一种MOS驱动保护反馈电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS驱动保护反馈电路，包括单片机反馈电路、驱动模块A、驱动模块B、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯，本实用新型专利技术通过驱动模块A、驱动模块B来驱动负载RL和充电器P，因此本实用新型专利技术是两路驱动电路，当其中一路驱动电路中的MOS管击穿后，另一路的驱动电路能够继续工作，且电路不会被烧坏，并不会引起燃烧事故，在继续工作的前提下并有充足的时间向单片机反馈，并通过告警系统告警。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS驱动保护反馈电路
本技术涉及一种MOS驱动保护反馈电路。
技术介绍
随着社会的进步和发展，仓储、家庭、出行等方面的智能化，可移动的消费类电子产品的多元化，电池作为清洁能源的提供者，使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐，成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中，电池作为能源的输出端，通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储测等测试项目，考量电芯的性能是否符合使用条件，提高应用中的安全、运行系数，在长期的使用过程当中，帮助电池降低使用过程中故障率，为用户在使用过程中，提供更为安心的服务，提高用户认可度，成为一项非常有意义的研究课题。现有的方案如图1所示,MOS驱动电压为一路，当某种异常导致最薄弱的MOS管Q42的D极与S极之间或G极与S极之间击穿后，将拉低所有MOS管GS驱动，正常的MOS管无法开启，击穿的MOS无法关闭，导致急剧发热，发生烧PCB等安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种MOS驱动保护反馈电路。为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：一种MOS驱动保护反馈电路，包括单片机反馈电路、驱动模块A、驱动模块B、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯，所述驱动模块A包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32，所述驱动模块B包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33，所述单片机反馈电路连接电芯的负极，所述单片机反馈电路连接电源VCC，所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路，所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极，所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极，所述三极管Q41的集电极连接地信号GND，所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND，所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极，所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极，所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压，所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压，所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极，所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极，所述三极管Q45的集电极连接地信号GND，所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND，所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极，所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压，所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压，所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端，所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端，所述开关SW1的一端通过开关SW2连接充电器P的一端，所述负载RL的另一端、充电器P的另一端都连接电芯的正极。作为优选，单片机反馈电路包括单片机、告警系统、电阻R56、电阻R57、电阻R1、电阻RS、三极管Q17、二极管D23、二极管D24、二极管D26、二极管D27，所述三极管Q17的发射极通过电阻R56连接电源VCC，所述三极管Q17的发射极、告警系统都连接单片机，所述三极管Q17的集电极连接地信号GND，所述电源VCC通过电阻R57连接三极管Q17的基极，所述电阻R1的一端连接地信号GND，所述电阻R1的另一端连接电阻RS的一端，所述电阻R1的另一端还连接电芯的负极，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接电阻RS的另一端，所述三极管Q17的集电极通过二极管D26连接二极管D27的正极，所述二极管D27的正极连接二极管D24的正极，所述二极管D27的负极连接二极管D23的正极，所述二极管D23的负极连接MOS管Q36的G极，所述二极管D24的负极连接MOS管Q43的G极。作为优选，三极管Q17为PNP三极管。作为优选，MOS管Q36、MOS管Q43都为N沟道MOS管。作为优选，三极管Q41、三极管Q45都为PNP三极管，所述三极管Q35、三极管Q44都为NPN三极管。作为优选，电源VCC为3.3V或5V。本技术的有益效果如下：本技术通过驱动模块A、驱动模块B来驱动负载RL和充电器P，因此本技术是两路驱动电路，当其中一路驱动电路中的MOS管击穿后，另一路的驱动电路能够继续工作，且电路不会被烧坏，并不会引起燃烧事故，在继续工作的前提下并有充足的时间向单片机反馈，并通过告警系统告警。附图说明图1为
技术介绍
中的电路图；图2为本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明：如图2所示，一种MOS驱动保护反馈电路，包括单片机反馈电路1、驱动模块A2、驱动模块B3、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯4，所述驱动模块A2包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32，所述驱动模块B3包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33，所述单片机反馈电路1连接电芯4的负极，所述单片机反馈电路1连接电源VCC，所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路1，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路1，所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极，所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极，所述三极管Q41的集电极连接地信号GND，所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND，所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极，所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极，所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压，所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压，所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极，所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极，所述三极管Q45的集电极连接地信号GND，所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND，所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极，所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压，所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压，所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端，所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端，所述开关SW1的一端通过开关SW2连接充电器P的一端，所述负载RL的另一端、充电器P的另一端都连接电芯4的正极。如图2所示，单片机反馈电路1包括单片机11、告警系统12、电阻R56、电阻R57、电阻R1、电阻RS、三极管Q17、二极管D23、二极管D24、二极管D26、二极管D27，所述三极管Q17的发射极通过电阻R56连接电源VCC，所述三极管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，包括单片机反馈电路(1)、驱动模块A(2)、驱动模块B(3)、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯(4)，所述驱动模块A(2)包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32，所述驱动模块B(3)包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33，所述单片机反馈电路(1)连接电芯(4)的负极，所述单片机反馈电路(1)连接电源VCC，所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路(1)，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路(1)，所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极，所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极，所述三极管Q41的集电极连接地信号GND，所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND，所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极，所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极，所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压，所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压，所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极，所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极，所述三极管Q45的集电极连接地信号GND，所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND，所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极，所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压，所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压，所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端，所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端，所述开关SW1的一端通过开关SW2连接充电器P的一端，所述负载RL的另一端、充电器P的另一端都连接电芯(4)的正极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，包括单片机反馈电路(1)、驱动模块A(2)、驱动模块B(3)、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯(4)，所述驱动模块A(2)包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32，所述驱动模块B(3)包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33，所述单片机反馈电路(1)连接电芯(4)的负极，所述单片机反馈电路(1)连接电源VCC，所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路(1)，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路(1)，所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极，所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极，所述三极管Q41的集电极连接地信号GND，所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND，所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极，所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极，所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压，所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压，所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极，所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极，所述三极管Q45的集电极连接地信号GND，所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND，所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极，所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压，所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压，所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端，所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端，所述开关SW1的一端通过开...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35