指纹识别显示装置制造方法及图纸

技术编号:29670662 阅读:9 留言:0更新日期:2021-08-13 21:51
一种指纹识别显示装置,包括:显示面板和第一滤光膜,显示面板包含指纹识别传感层。第一滤光膜包含m层不同厚度的第一材料膜层与m层不同厚度的第二材料膜层交替层叠设置,第一材料膜层的标准折射率和第二材料膜层的标准折射率不同。第一材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n

【技术实现步骤摘要】
指纹识别显示装置
本申请涉及显示
,具体涉及一种指纹识别显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展,对于手机、平板电脑、相机等电子产品,用户要求具有更多功能和时尚外观。目前,手机的发展趋势为轻薄、接近全面屏。近来,为了实现全面屏或接近全面屏效果,全屏指纹识别技术应运而生。所述指纹识别显示屏利用波长为380nm至630nm的光波在手指处反射成像。但是,当光的波长大于630nm后,光可以穿透手指,此时,手指类似一个发光源,故而全屏指纹识别的清晰度会被630nm以上的光破坏。但是滤掉波长630nm以上的光波会影响显示屏的正常显示,因此,为了提高指纹识别显示装置的全屏指纹识别率,需要提出一种新的指纹识别显示装置。
技术实现思路
本申请提供一种指纹识别显示装置,用以提高全屏指纹识别率。本申请实施例提供一种指纹识别显示装置,所述指纹识别显示装置包括:显示面板,所述显示面板包含指纹识别传感层;以及,第一滤光膜,设置于所述显示面板上,其中,所述第一滤光膜包含m层不同厚度的第一材料膜层与m层不同厚度的第二材料膜层交替层叠设置,m为大于1的正整数,所述第一材料膜层的标准折射率和所述第二材料膜层的标准折射率不同,所述第一材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n1-700)至1250nm/(4*n1-1250),所述第二材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n2-700)至1250nm/(4*n2-1250),n1-700为波长700nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-700为波长700nm的光波在第二材料膜层的折射率,n1-1250为波长1250nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-1250为波长1250nm的光波在第二材料膜层的折射率。可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一材料膜层的厚度范围为737nm/(4*n1-737)至1070nm/(4*n1-1070),所述第二材料膜层的厚度范围为815nm/(4*n2-815)至1185nm/(4*n2-1185),其中,n1-737为波长737nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-815为波长815nm的光波在第二材料膜层的折射率,n1-1070为波长1070nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-1185为波长1185nm的光波在第二材料膜层的折射率。可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一材料膜层有四层,厚度分别为737nm/(4*n1-737)、900nm/(4*n1-900)、1000nm/(4*n1-1000)、1100nm/(4*n1-1100),所述第二材料膜层有四层,厚度分别为815nm/(4*n2-815)、1000nm/(4*n2-1000)、1100nm/(4*n2-1100)、1200nm/(4*n2-1200),其中,n1-737为波长800nm的光波在第一材料膜层的折射率,n1-900为波长900nm的光波在第一材料膜层的折射率,n1-1000为波长1000nm的光波在第一材料膜层的折射率,n1-1100为波长1100nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-815为波长815nm的光波在第二材料膜层的折射率,n2-1000为波长1000nm的光波在第二材料膜层的折射率,n2-1100为波长1100nm的光波在第二材料膜层的折射率,n2-1200为波长1200nm的光波在第二材料膜层的折射率。可选的,在本申请的一些实施例中,m等于55,所述第一材料膜层的厚度公式为λ/(4*n1-λ),所述第二材料膜层的厚度公式为λ/(4*n2-λ),其中,n1-λ为波长λnm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-λ为波长λnm的光波在第二材料膜层的折射率,任意相邻的所述第一材料膜层与所述第二材料膜层的波长的差值为5nm。可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一材料膜层的标准折射率小于所述第二材料膜层的标准折射率。可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一材料膜层的材料为标准折射率等于1.28的空心纳米硅球薄膜;所述第二材料膜层的材料为标准折射率等于1.51的第二透明聚合物薄膜。可选的,在本申请的一些实施例中,所述指纹识别传感层具有第二滤光膜,所述第二滤光膜用以通过波长380nm至700nm的光。可选的,在本申请的一些实施例中,所述指纹识别传感层位于所述显示面板内。可选的,在本申请的一些实施例中,所述指纹识别传感层位于所述显示面板内的阵列层上。可选的,在本申请的一些实施例中,所述指纹识别传感层位于所述显示面板下方。本申请实施例所述的指纹识别显示装置,通过所述第一滤光膜的所述第一滤光膜与所述第二材料膜层交替层叠设置反射过滤波长700nm至1250nm的光。从而能够解决红光下和强烈的太阳光下产生指纹识别特征模糊的问题,降低红光和强烈的太阳光下红外光对指纹识别的干扰,使全屏指纹识别功能在红光和强烈的太阳光下不会产生过曝,以及防止产生干扰问题,进而提高所述指纹识别显示屏的全屏指纹识别率和准确率。本申请所述第一滤光膜为透明滤光膜,既可以提升正常显示屏的显示功能,又可以实现户外强光下生物特征检测的功能,增强了产品的差异化性能,提升了产品的市场竞争力。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a是本申请实施例提供的指纹识别显示装置的结构示意图;图1b是本申请实施例提供的第一滤光膜的结构示意图;图1c是本申请实施例提供的指纹识别显示装置红外指纹成像原理的结构示意图;图2是太阳光光谱的示意图;图3是本申请实施例提供的第一滤光膜的反射率的示意图;图4是本申请实施例提供的第一滤光膜的透射率的示意图;图5是本申请实施例提供的指纹识别显示装置的结构示意图;图6是本申请实施例提供的指纹识别显示装置的结构示意图;图7是本申请实施例提供的指纹识别显示装置的结构示意图。附图说明的标号为:100、第一滤光膜;200、第二滤光膜;110、第一材料膜层;120、第二材料膜层;1、1’,2、指纹识别显示装置;10、液晶显示面板;11,26、盖板;12、彩膜基板;13、阵列基板;14、液晶层;15、背光;151,231、光波;20、指纹识别传感层;21、OLED显示面板;22、基板;23、发光层;24、透明贴合层;25、触控层;27、边框;300、显示面板;L10,L20、光线;L12,L21,L23、反射光线;L11,L22、透射光线;03、手指;01、脊;02、谷;L1、可见光;L2、近红外线;L0、紫外线;M、光谱辐射通量密度。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种指纹识别显示装置,其特征在于,所述指纹识别显示装置包括:/n显示面板,所述显示面板包含指纹识别传感层;以及,/n第一滤光膜,设置于所述显示面板上,其中,所述第一滤光膜包含m层不同厚度的第一材料膜层与m层不同厚度的第二材料膜层交替层叠设置,m为大于1的正整数,所述第一材料膜层的标准折射率和所述第二材料膜层的标准折射率不同,所述第一材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n

【技术特征摘要】
1.一种指纹识别显示装置,其特征在于,所述指纹识别显示装置包括:
显示面板,所述显示面板包含指纹识别传感层;以及,
第一滤光膜,设置于所述显示面板上,其中,所述第一滤光膜包含m层不同厚度的第一材料膜层与m层不同厚度的第二材料膜层交替层叠设置,m为大于1的正整数,所述第一材料膜层的标准折射率和所述第二材料膜层的标准折射率不同,所述第一材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n1-700)至1250nm/(4*n1-1250),所述第二材料膜层的厚度范围为700nm/(4*n2-700)至1250nm/(4*n2-1250),n1-700为波长700nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-700为波长700nm的光波在第二材料膜层的折射率,n1-1250为波长1250nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-1250为波长1250nm的光波在第二材料膜层的折射率。


2.如权利要求1所述的指纹识别显示装置,其特征在于,所述第一材料膜层的厚度范围为737nm/(4*n1-737)至1070nm/(4*n1-1070),所述第二材料膜层的厚度范围为815nm/(4*n2-815)至1185nm/(4*n2-1185),其中,n1-737为波长737nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-815为波长815nm的光波在第二材料膜层的折射率,n1-1070为波长1070nm的光波在第一材料膜层的折射率,n2-1185为波长1185nm的光波在第二材料膜层的折射率。


3.如权利要求1所述的指纹识别显示装置,其特征在于,所述第一材料膜层有四层,厚度分别为737nm/(4*n1-737)、900nm/(4*n1-900)、1000nm/(4*n1-1000)、1100nm/(4*n1-1100),所述第二材料膜层有四层,厚度分别为815nm/(4*n2-815)、1000nm/(4*n2-1000)、1100nm/(4*n2-1100)、1200nm/(4*n2-1...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔晓东刘广坤
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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