陶瓷电子组件及制造陶瓷电子组件的方法技术

本公开提供一种陶瓷电子组件和制造陶瓷电子组件的方法，所述陶瓷电子组件包括主体，所述主体包括介电层和内电极。所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑双壳结构，所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳。所述双壳包含不同类型的稀土元素R1和R2，并且R2

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子组件及制造陶瓷电子组件的方法本申请要求于2020年2月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0014955号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
本公开涉及一种陶瓷电子组件及制造陶瓷电子组件的方法。
技术介绍
通常，使用陶瓷材料的陶瓷电子组件(诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)可包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、设置在陶瓷主体中的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。正在开发多层陶瓷电容器(MLCC)(一种类型的陶瓷电子组件)以通过其层的超薄化而具有增加的电容。高电容多层陶瓷电容器(MLCC)可包括用于形成主体的作为主要材料的钛酸钡(BaTiO3)以及作为内电极的基础材料的镍。通常在还原气氛中烧结这种主体。在这种情况下，主体中的电介质应该是耐还原的。然而，由于氧化物的固有特性，氧化物中的氧可能在烧结操作期间在还原气氛下逸出，以产生氧空位和电子。因此，氧化物的可靠性和绝缘电阻(IR)可能劣化。为了解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电子组件，包括：/n主体，包括介电层和内电极；以及/n外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，/n其中，所述介电层包括多个介电晶粒，/n其中，/n所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核-双壳结构，所述核-双壳结构具有核和双壳，/n所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳，/n所述双壳包含不同类型的稀土元素R1和R2，并且/nR2

【技术特征摘要】
20200207 KR 10-2020-00149551.一种陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，
其中，所述介电层包括多个介电晶粒，
其中，
所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核-双壳结构，所述核-双壳结构具有核和双壳，
所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳，
所述双壳包含不同类型的稀土元素R1和R2，并且
R2S1/R1S1为0.01或更小，并且R2S2/R1S1为0.5至3.0，其中，R1S1表示包含在所述第一壳中的R1的浓度，并且R2S1和R2S2分别表示包含在所述第一壳中的R2的浓度和包含在所述第二壳中的R2的浓度。


2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，R1S2/R1S1为0.1至1.3，其中，R1S2表示包含在所述第二壳中的R1的浓度。


3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子组件，其中，
沿着连接α和β的直线的与所述第二壳的厚度对应的距离为α和β之间的距离的4％或更大至25％或更小，其中，α表示所述核-双壳结构的在所述核-双壳结构的截面中的中心，并且β表示所述第二壳的外表面上离α最远的点。


4.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中，沿着连接α和β的所述直线的与所述第一壳的厚度对应的距离为α和β之间的距离的5％或更大至30％或更小。


5.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中，沿着连接α和β的所述直线的与所述第一壳的厚度对应的距离为沿着连接α和β的所述直线的与所述第二壳的厚度对应的所述距离的0.5至1.5倍。


6.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子组件，其中，所述核-双壳结构的所述第一壳设置为覆盖所述核的表面积的90％或更多，并且
所述核-双壳结构的所述第二壳设置为覆盖所述第一壳的表面积的90％或更多。


7.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子组件，其中，所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核-壳结构，所述核-壳结构具有核和壳。


8.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子组件，其中，具有所述核-双壳结构的介电晶粒的数量是所述多个介电晶粒的数量的50％或更多。


9.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子组件，其中，所述介电层包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的一种或更多种作为主成分。

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【专利技术属性】
技术研发人员：姜晟馨，曺钟贤，宋旻星，安一镐，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR