一种直热式阴极发射体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直热式阴极发射体，所述直热式阴极发射体包括单螺旋结构、发射体始端和发射体末端；所述单螺旋结构独立设置于空心阴极的空腔内；所述单螺旋结构连接在发射体始端和发射体末端之间；所述阴极发射体通过发射体始端和发射体末端对螺旋结构的空间位置进行固定。所述单螺旋结构的上端连接所述发射体始端，下端连接所述发射体末端；所述发射体始端包括一段自单螺旋结构的上端向下引出的结构段，所述结构段的延伸方向平行于单螺旋结构的轴线。本实用新型专利技术通过在发射体始端和发射体末端连接引出电极的方式，直接对发射体进行加热，代替现有技术中通过对热子加热来对发射体进行间接加热的方式，提高了空心阴极的加热效率。

【技术实现步骤摘要】
一种直热式阴极发射体
本技术涉及一种阴极发射体，具体涉及一种直热式阴极发射体的结构。
技术介绍
空心阴极广泛应用于等离子源、等离子焊接、等离子切割、等离子熔覆、等离子喷涂、等离子注入、等离子镀膜、等离子点火等领域中，是这些
不可缺少的核心器件。在军事上，阴极是各类真空微波电子器件、真空微光夜视器件、真空红外成像器件和真空紫外成像器件的心脏。同时，在工业和医疗等设备中，利用阴极作为发射源的X光管、像增强器、加速管和显示器起到了非常重要的作用。在科学研究中，各类分析仪器、电子束加工、电子束曝光、电子束蒸发等设备中，阴极也是不可或缺的关键部件。阴极工作时需要在高温下进行，所以在满足阴极工作条件的情况下，需要尽可能大幅度降低空心阴极加热功率，提高加热效率，减少热能损失，减少材料蒸发，提高空心阴极寿命。现有的空心阴极性能尚有继续提升的空间。
技术实现思路
本技术提供了一种直热式阴极发射体，通过直接对发射体进行加热，提高了空心阴极的加热效率。通过下述技术方案实现：一种直热式阴极发射体，所述直热式阴极发射体包括单螺旋结构、发射体始端和发射体末端；所述单螺旋结构独立设置于空心阴极的空腔内；所述单螺旋结构连接在发射体始端和发射体末端之间；所述阴极发射体通过发射体始端和发射体末端对螺旋结构的空间位置进行固定。取消在现有的空心阴极中常用的热子结构，通过在发射体始端和发射体末端连接引出电极的方式，直接对发射体进行加热，代替现有技术中通过对热子加热来对发射体进行间接加热的方式，提高了空心阴极的加热效率，通过将发射体设计为螺旋状结构，可以增加发射体在阴极空腔内的发射面积，进一步提高了阴极的电子发射能力。在上述方案的基础上，进一步地有：所述单螺旋结构的上端连接所述发射体始端，下端连接所述发射体末端；所述发射体始端包括一段自单螺旋结构的上端向下引出的结构段，所述结构段的延伸方向平行于单螺旋结构的轴线。在上述方案的基础上，进一步地有：所述发射体始端和发射体末端分别连接一根引出电极。在上述方案的基础上，进一步地有：所述两根引出电极穿过绝缘座并卡接在绝缘座上。在上述方案的基础上，进一步地有：所述两根引出电极卡接并钎焊在绝缘座上。在上述方案的基础上，进一步地有：所述螺旋结构的下方设置有热屏蔽板，所述发射体始端和发射体末端穿过热屏蔽板后分别连接一根引出电极。在上述方案的基础上，进一步地有：所述热屏蔽板和绝缘座为氧化铝材质。在上述方案的基础上，进一步地有：所述发射体始端和发射体末端分别嵌入式焊接一根引出电极。在上述方案的基础上，进一步地有：所述焊接方式为激光焊接。在上述方案的基础上，进一步地有：所述直热式阴极发射体为钡钨材质。本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：1.本技术中取消在现有空心阴极中常用的热子结构，通过在发射体始端和发射体末端连接引出电极的方式，直接对发射体进行加热，代替现有技术中通过对热子加热来对发射体进行间接加热的方式，提高了空心阴极的加热效率。2.本技术通过将发射体设计为单螺旋结构，可以增加发射体在阴极空腔内的发射面积，进一步提高了空心阴极的电子发射能力。3.由于阴极发射体自生产生热能，大大减少了阴极加热时间，提高了空心阴极的启动速度。附图说明结合附图，可以得到对本技术实施例的进一步理解，从本技术的权利要求和优选实施例的以下描述可以获得本技术的其它特征和优点。在不超出本技术的范围的情况下，在这种情况下可以按任何期望的方式将图中所示的不同实施例的单独特征加以组合。在附图中：图1为实施例1的结构示意图；图2为实施例2的结构示意图。附图标记说明：1-单螺旋结构，2-阴极顶，3-第一热屏蔽筒，4-第二热屏蔽筒，5-第三热屏蔽筒，6-固定环，7-热屏蔽板，8-过渡筒，9-第一热屏蔽罩，10-第二热屏蔽罩，11-支撑筒，12-绝缘座，13-引出电极，14-进气管，15-发射体始端，16-发射体末端。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。实施例1：如图1所示，在本实施例中，一种直热式阴极发射体，通过直接对发射体进行加热，提高了空心阴极的加热效率。通过下述技术方案实现：一种直热式阴极发射体，所述直热式阴极发射体包括单螺旋结构1、发射体始端15和发射体末端16；所述单螺旋结构1独立设置于空心阴极的空腔内；所述单螺旋结构1连接在发射体始端15和发射体末端16之间；所述阴极发射体通过发射体始端15和发射体末端16对螺旋结构的空间位置进行固定。优选的，为了增大发射体在空心阴极空腔内部的发热面积，所述单螺旋结构1的上端连接所述发射体始端15，下端连接所述发射体末端16；所述发射体始端15包括一段自单螺旋结构1的上端向下引出的结构段，所述结构段的延伸方向平行于单螺旋结构1的轴线。优选的，所述螺旋结构的下方设置有热屏蔽板7，所述热屏蔽板7为氧化铝材质，所述发射体始端15和发射体末端16穿过热屏蔽板7后分别连接一根引出电极13。优选的，所述发射体始端15和发射体末端16分别嵌入式焊接一根引出电极13；所述焊接方式为激光焊接。优选的，所述两根引出电极13穿过绝缘座12，卡接并钎焊在绝缘座12上，为阴极发射体提供支撑作用。优选的，所述热屏蔽板7和绝缘座12为氧化铝材质。优选的，所述直热式阴极发射体为钡钨材质或六硼化镧材质。为了进一步实现本技术的目的，本技术还提出了第二个实施例。实施例2：如图2所示，一种直热式空心阴极，包括实施例1中的直热式阴极发射体，为了降低侧面的热辐射和热传导的热能损失，所述螺旋状结构1外围设置有三热屏蔽筒，从内到外依次包括第一热屏蔽筒3、第二热屏蔽筒4、第三热屏蔽筒5，所述第一热屏蔽筒3的外径小于第二热屏蔽筒4的内径，第二热屏蔽筒4的外径小于第三热屏蔽筒5的内径；第一热屏蔽筒3和第二热屏蔽筒4为金属钼材质，第三热屏蔽筒5为氧化铝陶瓷材质。优选的，第二热屏蔽筒4对所述热屏蔽板7进行径向限位，第一热屏蔽筒3对所述热屏蔽板7进行轴向限位。优选的，所述热屏蔽板7的下方还依次设置有第一热屏蔽罩9和第二热屏蔽罩10，所述第一热屏蔽罩9和第二热屏蔽罩10为金属钽材质。优选的，阴极顶2设置于螺旋状结构1的上方，第三热屏蔽筒5对所述阴极顶2进行径向限位，第一热屏蔽筒3对所述阴极顶2进行轴向限位；所述阴极顶2为金属钨材质。优选的，所述直热式空心阴极包括进气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直热式阴极发射体，其特征在于，/n所述直热式阴极发射体包括单螺旋结构(1)、发射体始端(15)和发射体末端(16)；/n所述单螺旋结构(1)独立设置于空心阴极的空腔内；/n所述单螺旋结构(1)连接在发射体始端(15)和发射体末端(16)之间；/n所述阴极发射体通过发射体始端(15)和发射体末端(16)对螺旋结构(1)的空间位置进行固定。/n

【技术特征摘要】
1.一种直热式阴极发射体，其特征在于，
所述直热式阴极发射体包括单螺旋结构(1)、发射体始端(15)和发射体末端(16)；
所述单螺旋结构(1)独立设置于空心阴极的空腔内；
所述单螺旋结构(1)连接在发射体始端(15)和发射体末端(16)之间；
所述阴极发射体通过发射体始端(15)和发射体末端(16)对螺旋结构(1)的空间位置进行固定。


2.根据权利要求1所述的一种直热式阴极发射体，其特征在于，
所述单螺旋结构(1)的上端连接所述发射体始端(15)，下端连接所述发射体末端(16)；
所述发射体始端(15)包括一段自单螺旋结构(1)的上端向下引出的结构段，所述结构段的延伸方向平行于单螺旋结构(1)的轴线。


3.根据权利要求1所述的一种直热式阴极发射体，其特征在于，
所述发射体始端(15)和发射体末端(16)分别连接一根引出电极(13)。


4.根据权利要求3所述的一种直热式阴极发射体，其特征在于，
所述两根引出电极(13)穿过绝缘座(...

【专利技术属性】
技术研发人员：林祖伦，于海波，
申请(专利权)人：成都创元电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51