一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器制造技术

本实用新型专利技术提供一种低ESR双焊片MKPH‑S型IGBT电容器，包括外壳，所述外壳的内表面固定连接有接线端子，且外壳的底端端面固定连接有底垫，所述接线端子包括有长板，所述长板的右端端面固定连接有竖直板，所述竖直板的外表面固定连接有上焊片，且竖直板的外表面下方位置处固定连接有下焊片,本实用新型专利技术可使电容器喷金层与铜焊片的接触电阻降低一倍以上，从而达到降低电容器ESR提高IGBT吸收电容的吸收效果，进一步提高在电路中对IGBT管的保护效果，减少IGBT管应用中损坏，同时在使用时接线端子1具有良好的导电性可优秀的完成工作需求。

【技术实现步骤摘要】
一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器
本技术涉及电容器领域，尤其涉及一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器。
技术介绍
两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。电容器的电容量的基本单位是法拉。在电路图中通常用字母C表示电容元件。现有的焊接端子或铜线，焊接后与喷金层端面接触面积小，电容器喷金层与焊片接触损耗偏大。其IGBT吸收电容的吸收效果受到限制，对IGBT管的保护效果也受到限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，以解决上述技术问题。本技术为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，包括外壳，所述外壳的内表面固定连接有接线端子，且外壳的底端端面固定连接有底垫，所述接线端子包括有长板，所述长板的右端端面固定连接有竖直板，所述竖直板的外表面固定连接有上焊片，且竖直板的外表面下方位置处固定连接有下焊片。优选的，所述接线端子的顶端端面设置有圆孔，所述接线端子的外表面与外壳的内表面为贴合设置。优选的，所述接线端子具有导电性，所述外壳的顶端端面设置有凹槽。优选的，所述底垫的顶端端面直径与外壳的底端端面直径相等，所述底垫的两侧均经过钝化处理。优选的，所述长板与竖直板呈九十度，所述上焊片和下焊片的尺寸规格皆相等，所述上焊片和下焊片处于同一竖直平面内。本技术的有益效果是：本技术可使电容器喷金层与铜焊片的接触电阻降低一倍以上，从而达到降低电容器ESR提高IGBT吸收电容的吸收效果，进一步提高在电路中对IGBT管的保护效果，减少IGBT管应用中损坏，同时在使用时接线端子1具有良好的导电性可优秀的完成工作需求。附图说明图1为本技术一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器的内视结构示意图；图2为本技术接线端子的左视结构示意图；附图标记：1、接线端子；2、外壳；3、底垫；11、长板；12、竖直板；13、上焊片；14、下焊片。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本技术，但下述实施例仅仅为本技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本专利技术的保护范围。下面结合附图描述本技术的具体实施例。实施例如图1-2所示，一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，包括外壳2，外壳2的内表面固定连接有接线端子1，且外壳2的底端端面固定连接有底垫3，接线端子1包括有长板11，长板11的右端端面固定连接有竖直板12，竖直板12的外表面固定连接有上焊片13，且竖直板12的外表面下方位置处固定连接有下焊片14。现有的电容器将原来的单焊片分成两片让它分别焊接在电容器端面上，焊接后的镀锡铜焊片与芯子端面喷金层接触面积大一倍以上，其电容器喷金层与铜焊片的接触电阻降低一倍以上，从而达到降低电容器ESR提高IGBT吸收电容的吸收效果，进一步提高在电路中对IGBT管的保护效果，减少IGBT管应用中损坏，同时在使用时接线端子1具有良好的导电性可优秀的完成工作需求。本技术的工作原理及使用流程：本技术安装好过后，首先将电容器放置在需要使用的位置处，其后可通过外部固定结构对外壳2的外表面进行限位，随后将接线端子1与电线或外部卡槽固定连接，随后在接线端子1与外壳2的内侧电极电性连接进行电源输入，同时使用中上焊片13和下焊片14的双焊片可加强使用效果。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不用来限制本技术，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，包括外壳（2），其特征在于：所述外壳（2）的内表面固定连接有接线端子（1），且外壳（2）的底端端面固定连接有底垫（3），所述接线端子（1）包括有长板（11），所述长板（11）的右端端面固定连接有竖直板（12），所述竖直板（12）的外表面固定连接有上焊片（13），且竖直板（12）的外表面下方位置处固定连接有下焊片（14）。/n

【技术特征摘要】
1.一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，包括外壳（2），其特征在于：所述外壳（2）的内表面固定连接有接线端子（1），且外壳（2）的底端端面固定连接有底垫（3），所述接线端子（1）包括有长板（11），所述长板（11）的右端端面固定连接有竖直板（12），所述竖直板（12）的外表面固定连接有上焊片（13），且竖直板（12）的外表面下方位置处固定连接有下焊片（14）。


2.根据权利要求1所述的一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，其特征在于：所述接线端子（1）的顶端端面设置有圆孔，所述接线端子（1）的外表面与外壳（2）的内表面为贴合设置。


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【专利技术属性】
技术研发人员：谢志懋，邬文彬，
申请(专利权)人：佛山市欣源电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44