复合材料及其制备方法、量子点发光二极管技术

本发明专利技术涉及一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。复合材料包括半导体材料和掺杂于半导体材料中的p型掺杂剂，p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。上述复合材料中，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。此外，本发明专利技术还涉及一种复合材料的制备方法以及包括上述复合材料的量子点发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法、量子点发光二极管
本专利技术涉及量子点发光二极管
，特别是涉及一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。
技术介绍
量子点(quantumdot)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高和稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。经过二十多年的发展，QLED的性能得到了很大的提高，但同时也面临着巨大的挑战。其中，由于量子点自身较大的价带顶能级(一般为6eV～7eV)，使得能级与量子点匹配的复合材料较为匮乏，制约着QLED的发展。以MoS2、WS2、MoSe2和WSe2为代表的过渡金属硫化物/硒化物是一类特别的二维层状半导体材料，它们具有优异的导电能力、稳定性，而且其能级会随厚度、尺寸而变化，例如，当前厚度为单层时，或者尺寸很小时(量子点)，其价带顶能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的p型掺杂剂，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的p型掺杂剂，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。


2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料的平均粒径范围为1nm～100nm。


3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料选自过渡金属硫化物与过渡金属硒化物中的至少一种。


4.根据权利要求1～3任一项所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2与WSe2中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述全氟烷基硅烷中的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基与癸基中的至少一种；所述全氟烷基硅烷中的硅烷选自三氯硅烷、三甲氧基硅烷与三乙氧基硅烷中的至少一种。


6.根据权利要求1或5所述的复合材料，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44