用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法技术

本发明专利技术提供能够形成即使在与氧化剂接触后，也能够利用碱性剥离液容易且良好地剥离的抗蚀剂图案的用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物以及包括使用该组合物形成抗蚀剂图案的工序的半导体制品的制造方法。在包含粘合剂树脂作为粘合剂的用于形成抗蚀剂图案的组合物中，含有松香酯树脂作为粘合剂树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法
本专利技术涉及用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法。
技术介绍
以往，在半导体制品、显示器面板等的制造中，出于各种目的而利用抗蚀剂图案。作为利用抗蚀剂图案的典型例，可举出作为通过蚀刻进行图案化时的蚀刻掩模(蚀刻抗蚀剂)的利用。蚀刻抗蚀剂是具有耐蚀刻性的经图案化的被膜。蚀刻抗蚀剂主要多用于半导体电路制成、印刷电路基板制造和太阳能电池制造等用途中。该蚀刻抗蚀剂根据图案的尺寸，通过光刻法、印刷法等方法形成在硅基板等蚀刻对象物的被蚀刻面上。例如，作为蚀刻抗蚀剂形成用的组合物，已知有包含作为成分A的具有单体单元(a1)和单体单元(a2)的聚合物、作为成分B的光酸产生剂以及作为成分C的溶剂的正型感光性组合物(参照专利文献1)。单体单元(a1)具有利用酸分解性基团保护了羧基或酚性羟基的残基。单体单元(a2)具有环氧基和/或氧杂环丁烷基。在使用专利文献1中记载的正型感光性组合物的情况下，可以通过光刻法形成图案化为规定形状的蚀刻抗蚀剂。在半导体制品、显示器面板等的制造工序中，蚀刻抗蚀剂等上述的抗蚀剂图案多在发挥掩模材料等的作用后被除去。抗蚀剂图案的除去例如使用有机溶剂、碱性剥离液。从廉价且抗蚀剂图案除去后的废液的处理容易等方面出发，多使用碱性剥离液。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012－181488号公报
技术实现思路
然而，对于使用专利文献1等中记载这样的现有已知的组合物形成的抗蚀剂图案，经常存在利用碱性剥离液难以在短时间内进行良好的剥离的情况。例如在使用包含臭氧等氧化剂的蚀刻剂进行蚀刻的情况下、利用氧化剂对硅基板的表面氧化而在硅基板的表面形成氧化硅被膜的情况等下，抗蚀剂图案与氧化剂接触。在这样的情况下，利用碱性剥离液剥离与氧化剂接触后的抗蚀剂图案时，剥离本来就困难，或者剥离需要长时间，或者即使能够剥离也容易产生剥离残留。本专利技术是鉴于上述课题而作出的，目的在于提供能够形成即使与氧化剂接触后，也能够利用碱性剥离液容易且良好地剥离的抗蚀剂图案的用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物以及包括使用该树脂组合物形成抗蚀剂图案的工序的半导体制品的制造方法。本专利技术人等发现通过在包含粘合剂树脂作为粘合剂的用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物中包含松香酯树脂作为粘合剂树脂，能够解决上述的课题，从而完成了本专利技术。更具体而言，本专利技术提供以下的方案。(1)一种树脂组合物，用于形成抗蚀剂图案，所述树脂组合物包含含有松香酯树脂的粘合剂树脂作为粘合剂。(2)根据(1)所述的树脂组合物，包含选自填料、表面活性剂和抗氧化剂中的1种以上。(3)根据(2)所述的树脂组合物，包含填料、表面活性剂和抗氧化剂。(4)根据(2)或(3)所述的树脂组合物，其中，作为表面活性剂，包含阴离子性表面活性剂，阴离子性表面活性剂包含聚氧乙烯烷基醚衍生物。(5)根据(4)所述的树脂组合物，其中，聚氧乙烯烷基醚衍生物具有选自磺酸基、羧基、磷酸基、磺酸盐基、羧酸盐基和磷酸盐基中的1种以上的基团。(6)根据(2)～(5)中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于树脂组合物所包含的除溶剂以外的成分的合计100质量份，包含0.1质量份～10质量份的表面活性剂。(7)根据(2)～(6)中任一项所述的树脂组合物，其中，包含选自受阻酚系抗氧化剂、芳香族胺系抗氧化剂和硫系抗氧化剂中的1种以上作为抗氧化剂。(8)根据(2)～(7)中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于树脂组合物所包含的除溶剂以外的成分的质量的合计100质量份，包含0.1质量份～5质量份的抗氧化剂。(9)根据(1)～(8)中任一项所述的树脂组合物，包含具有碳原子数6以上的脂肪族烃基和羧酸酐基的酸酐化合物。(10)根据(1)～(9)中任一项所述的树脂组合物，用于通过印刷法形成抗蚀剂图案。(11)根据(1)～(10)中任一项所述的树脂组合物，其中，抗蚀剂图案与氧化剂接触而使用。(12)根据(11)所述的树脂组合物，其中，在半导体制品的制造方法中，用于所述抗蚀剂图案，所述半导体制品的制造方法包括如下工序：氧化剂接触工序，使具备抗蚀剂图案的半导体基板与氧化剂接触，以及剥离工序，利用碱性剥离液将与氧化剂接触后的抗蚀剂图案从半导体基板剥离。(13)根据(12)所述的树脂组合物，其中，半导体制品为背接触型太阳能电池，半导体基板在至少一个表面中在最表面具备作为第1半导体层的p型半导体层或n型半导体层，且与第1半导体层相接而具备本征半导体层，抗蚀剂图案直接形成在第1半导体层上，通过使具备抗蚀剂图案的半导体基板与包含氧化剂的蚀刻液接触，从而除去与所述抗蚀剂图案的开口部的位置相当的位置的第1半导体层和本征半导体层，在除去第1半导体层和本征半导体层后，将抗蚀剂图案剥离，在剥离抗蚀剂图案后，在除去了第1半导体层和本征半导体层的空间形成本征半导体层，接着，形成与第1半导体层相反极性的第2半导体层。(14)根据(12)所述的树脂组合物，其中，半导体制品为背接触型太阳能电池，半导体基板在至少一个表面侧具备作为第1半导体层的p型半导体层或n型半导体层，且与第1半导体层相接而具备本征半导体层，抗蚀剂图案介由剥离层形成在第1半导体层上，通过使具备抗蚀剂图案的半导体基板与包含氧化剂的蚀刻液接触，从而除去与抗蚀剂图案的开口部的位置相当的位置的剥离层，在除去剥离层后，进行抗蚀剂图案的剥离以及与抗蚀剂图案的开口部的位置相当的位置的第1半导体层的基于蚀刻的除去，以被覆除去了第1半导体层的空间的底面和侧面以及剥离层上的方式形成与第1半导体层相反极性的第2半导体层，伴随剥离层的除去，将与剥离层接触而设置的第2半导体层除去。(15)一种半导体制品的制造方法，包括如下工序：抗蚀剂图案形成工序，使用(1)～(9)中任一项所述的树脂组合物，通过印刷法或光刻法在半导体基板的表面形成抗蚀剂图案，氧化剂接触工序，使具备抗蚀剂图案的半导体基板与氧化剂接触，以及剥离工序，利用碱性剥离液将与氧化剂接触后的抗蚀剂图案剥离。(16)根据(15)所述的半导体制品的制造方法，制造背接触型太阳能电池作为半导体制品，半导体基板在至少一个表面中在最表面具备作为第1半导体层的p型半导体层或n型半导体层，且与第1半导体层相接地具备本征半导体层，抗蚀剂图案直接形成在第1半导体层上，通过使具备抗蚀剂图案的半导体基板与包含氧化剂的蚀刻液接触，从而除去与抗蚀剂图案的开口部的位置相当的位置的第1半导体层和本征半导体层，在除去第1半导体层和本征半导体层后，将抗蚀剂图案剥离，在剥离抗蚀剂图案后，在除去了第1半导体层和本征半导体层的空间形成本征半导体层，接着形成与第1半导体层相反极性的第2半导体层。(17)根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂组合物，用于形成抗蚀剂图案，所述树脂组合物包含含有松香酯树脂的粘合剂树脂作为粘合剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181227 JP 2018-2451601.一种树脂组合物，用于形成抗蚀剂图案，所述树脂组合物包含含有松香酯树脂的粘合剂树脂作为粘合剂。


2.根据权利要求1所述的树脂组合物，包含选自填料、表面活性剂和抗氧化剂中的1种以上。


3.根据权利要求2所述的树脂组合物，包含所述填料、所述表面活性剂和所述抗氧化剂。


4.根据权利要求2或3所述的树脂组合物，其中，作为所述表面活性剂，包含阴离子性表面活性剂，所述阴离子性表面活性剂包含聚氧乙烯烷基醚衍生物。


5.根据权利要求4所述的树脂组合物，其中，所述聚氧乙烯烷基醚衍生物具有选自磺酸基、羧基、磷酸基、磺酸盐基、羧酸盐基和磷酸盐基中的1种以上的基团。


6.根据权利要求2～5中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于所述树脂组合物所包含的除溶剂以外的成分的合计100质量份，包含0.1质量份～10质量份的所述表面活性剂。


7.根据权利要求2～6中任一项所述的树脂组合物，其中，包含选自受阻酚系抗氧化剂、芳香族胺系抗氧化剂和硫系抗氧化剂中的1种以上作为所述抗氧化剂。


8.根据权利要求2～7中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于所述树脂组合物所包含的除溶剂以外的成分的质量的合计100质量份，包含0.1质量份～5质量份的所述抗氧化剂。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的树脂组合物，包含具有碳原子数6以上的脂肪族烃基和羧酸酐基的酸酐化合物。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的树脂组合物，用于通过印刷法形成抗蚀剂图案。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的树脂组合物，其中，所述抗蚀剂图案与氧化剂接触而使用。


12.根据权利要求11所述的树脂组合物，其中，在半导体制品的制造方法中，用于形成所述抗蚀剂图案，所述半导体制品的制造方法包括如下工序：
氧化剂接触工序，使具备所述抗蚀剂图案的半导体基板与所述氧化剂接触，以及
剥离工序，利用碱性剥离液将与所述氧化剂接触后的抗蚀剂图案从所述半导体基板剥离。


13.根据权利要求12所述的树脂组合物，其中，
所述半导体制品为背接触型太阳能电池，
所述半导体基板在至少一个表面中在最表面具备作为第1半导体层的p型半导体层或n型半导体层，且与所述第1半导体层相接而具备本征半导体层，
所述抗蚀剂图案直接形成在所述第1半导体层上，
通过使具备所述抗蚀剂图案的所述半导体基板与包含氧化剂的蚀刻液接触，从而除去与所述抗蚀剂图案的开口部的位置相当的位置的所述第1半导体层和所述本征半导体层，
在除去所述第1半导体层和所述本征半导体层后，将所述抗蚀剂图案剥离，
在剥离所述抗蚀剂图案后，在除去了所述第1半导体层和所述本征半导体层的空间形成所述本征半导体层，接着，形成与所述第1半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：兼松正典，玉井仁，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本;JP