(8)上连接有第三端子(9)和第四端子(10)。第一端子、第二端子、第三端子和第四端子(4、6、9、10)全部被引出壳体。第三端子(9)通过电容器(3)连接至源极触点(8)，并且第四端子(10)通过至少一个电感元件(36、11)连接至源极触点(8)，使得第三端子(9)提供高频接地，并且第四端子(10)提供浮动的低频接地和源极直流电压供给。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频功率晶体管和高频功率放大器
本专利技术涉及一种高频功率晶体管，并且更具体地，本专利技术涉及功率晶体管壳体内的高频(Hochfrequenz)接地与直流接地或低频接地的隔离。通过将HF旁路电容器引入到晶体管壳体中来以浮动的接地实现高频(HF)功率晶体管的运行。通过电容器产生HF接地与DC(英语：directcurrent，德语：Gleichstrom)接地和低频(NF，Niederfrequenz)接地的隔离。通过将HF旁路电容器放置在壳体中并且尽可能靠近晶体管，可以降低晶体管的源极触点与系统接地之间的HF路径的电感。由此，效率、DC&NF隔离/HF隔离并且由此NF带宽以及稳定性都得到改善。壳体上的单独的DC&NF端子允许在大的NF带宽(英语：videobandwidth)上浮动运行，其中能够实现的带宽被从大约10MHz增加到几百MHz。
技术介绍
众所周知，高频(HF，Hochfrequenz)功率放大器在无线通信系统中是关键部件。高频功率放大器将HF信号放大到在一定距离上传输所需的功率水平。为了能够以较高的数据速率或较大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频功率晶体管(1)，包括：/n晶体管(2、18)，/n至少一个电容器(3、18)，/n壳体(12)，其至少部分地包围晶体管(2、18)和电容器(3、18)，/n其中，用于高频输入和栅极直流电压供给的第一端子(4)被连接在晶体管(2、18)的栅极触点(5)上，/n其特征在于，/n第二端子(6)被连接到晶体管(2、18)的漏极触点(7)上，以用于高频输出和漏极直流电压供给，并且/n其中，第三端子(9)和第四端子(10)被连接在晶体管(2、18)的源极触点(8)上，并且/n其中，所述第一端子、第二端子、第三端子和第四端子(4、6、9、10)全部被引出壳体(12)，并且/n其中，所述第三端子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181205 DE 102018131040.41.一种高频功率晶体管(1)，包括：
晶体管(2、18)，
至少一个电容器(3、18)，
壳体(12)，其至少部分地包围晶体管(2、18)和电容器(3、18)，
其中，用于高频输入和栅极直流电压供给的第一端子(4)被连接在晶体管(2、18)的栅极触点(5)上，
其特征在于，
第二端子(6)被连接到晶体管(2、18)的漏极触点(7)上，以用于高频输出和漏极直流电压供给，并且
其中，第三端子(9)和第四端子(10)被连接在晶体管(2、18)的源极触点(8)上，并且
其中，所述第一端子、第二端子、第三端子和第四端子(4、6、9、10)全部被引出壳体(12)，并且
其中，所述第三端子(9)通过所述电容器(3、18)连接到源极触点(8)上，并且第四端子(10)通过至少一个电感元件(36，11)连接到源极触点(8)上，从而所述第三端子(9)提供高频接地，并且所述第四端子(10)提供浮动的低频接地和源极直流电压供给。


2.根据权利要求1所述的高频功率晶体管(1)，其中，所述电感元件(36、11)包括一个接合线或多个并联的接合线。


3.根据前述权利要求中任一项所述的高频功率晶体管(1)，其中，所述电容器(3)是单层电容器。


4.根据前述权利要求中任一项所述的高频功率晶体管(1)，其中，高频功率晶体管(1)在第三端子(9)与源极触点(8)之间包括至少两个并联的电容器(3)。


5.根据前述权利要求中任一项所述的高频功率晶体管(1)，其中，所述晶体管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥洛夫·本特松，苏菲·保罗，托比亚斯·库雷米尔，
申请(专利权)人：费迪南德布劳恩研究所，莱布尼茨高频技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE