一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法技术

技术编号:29569006 阅读:16 留言:0更新日期:2021-08-06 19:22
本发明专利技术属于光伏行业用石英部件表面处理的技术领域,具体涉及一种延长LPCVD工艺用石英制品表面使用寿命的加工方法。方法包括火抛光、退火、遮蔽、喷砂、去除遮蔽物、第一次清洗、配制酸性化学溶液、化学蚀刻、第二次清洗等步骤。本发明专利技术制备的LPCVD工艺的石英制品其表面丘陵状均匀,提高了硅化合物对石英制品的附着性,同时不会引起沉积在石英制品上的硅化合物的剥离,减少颗粒污染,并且延长石英制品使用寿命,满足光伏行业需求。

【技术实现步骤摘要】
一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法
本专利技术属于光伏行业用石英部件表面处理的
,尤其涉及一种延长LPCVD工艺用石英制品表面使用寿命的加工方法。
技术介绍
在集成电路工艺中,经常利用LPCVD炉进行化学气相沉积法,来制造光伏行业所需要的PN结。因石英制品具有耐高温、热膨胀系数小、极佳的透光性、良好的电绝缘性、耐腐蚀性等优越性能,在LPCVD工艺中经常使用石英制品(管、炉芯管、舟、炉门、托架等)。已知石英制品多数为火抛光后的石英所制成,如图1所示为已知以火抛光加工石英表面之剖视图,火抛光是用火焰(氢氧焰)直接加热石英表面,在不变形的前提下,使其表面融化而形成透明状态,然而由于长期进行LPCVD工艺,使得在石英管表面上沉积形成一层硅化合物层,当硅化合物层累计至一定厚度时,由于火抛光处理后之石英管的表面光滑,附着力不够,以及硅化合物层本身容易沉积在石英管顶部沉积的较厚处,或是在石英管表面的转折处,产生龟裂纹或形成一块一块的微粒,当微粒剥落时会对硅片造成污染,大幅降低硅片良率,更严重者会因为对硅化合物层黏在石英管的周壁,由于剧烈升降温,热膨胀系数和内应力不同而导致石英管破裂,造成石英管提早报废。已知石英管表面改性有喷砂加工处理方式。喷砂利用高速气流携带金刚石研磨砂粒撞击石英表面,使石英产生丘陵状的表面,喷砂后的石英表面所形成的丘陵状可用于吸附并保持沉积物附着。图2所示,喷砂加工石英表面的剖视图。然而由于光伏行业生产所用石英产品形状复杂,在喷砂过程中,有些表面因砂粒无法直接接触到,故喷砂的力度、风速和距离都难以控制,且由于石英产品内壁面与刚开始的丘陵状并不一致,造成喷砂表面的丘陵状不均匀,且丘陵状尖峰过于尖锐,使得沉积层于尖峰处容易断裂剥离,因而形成微粒,影响硅片良率。已知石英制品表面改性亦有化学加工之处理方式,如图3所示已知以化学加工石英表面之剖视图,化学加工对石英表面进行蚀刻,酸性化学溶液由氢氟酸、氟化铵、乙酸按一定比例混合而成,使石英表面丘陵状而可用于吸附并保持沉积物附着。然而,由于石英产品内壁面与刚开始之丘陵状不一致,造成化学蚀刻后的表面的丘陵状不均匀,且部分丘陵状处过于平滑,使得沉积层于平滑处容易剥离,影响硅片良率。已知光伏行业LPCVD工艺中,通常需要在同一个LPCVD炉中所有硅片表面薄膜生长的厚度与质量尽可能要保持一致,即要求LPCVD炉中,各个硅片表面的处理气体均匀分布,然后若放置于LPCVD炉中的硅片较多时,相对的LPCVD炉中处理气体的进气管长度需较长,使得处理气体进入LPCVD炉中的流量很难保持一致,因此造成石英舟上不同位置的硅片其表面的处理气体分布不均匀,使得硅片间成膜厚度不一致,普遍来说,于石英舟顶部及底部之硅片,其成膜厚度比中间层硅片厚的现象。所以本专利技术人观察到上述缺点后,认为需要提升石英表面与沉积层之结合强度,并提高硅片间成膜厚度之均匀性,而产生本专利技术。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,可提升石英制品表面与沉积层结合强度,并增加其表面积,进而提升硅片良率,且可达到提高硅片间成膜厚度均匀性。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案。一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,包括下列步骤。步骤1、火抛光:将LPCVD工艺用石英制品进行火抛光,使其表面状态一致。步骤2、退火:将上述石英制品放入退火炉内升温至1050-1125度保持40-50分钟后,逐渐冷却至室温,以消除该石英制品的内应力,使石英制品不会自然破裂。步骤3、遮蔽:利用遮蔽物将石英制品非反应面全部遮蔽。步骤4、喷砂:对该石英制品进行喷砂,使石英制品表面未遮蔽部分形成丘陵状表面,该丘陵状表面具有数个尖锐之尖峰。步骤5、去除遮蔽物:将遮盖于石英制品表面的遮蔽物去除。步骤6、第一次清洗:将上述石英制品用清洁剂进行清洗,使得丘陵状表面较脆弱部分先通过清洗去除,同时可去除该石英制品表面微粒部分。步骤7、配制酸性化学溶液。步骤8、化学蚀刻:向石英制品的表面供给酸性化学溶液进行化学蚀刻,使得丘陵状表面较为均匀平顺。步骤9、第二次清洗:将上述石英制品以纯水进行清洗。步骤10、对处理后的石英部件表面的粗糙度进行检测。进一步地,述步骤1中,LPCVD工艺用石英制品包括石英管、石英炉芯管、石英舟、石英炉门、石英托架等。进一步地,所述步骤2中,冷却温度为室温。进一步地,所述步骤3中,遮蔽物为胶带。进一步地,所述步骤6中,清洁剂为超声波清洗剂。进一步地,所述步骤6、9中,清洗时间为8-15分钟,超声波功率900,频率(khz)28。进一步地,所述步骤7中,酸性化学溶液由质量份数为1-10份的氢氟酸、5-25份的去离子水、25-35份的氟化铵、40-50份的甲酸及0.1-5份的柠檬酸组成。进一步地,所述步骤8中,酸性化学溶液可通过喷淋、完全沉淀或完全浸泡等方式对石英制品表面进行化学蚀刻,优选的采用喷淋方式。进一步地,所述步骤8中,化学蚀刻时间为10-120分钟,温度为20℃-45℃。通过调整化学刻蚀时间来控制石英制品表面Ra值来形成均匀的丘陵状表面。石英制品的表面平均Ra值调整在0.5-8.0μm。且丘陵状表面尖峰部分较为圆弧化,如图4为采用本专利技术制备的石英制品剖视图。与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于。(1)本专利技术先通过火抛光步骤使得石英制品表面状态一致,再通过喷砂使未遮蔽部分表面形成丘陵状表面,最后再通过化学蚀刻步骤使得丘陵状表面较为均匀平顺,借此使得该石英制品表面与沉积层紧密且稳固结合,减少工艺中微粒的产生,不仅没有喷砂方式形成之尖峰、裂缝的缺点,亦无已知化学方式形成之表面不均匀、部分表面过于平滑的缺点,而可增加该石英制品使用寿命,提升硅片良率。(2)由于丘陵状表面主要成型于该石英制品反应面,因此在形成薄膜的过程中,使得该表面可吸附较多的处理气体,因而使得石英制品上设置的硅片吸附的气体浓度较为一致,因而可提高硅片间成膜厚度均匀。附图说明图1为火抛光加工石英表面的剖视图。图2为喷砂加工石英表面的剖视图。图3为化学加工石英表面的剖视图。图4为通过本专利技术步骤形成石英表面的剖视图。具体实施方式以下对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形应视为本专利技术的保护范围。一种延长LPCVD工艺用石英制品表面使用寿命的加工方法,包括以下步骤。步骤1、火抛光:将LPCVD工艺用石英制品进行火抛光,使其表面状态一致。步骤2、退火:将上述石英制品放入退火炉内升温至1050-1125度保持40-50分钟后,逐渐冷却至室温本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,其特征在于,具体包括下列步骤:/n步骤1、火抛光:将LPCVD工艺用石英制品进行火抛光;/n步骤2、退火:将上述石英制品放入退火炉内升温至1050-1125度保持40-50分钟后,逐渐冷却至室温;/n步骤3、遮蔽:利用遮蔽物将石英制品非反应面全部遮蔽;/n步骤4、喷砂:对该石英制品进行喷砂;/n步骤5、去除遮蔽物:将遮盖于石英制品表面的遮蔽物去除;/n步骤6、第一次清洗:将上述石英制品用清洁剂进行清洗;/n步骤7、配制酸性化学溶液;/n步骤8、化学蚀刻:向石英制品的表面供给酸性化学溶液进行化学蚀刻;/n步骤9、第二次清洗:将上述石英制品以纯水进行清洗;/n步骤10、对处理后的石英部件表面的粗糙度进行检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,其特征在于,具体包括下列步骤:
步骤1、火抛光:将LPCVD工艺用石英制品进行火抛光;
步骤2、退火:将上述石英制品放入退火炉内升温至1050-1125度保持40-50分钟后,逐渐冷却至室温;
步骤3、遮蔽:利用遮蔽物将石英制品非反应面全部遮蔽;
步骤4、喷砂:对该石英制品进行喷砂;
步骤5、去除遮蔽物:将遮盖于石英制品表面的遮蔽物去除;
步骤6、第一次清洗:将上述石英制品用清洁剂进行清洗;
步骤7、配制酸性化学溶液;
步骤8、化学蚀刻:向石英制品的表面供给酸性化学溶液进行化学蚀刻;
步骤9、第二次清洗:将上述石英制品以纯水进行清洗;
步骤10、对处理后的石英部件表面的粗糙度进行检测。


2.如权利要求1所述的一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,其特征在于,所述步骤1中,LPCVD工艺用石英制品包括石英管、石英炉芯管、石英舟、石英炉门、石英托架等。


3.如权利要求1所述的一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,其特征在于,所述步骤2中,冷却温度为室温。


4.如权利要求1所述的一种延长LPCVD工艺用石英制品使用寿命的加工方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:步东浩
申请(专利权)人:沈阳偶得科技有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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