Oring-FET关断电路及冗余并机电源系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种Oring‑FET关断电路及冗余并机电源系统，该电路连接在单个电源模块与输出总线之间，该电路包括：场效应晶体管、辅助关断电路、驱动电路；场效应晶体管的输入端与电源模块的输出端连接，场效应晶体管的输出端与输出总线连接，驱动电路经辅助关断电路与场效应晶体管的驱动端连接；电源模块正常工作时，驱动电路驱动所述场效应晶体管导通；电源模块短路失效时，驱动电路通过所述辅助关断电路提升驱动能力，快速控制场效应晶体管关断。本实用新型专利技术可以在电源模块短路失效，快速控制对应的场效应晶体管关断，避免影响到其它并机电源的正常输出，导致系统输出总线电压异常，提高了系统的供电可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
Oring-FET关断电路及冗余并机电源系统
本技术涉及冗余并机电源
，尤其涉及一种Oring-FET关断电路及冗余并机电源系统。
技术介绍
开关电源供应器作为高效率的直流电源一直广泛应用在各行业系统。开关电源的可靠性直接影响到系统整机的可靠性，为不断的提高系统的整机可靠性，多台电源并机使用的场景被系统应用端广泛采用，以降低单个电源失效给系统带来的风险最初，多台电源之间简单地通过二极管实现并联，这种方式应用简单，当某台电源失效时，二极管自然隔断，不影响其它电源的输出，几乎不需要额外控制器件。但是随着系统对电源输出功率的增大，二极管正向压降带的损耗以及发热问题就直接凸显出来，直接影响并限制电源整机的效率以及功率密度。随后，开始使用MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor-金属氧化物半导体场效应晶体管)来实现并机隔离(行业简称为Oring-FET)，MOSFET自身的正向导通阻抗RDSON可以做到很小，因此在输出大电流大功率的方面，相比较于隔离二极管的方案，损耗显著本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Oring-FET关断电路，其特征在于，所述电路连接在单个电源模块与输出总线之间，所述电路包括：场效应晶体管(10)、辅助关断电路(20)、驱动电路(30)；/n所述场效应晶体管(10)的输入端与所述电源模块的输出端连接，所述场效应晶体管(10)的输出端与输出总线连接，所述驱动电路(30)经所述辅助关断电路(20)与所述场效应晶体管(10)的驱动端连接；/n所述电源模块正常工作时，所述驱动电路(30)驱动所述场效应晶体管(10)导通；所述电源模块短路失效时，所述驱动电路(30)通过所述辅助关断电路(20)提升驱动能力，快速控制所述场效应晶体管(10)关断。/n

【技术特征摘要】
1.一种Oring-FET关断电路，其特征在于，所述电路连接在单个电源模块与输出总线之间，所述电路包括：场效应晶体管(10)、辅助关断电路(20)、驱动电路(30)；
所述场效应晶体管(10)的输入端与所述电源模块的输出端连接，所述场效应晶体管(10)的输出端与输出总线连接，所述驱动电路(30)经所述辅助关断电路(20)与所述场效应晶体管(10)的驱动端连接；
所述电源模块正常工作时，所述驱动电路(30)驱动所述场效应晶体管(10)导通；所述电源模块短路失效时，所述驱动电路(30)通过所述辅助关断电路(20)提升驱动能力，快速控制所述场效应晶体管(10)关断。


2.根据权利要求1所述的Oring-FET关断电路，其特征在于，所述场效应晶体管(10)为NMOS场效应晶体管，所述NMOS场效应晶体管的源极与电源模块的输出连接，所述NMOS场效应晶体管的漏极与所述输出总线连接，所述NMOS场效应晶体管的栅极与所述辅助关断电路(20)连接。


3.根据权利要求2所述的Oring-FET关断电路，其特征在于，所述辅助关断电路(20)包括：PNP三极管Q208、二极管D214、电阻R247；
所述电阻R247的第一端与所述NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述电阻R247的第二端与所述二极管D214的阴极连接，所述二极管D214的阳极与所述驱动电路(30)连接，所述PNP三极管Q208的集电极与所述NMOS场效应晶体管的源极连接，所述PNP三极管Q208的发射极连接至所述电阻R247的第二端与所述二极管D214的阴极连接点。


4.根据权利要求3所述的Oring-FET关断电路，其特征在于，所述驱动电路(30)包括：电阻R206、电阻R207、二极管D211、三极管Q209；所述三极管Q209包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁开发，李秀楼，王越天，
申请(专利权)人：深圳欧陆通电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44