发光二极管芯片封装结构及其制作方法技术

技术编号:29681105 阅读:33 留言:0更新日期:2021-08-13 22:04
本发明专利技术公开一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:提供光波长转换薄膜,其包括暂时性基层以及形成在暂时性基层上的光波长转换层;移除暂时性基层;让光波长转换层覆盖于多个发光二极管芯片上。发光二极管芯片封装结构包括多个发光二极管芯片以及一光波长转换层。光波长转换层覆盖于多个发光二极管芯片上。光波长转换层包括多个红色部分、多个绿色部分、多个透明部分以及围绕每一红色部分、每一绿色部分与每一透明部分的一黑色部分。每一红色部分由多个红色颗粒组成。每一绿色部分由多个绿色颗粒组成。借此,红色颗粒能直接接触相对应的发光二极管芯片,且绿色颗粒能直接接触相对应的发光二极管芯片。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及一种芯片封装结构及其制作方法,特别是涉及一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
现有技术的多个荧光粉颗粒会先混在一封装材料内而形成一具有多个荧光粉颗粒的荧光胶体,然后具有多个荧光粉颗粒与封装材料的荧光胶体会被涂布在发光二极管芯片上。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的其中一技术方案是,提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其包括:首先,提供一光波长转换薄膜,其包括一暂时性基层以及形成在所述暂时性基层上的一光波长转换层,所述光波长转换层包括交错设置的多个红色部分、交错设置的多个绿色部分、交错设置的多个透明部分以及围绕每一所述红色部分、每一所述绿色部分与每一所述透明部分的一黑色部分;接着,将所述光波长转换薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上;然后,使用一溶剂以溶解所述暂时性基层,以使得所述暂时性基层完全脱离所述光波长转换层;接下来,执行步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:/n提供一光波长转换薄膜,其包括一暂时性基层以及形成在所述暂时性基层上的一光波长转换层,所述光波长转换层包括交错设置的多个红色部分、交错设置的多个绿色部分、交错设置的多个透明部分以及围绕每一所述红色部分、每一所述绿色部分与每一所述透明部分的一黑色部分;/n将所述光波长转换薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上;/n使用一溶剂以溶解所述暂时性基层,以使得所述暂时性基层完全脱离所述光波长转换层;以及/n执行步骤(A)或者步骤(B);/n其中,所述步骤(A)为:将所述液体渐渐从所述液体槽内泄除,而使得所述光...

【技术特征摘要】
20200210 TW 1091039951.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:
提供一光波长转换薄膜,其包括一暂时性基层以及形成在所述暂时性基层上的一光波长转换层,所述光波长转换层包括交错设置的多个红色部分、交错设置的多个绿色部分、交错设置的多个透明部分以及围绕每一所述红色部分、每一所述绿色部分与每一所述透明部分的一黑色部分;
将所述光波长转换薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上;
使用一溶剂以溶解所述暂时性基层,以使得所述暂时性基层完全脱离所述光波长转换层;以及
执行步骤(A)或者步骤(B);
其中,所述步骤(A)为:将所述液体渐渐从所述液体槽内泄除,而使得所述光波长转换层渐渐接近预先放置在所述液体槽内的底面上的多个发光二极管芯片,直到所述光波长转换层覆盖多个所述发光二极管芯片的顶面;
其中,所述步骤(B)为:预先放置在所述液体槽内的多个发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述光波长转换层,直到所述光波长转换层覆盖多个所述发光二极管芯片的顶面。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述光波长转换层覆盖多个所述发光二极管芯片的步骤后,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:形成一保护层于所述光波长转换层上;其中,当所述光波长转换层覆盖多个所述发光二极管芯片的顶面时,每一所述发光二极管芯片的顶面被所述红色部分、所述绿色部分与所述透明部分三者其中之一所覆盖,而不会被所述黑色部分所覆盖;其中,每一所述红色部分由彼此相互紧密连接的多个红色颗粒所组成,且每一所述绿色部分由彼此相互紧密连接的多个绿色颗粒所组成。


3.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:
提供一光波长转换薄膜,其包括一暂时性基层以及形成在所述暂时性基层上的一光波长转换层;
移除所述暂时性基层;以及
让所述光波长转换层覆盖于多个发光二极管芯片上。


4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在移除所述暂时性基层的步骤中,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
将所述光波长转换薄膜放置在一第一位置上,所述第一位置为位于一第一液体槽内的一第一种液体的液面上;以及
使用一溶剂以溶解所述暂时性基层,以使得所述暂时性基层完全脱离所述光波长转换层。


5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在让所述光波长转换层覆盖于多个所述发光二极管芯片上的步骤中,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
将...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖建硕
申请(专利权)人:台湾爱司帝科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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