一种发光二极管芯片、背板、显示面板制造技术

本实用新型专利技术提出一种发光二极管芯片及其应用的背板、显示面板，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；电流扩展层，位于所述第二半导体层上；凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触。本实用新型专利技术提出的发光二极管芯片可以提高发光二极管芯片的发光稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片、背板、显示面板
本技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其应用的背板、显示面板。
技术介绍
LED因具有色纯度高、响应速度快、体积小、可靠性好、寿命长、环保等优点，无疑成为最受重视的光源技术，随着技术的发展，高像素屏要求越显突出，对尺寸芯片提出更高要求的。根据TrendForce发布的2018年科技产业发展趋势中指出，由于MiniLED技术可搭配软性基板，达成高曲面背光的形式，将有机会使用在手机、电视、车载面板等多种应用上。现有水平结构LED生产工艺来制备MiniLED，就会导致MiniLED结构的亮度低，能耗高和散热性能差，进而导致影响发光二极管的性能和热稳定性。另外，现有水平结构LED生产工艺步骤多，产出效率低，制备工艺复杂，这些都将导致目前MiniLED的良率偏低和成本偏高，限制着其大规模量产，因此，芯片本身的设计及制备工艺在MiniLED尺寸上亦需要更多的优化。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种发光二极管芯片及其应用的背板、显示面板，该发光二极管芯片可以提高生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；/n电流扩展层，位于所述第二半导体层上；/n凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；/n绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；/n第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；/n第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触；/n其中，所述第一电极凸出于所述凹槽，且所述第一电极顶部的宽度大于所述凹槽顶部的宽度；/n其中，...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；
电流扩展层，位于所述第二半导体层上；
凹槽，位于所述衬底上，暴露出所述第一半导体层；
绝缘层，位于所述电流扩展层上，所述绝缘层包括一开口，所述开口位于所述凹槽的一侧，所述开口暴露出所述电流扩展层，所述开口的宽度大于所述凹槽的顶部的宽度；
第一电极，位于所述凹槽内，所述第一电极与所述第一半导体层接触；
第二电极，位于所述开口内，所述第二电极与所述电流扩展层接触；
其中，所述第一电极凸出于所述凹槽，且所述第一电极顶部的宽度大于所述凹槽顶部的宽度；
其中，所述凹槽的顶部的宽度大于所述凹槽的底部的宽度。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层位于所述发光层上。


3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述第二半导体层包括P型半导体层。


4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘层还位于所述凹槽的侧壁上。


5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度在3-4μm之间。


6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二半导体层的厚度在2-10μm之间。


7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩展层的厚度在8-10μm之间。


8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括MicroLED或MiniLED。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李小丁，
申请(专利权)人：深圳市辰中科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44