【技术实现步骤摘要】
一种铝硅壳体专用除氢装置
本技术涉及铝硅材料制造
,具体领域为一种铝硅壳体专用除氢装置。
技术介绍
由于极低的温度膨胀系数,铝硅材料广泛应用于有源相控阵雷达的T/R组件壳体当中。但是由于铝硅壳体在加工过程中,需要镀金工艺,以保证芯片在壳体内部焊接的可靠性。铝硅壳体在电镀过程中,会吸附有氢分子,容易造成焊接引脚的氢脆现象,使结构可靠性降低,同时封装后的T/R组件芯片,容易因为氢气的渗入,腐蚀芯片,造成芯片失效。因此,铝硅壳体在机械加工完成后,激光封焊前要进行除氢处理,以提高T/R组件的可靠性。目前,金属电镀后除氢主要有空气中直接加热除氢、放置到煤油中加热除氢等,主要适用于要求不高的场合。传统的除氢方式存在二次污染问题,不能用来制造用于航空航天等领域的高标准器件,另外传统的除氢方式除氢效率低,能耗高,经济成本及环境成本都很高
技术实现思路
本技术的目的在于一种铝硅壳体专用除氢装置,以解决现有的除氢方式存在二次污染问题以及能耗高等问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种铝硅壳体专用除氢装置,包括加热炉体、除氢腔体、真空系统和水冷系统,所述除氢腔体设置在加热炉体内部,所述加热炉体根据预设温控曲线对除氢腔体进行加热,所述真空系统与除氢腔体连通,所述真空系统对除氢腔体抽真空,所述水冷系统的水冷管道包裹除氢腔体,所述水冷系统对除氢腔体进行降温。优选的,所述水冷系统包括水冷机和水冷管道,所述水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管,冷却水由总进水管经过 ...
【技术保护点】
1.一种铝硅壳体专用除氢装置,其特征在于:包括加热炉体(1)、除氢腔体(2)、真空系统(3)和水冷系统(4),所述除氢腔体(2)设置在加热炉体(1)内部,所述加热炉体(1)根据预设温控曲线对除氢腔体(2)进行加热,所述真空系统(3)与除氢腔体(2)连通,所述真空系统(3)对除氢腔体(2)抽真空,所述水冷系统(4)的水冷管道包裹除氢腔体(2),所述水冷系统(4)对除氢腔体(2)进行降温。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种铝硅壳体专用除氢装置,其特征在于:包括加热炉体(1)、除氢腔体(2)、真空系统(3)和水冷系统(4),所述除氢腔体(2)设置在加热炉体(1)内部,所述加热炉体(1)根据预设温控曲线对除氢腔体(2)进行加热,所述真空系统(3)与除氢腔体(2)连通,所述真空系统(3)对除氢腔体(2)抽真空,所述水冷系统(4)的水冷管道包裹除氢腔体(2),所述水冷系统(4)对除氢腔体(2)进行降温。
2.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置,其特征在于:所述水冷系统(4)包括水冷机和水冷管道,所述水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管,冷却水由总进水管经过各分进水管进入到炉壳、炉门以及除氢腔体(2),再经各分路出水管汇集至总出水管排出。
技术研发人员:刘露,公伟,颜景玉,
申请(专利权)人:南京友乔电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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