高频模块和通信装置制造方法及图纸

提供一种高频模块和通信装置，在同时接收多个通信频段的高频信号的情况下抑制接收灵敏度的劣化。高频模块(1)同时接收第一接收信号和第二接收信号。高频模块(1)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；接收低噪声放大器(21)，其形成于第一半导体IC(25)，放大第一接收信号；接收低噪声放大器(23)，其形成于与第一半导体IC(25)不同的第二半导体IC(26)，放大第二接收信号；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(91b)，其中，第一半导体IC(25)和第二半导体IC(26)中的至少一方配置于主面(91b)。

【技术实现步骤摘要】
高频模块和通信装置
本技术涉及一种高频模块和通信装置。
技术介绍
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。在专利文献1中公开了一种半导体模块，该半导体模块具有以下结构：在能够进行双面安装的布线基板的上表面安装滤波器，在下表面安装发送功率放大器和接收低噪声放大器。发送功率放大器和接收低噪声放大器分别由半导体芯片构成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-40602号公报
技术实现思路
技术要解决的问题然而，在专利文献1中公开的半导体模块中，在想要执行基于多个通信频段的同时接收的情况下，必须确保用于接收不同的通信频段的高频信号的接收路径之间的隔离度。当上述接收路径之间的隔离度下降时，产生各通信频段中的接收灵敏度下降这样的问题。本技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在同时接收多个通信频段的高频信号的情况下接收灵敏度的劣化得到抑制的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。用于解决问题的方案...

【技术保护点】
1.一种高频模块，同时接收第一接收信号和第二接收信号，所述高频模块的特征在于，具备：/n模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；/n第一接收低噪声放大器，其形成于第一半导体IC，放大所述第一接收信号；/n第二接收低噪声放大器，其形成于与所述第一半导体IC不同的第二半导体IC，放大所述第二接收信号；以及/n外部连接端子，其配置于所述第二主面，/n其中，所述第一半导体IC和所述第二半导体IC中的至少一方配置于所述第二主面。/n

【技术特征摘要】
20190920 JP 2019-1717281.一种高频模块，同时接收第一接收信号和第二接收信号，所述高频模块的特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一接收低噪声放大器，其形成于第一半导体IC，放大所述第一接收信号；
第二接收低噪声放大器，其形成于与所述第一半导体IC不同的第二半导体IC，放大所述第二接收信号；以及
外部连接端子，其配置于所述第二主面，
其中，所述第一半导体IC和所述第二半导体IC中的至少一方配置于所述第二主面。


2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述高频模块还具备第三接收低噪声放大器，所述第三接收低噪声放大器形成于所述第一半导体IC，放大第三接收信号，
所述高频模块不同时接收所述第一接收信号和所述第三接收信号。


3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第一半导体IC和所述第二半导体IC这两方配置于所述第二主面。


4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一半导体IC与所述第二半导体IC之间配置有具有地电位的所述外部连接端子。


5.根据权利要求4所述的高频模块，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠崎崇行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本;JP