支持同时读写的类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构技术

本申请实施例提供了一种类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二存储单元实现，将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号分别映射至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线上，第一单口存储单元和第二单口存储单元的读写时钟频率与类双口存储器的读写时钟频率为同一时钟频率，本申请技术方案可广泛应用在需大量使用到同时读写的存储器设计中，极大地节省了芯片面积，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
支持同时读写的类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构
本申请各实施例属于存储
，具体涉及一种支持同时读写的类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，在芯片设计中会使用大量的有一定地址规则的存储器，经常需要在读某个地址数据的时钟周期内，同时对另一个地址进行写入操作，通常的做法有两种，第一种需要使用到双口存储器，双口存储器相比单口存储器的优势在于，具有两套数据/地址接口，可以独立的进行读/写操作，但它的面积相当于是单口存储器的两倍，会使芯片成本上升；第二种是提高读写频率，将读写时钟频率翻倍，但这样增加了功耗，而且在大规模的集成电路的设计中，也不能无限制的提高主频。综上所述，芯片的面积直接决定了芯片的成本，特别现在大规模集成电路设计中都使用了大量的存储器，比如在电力线载波通信芯片中，其物理层的设计，无论是turbo编解码，还是交织、信道估计以及均衡，都大量需要使用同时读写的存储器，而读写时钟又是同一个时钟。因此在实际应用中，需要一种低成本的可支持同时读写的双口存储器的实现方法来解决上述问题。
技术实现思路
本申请实施例目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减上述问题，本申请提供的技术方案提供了一种采用单口存储单元来实现同时读写的类双口存储器功能的方法，可广泛应用在需要大量使用到同时读写的存储器的设计中，特别适合有一定地址规则的同时读写存储器设计，例如在上述电力线载波通信芯片中，极大地节省了芯片面积，降低了成本。第一方面，本申请提供了一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二单口存储单元实现，其中，所述第一单口存储单元与第二单口存储单元的容量为预实现的类双口存储器容量的一半，所述方法包括，将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，在不同读写时刻，读地址或写地址既可以分配在第一子地址集中，也可以分配在第二子地址集中，在每一个读写时刻，读地址和写地址交错分配在不同子地址集中；将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号以及写数据分别对应至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线以及写数据线上，将每一次对类双口存储器的同时读写操作，变换成对第一单口存储单元进行读操作和第二单口存储单元进行写操作，或者变换成对第一单口存储单元进行写操作和第二单口存储单元进行读操作；所述方法还包括，将输入读地址及读使能先进行延迟，以便将读地址和写地址通过拆分算法进行拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集；或，将类双口存储器的输出读数据进行延迟后并进行分时选择，使得类双口存储器的输出读数据相对于读地址和读使能的延迟时钟周期数保持固定。与现有技术相比，本申请提供了一种采用单口存储单元来实现同时读写的类双口存储器功能的方法，本申请通过两个容量相同的单口存储单元实现类双口存储器的功能，将原读写地址第一子地址集和第二子地址集通过映射单元分别映射到两个单口存储单元的读写地址的地址线上，不需要额外增加任何的存储资源，另外，本申请通过固定延迟时钟周期数设计，在进行类双口存储器的使用上可按统一时序处理，无需针对不固定的读操作延迟时序再去针对性地弥补时序差异，简化处理步骤，本申请提供的技术方案可广泛应用在需要大量使用到同时读写的存储器设计中，极大地节省了芯片面积，降低了成本。第二方面，本申请实施例提供了一种类双口存储器，包括，映射单元、第一单口存储单元和第二单口存储单元；映射单元，用于将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集；在不同读写时刻，读地址或写地址既可以分配在第一子地址集中，也可以分配在第二子地址集中，在每一个读写时刻，读地址和写地址交错分配在不同的子地址集中；并用于将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号分别映射至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线上；用于将类双口存储器的输出读数据相对于读地址和读使能的延迟时钟周期数保持固定；还用于将读取的第一单口存储单元和第二单口存储单元的数据合并输出；第一单口存储单元和第二单口存储单元，分别由第一单口存储单元和第二单口存储单元的时钟频率驱动进行读写操作，第一单口存储单元和第二单口存储单元的读写时钟频率与类双口存储器的读写时钟频率为同一时钟频率。与现有技术相比，本申请提供了一种类双口存储器，本申请通过两个容量相同的单口存储单元实现类双口存储器的功能，将原读写地址第一子地址集和第二子地址集通过映射单元分别映射到两个单口存储单元的读写地址的地址线上，不需要额外增加任何的存储资源，另外，本申请通过固定延迟时钟周期数设计，在进行类双口存储器的使用上可按统一时序处理，无需针对不固定的读操作延迟时序再去针对性地弥补时序差异，简化处理步骤，本申请提供的技术方案可广泛应用在需要大量使用到同时读写的存储器设计中，极大地节省了芯片面积，降低了成本。第三方面，本申请实施例提供了一种芯片结构，包括上述任一项所述的一种类双口存储器。与现有技术相比，本申请第三方面提供实施例的有益效果与上述任一项技术方案的有益效果相同，在此不再赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分，本领域技术人员应该理解的是，这些附图未必是按比例绘制的，在附图中：图1为本申请一具体实施例中提供的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法的流程图；图2为本申请一具体实施例中提供的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法的流程图；图3为本申请一具体实施例中提供的一种类双口存储器的实现结构示意图；图4为本申请一具体实施例中提供的图4所示类双口存储器的详细实现结构示意图；图5为本申请一具体实施例中从0到2n-1的地址全集集合及子集划分方式；图6为本申请一具体实施例内部单口存储单元及外层类双口存储器波形示意图；图7为本申请一具体实施例内部单口存储单元及外层类双口存储器波形示意图；图8为本申请另一具体实施例内部单口存储单元及外层类双口存储器波形示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。如图1所示，本申请提供的一种支持同时读写的类双口存储器实现的方法，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二存储单元实现，其中，所述第一存储单元与第二单口存储单元的容量为预实现的类双口存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二单口存储单元实现，其中，所述第一单口存储单元与第二单口存储单元的容量为预实现的类双口存储器容量的一半，所述方法包括，/n将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，在不同读写时刻，读地址或写地址既可以分配在第一子地址集中，也可以分配在第二子地址集中，在每一个读写时刻，读地址和写地址交错分配在不同子地址集中；/n将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号以及写数据分别对应至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线以及写数据线上，将每一次对类双口存储器的同时读写操作，变换成对第一单口存储单元进行读操作和第二单口存储单元进行写操作，或者变换成对第一单口存储单元进行写操作和第二单口存储单元进行读操作；/n所述方法还包括，/n将输入读地址及读使能先进行延迟，以便将读地址和写地址通过拆分算法进行拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集；/n或，将类双口存储器的输出读数据进行延迟后并进行分时选择，使得类双口存储器的输出读数据相对于读地址和读使能的延迟时钟周期数保持固定。/n...

【技术特征摘要】
1.一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二单口存储单元实现，其中，所述第一单口存储单元与第二单口存储单元的容量为预实现的类双口存储器容量的一半，所述方法包括，
将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，在不同读写时刻，读地址或写地址既可以分配在第一子地址集中，也可以分配在第二子地址集中，在每一个读写时刻，读地址和写地址交错分配在不同子地址集中；
将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号以及写数据分别对应至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线以及写数据线上，将每一次对类双口存储器的同时读写操作，变换成对第一单口存储单元进行读操作和第二单口存储单元进行写操作，或者变换成对第一单口存储单元进行写操作和第二单口存储单元进行读操作；
所述方法还包括，
将输入读地址及读使能先进行延迟，以便将读地址和写地址通过拆分算法进行拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集；
或，将类双口存储器的输出读数据进行延迟后并进行分时选择，使得类双口存储器的输出读数据相对于读地址和读使能的延迟时钟周期数保持固定。


2.如权利要求1所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，
第一单口存储单元和第二单口存储单元的读写时钟频率与类双口存储器的读写时钟频率为同一时钟频率。


3.如权利要求1所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，类双口存储器的写操作数据与第一单口存储单元或第二单口存储单元的写操作数据相同。


4.如权利要求1至3任一项所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，第一单口存储单元和第二单口存储单元的读写操作交替进行。


5.如权利要求4所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，延迟时钟周期数为2拍数。


6.如权利要求4所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，当输入读地址和写地址产生冲突时，将输入读地址和读使能延迟时钟周期数为1拍数，输出读数据延迟器不打开；当输入读地址和写地址不产生冲突时，输入读地址和读使能延迟器不打开，输出读数据延迟器延迟时钟周期数为1拍数。


7.如权利要求1所述的一种支持同时读写的类双口存储器实现方法，其特征在于，所述将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，包括，
根据输入读地址和写地址按照某种转换逻辑转换为顺序读地址和写地址；
将所述顺序读地址和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王白羽，
申请(专利权)人：上海矽久微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31