一种充电电路制造技术

本公开提供了一种充电电路。该充电电路包括驱动控制电路、功率因数校正电路、电平转换电路以及谐振开关电路；所述驱动控制电路分别与所述功率因数校正电路、所述电平转换电路、所述谐振开关电路连接；所述电平转换电路连接在所述功率因数校正电路和所述谐振开关电路之间，用于对所述功率因数校正电路的输出电压进行调整，将调整后的电压提供给所述谐振开关电路。

【技术实现步骤摘要】
一种充电电路
本公开涉及电子电路，更具体地，涉及一种充电电路。
技术介绍
目前常用的充电器电路拓扑参见图1所示，工频交流电经过整流电路整流后成为馒头波，经过有源PFC(PowerFactorCorrection，功率因数校正)电路输出高压直流，后级的谐振开关电路将高压直流降压后提供给负载应或电池充电。在这一过程中，有源PFC电路输出恒高压，通过后级的谐振开关电路进行稳压恒流。当充电器满载输出时，充电器能达到较为理想的充电效率。但是当充电器轻载输出时，充电器的充电效率会降低。因此有必要提供一种新的充电电路以提升充电效率。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供一种新的充电电路以提升充电效率。根据本公开的第一方面，提供了一种充电电路。该充电电路包括驱动控制电路、功率因数校正电路、电平转换电路以及谐振开关电路；所述驱动控制电路分别与所述功率因数校正电路、所述电平转换电路、所述谐振开关电路连接；所述电平转换电路连接在所述功率因数校正电路和所述谐振开关电路之间，用于对所述功率因数校正电路的输出电压进行调整，将调整后的电压提供给所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电电路，其特征在于，包括驱动控制电路、功率因数校正电路、电平转换电路以及谐振开关电路；/n所述驱动控制电路分别与所述功率因数校正电路、所述电平转换电路、所述谐振开关电路连接；/n所述电平转换电路连接在所述功率因数校正电路和所述谐振开关电路之间，用于对所述功率因数校正电路的输出电压进行调整，将调整后的电压提供给所述谐振开关电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，包括驱动控制电路、功率因数校正电路、电平转换电路以及谐振开关电路；
所述驱动控制电路分别与所述功率因数校正电路、所述电平转换电路、所述谐振开关电路连接；
所述电平转换电路连接在所述功率因数校正电路和所述谐振开关电路之间，用于对所述功率因数校正电路的输出电压进行调整，将调整后的电压提供给所述谐振开关电路。


2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述功率因数校正电路包括Boost升压电路，所述Boost升压电路包括第一电感(Lbst)、第一MOS管(Qbst)以及二极管(Dbst)；
所述第一电感(Lbst)的第一端与前级电源(Vin)的正极连接；
所述第一MOS管(Qbst)的漏极与所述第一电感(Lbst)的第二端连接，源极与所述前级电源(Vin)的负极连接；
所述二极管(Dbst)的正极与所述第一电感(Lbst)的第二端连接；
所述电平转换电路连接在所述二极管(Dbst)的负极和所述前级电源(Vin)的负极之间。


3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述电平转换电路包括第一电容(Cbst1)、第二电容(Cbst2)、第二MOS管(Qbal1)、第三MOS管(Qbal2)、第四MOS管(Qbal3)、第五MOS管(Qbal4)；所述电平转换电路还包括第一元件，所述第一元件为电感或电容；
所述第二MOS管(Qbal1)和所述第三MOS管(Qbal2)串联在第一连接点和第二连接点之间；
所述第四MOS管(Qbal3)和所述第五MOS管(Qbal4)串联在第二连接点和所述前级电源(Vin)的负极之间；
所述第一电容(Cbst1)的第一端与第一连接点连接，第二端与第二连接点连接；
所述第二电容(Cbst2)的第一端与第二连接点连接，第二端与所述前级电源(Vin)的负极连接；
所述第一元件的第一端与第二MOS管(Qbal1)和第三MOS管(Qbal2)的连接点(P3)连接，第二端与第四MOS管(Qbal3)和第五MOS管(Qbal4)的连接点(P4)连接。


4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述电平转换电路连接在所述二极管(Dbst)的负极和所述前级电源(Vin)的负极之间，包括：所述二极管(Dbst)的负极和第二连接点连接；
所述谐振开关电路连接在第一连接点和所述前级电源(Vin)的负极之间。


5.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述电平转换电路连接在所述二极管(Dbst)的负极和所述前级电源(Vin)的负极之间，包括：所述二极管(Dbst)的负极和第一连接点连接；
所述谐振开关电路连接在第二连接点和所述前级电源(Vin)的负极之间。


6.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述功率因数校正电路包括Boost升压电路，所述Boost升压电路包括第一电感(Lbst)、第一MOS管(Qbst)以及二极管(Dbst)；
所述第一电感(Lbst)的第一端与前级电源(Vin)的正极连接；
所述二极管(Dbst)的正极与所述第一电感(Lbst)的第二端连接，负极和第一连接点连接；
所述第一MOS管(Qbst)的漏极与所述第一电感(Lbst)的第二端连接，源极与第二连接点连...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪良，
申请(专利权)人：摩拜北京信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11