一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜缺陷的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜的缺陷制备方法：(1)对放置有蓝宝石衬底的溅射腔室抽真空；(2)通入气体，升温加热衬底，调整腔室压强设置溅射功率，在蓝宝石衬底上溅射沉积氮化铝薄膜；(3)将氮化铝薄膜以面对面贴合的方式放置，通入保护气，恒温退火；(4)冷却至室温后取出，即得退火后的氮化铝薄膜。本发明专利技术制备方法能够获得改善外延膜质量最佳的衬底类型，为薄膜外延生长提供指导意义；本发明专利技术具有成本低、操作简单等优点，可以广泛推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜缺陷的制备方法
本专利技术涉及一种制备氮化铝的制备方法，特别涉及一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜缺陷的制备方法。
技术介绍
III族氮化物及其合金具有带隙大、击穿电场高、导热系数大等优点，是制备发光器件的理想材料。其中，具有代表性的AlGaN三元合金能够根据发光波长和功率的不同，应用于传感检测、消毒灭菌、防伪、医药生物化学、通讯等领域，成为了近年来的研究热点。由于晶片尺寸和生产成本的限制，大多数AlN和AlGaN薄膜都是在相对便宜和容易获得的蓝宝石衬底上外延生长的。但是，AlN、AlGaN薄膜和蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配会导致制备的薄膜中存在较多的位错，从而影响器件的发光效率。AlGaN材料基本上是在AlN薄膜上制备的，所以高质量的AlN材料是制备高质量AlGaN材料的关键。然而，Al-N键的键能很高，这导致N原子对Al原子具有强烈的束缚，使Al原子的表面迁移率较低，很难获得高质量的AlN薄膜。此外，衬底的斜切方向和斜切角往往会影响薄膜质量从而影响后续器件的制作。通过上述分析本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜的缺陷制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：/n(1)对在样品台上放置有蓝宝石衬底的溅射腔室抽真空；/n(2)通入气体，调节气体流量，升温加热衬底，调整腔室压强，设置溅射功率；打开样品挡板，在蓝宝石衬底上溅射沉积氮化铝薄膜，保持参数不变直至溅射过程结束，取出制备的氮化铝薄膜；/n(3)将步骤(2)中蓝宝石衬底上沉积所得氮化铝薄膜，以面对面贴合的方式放置，通入保护气，进行恒温退火；/n(4)冷却至室温之后取出，即得退火后的氮化铝薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜的缺陷制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：
(1)对在样品台上放置有蓝宝石衬底的溅射腔室抽真空；
(2)通入气体，调节气体流量，升温加热衬底，调整腔室压强，设置溅射功率；打开样品挡板，在蓝宝石衬底上溅射沉积氮化铝薄膜，保持参数不变直至溅射过程结束，取出制备的氮化铝薄膜；
(3)将步骤(2)中蓝宝石衬底上沉积所得氮化铝薄膜，以面对面贴合的方式放置，通入保护气，进行恒温退火；
(4)冷却至室温之后取出，即得退火后的氮化铝薄膜。


2.根据权利要求1所述通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜的缺陷制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的蓝宝石衬底为具有大斜切角的两英寸蓝宝石衬底，斜切方向为C面偏A面，斜切角度为4度。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳洋，孙茂松，张纪才，孙文红，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：发明
国别省市：广西;45