电转换器系统及其制造方法技术方案

本发明专利技术公开一种电转换器系统及其制造方法，涉及用于功率转换的并联的功率切换器件。本发明专利技术实施例提供一种电转换器系统，包括：一印刷电路板，至少包括第一层以及第二层；一切换节点，设置在第二层上；一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一第四晶体管，设置在所述第一层上；从所述第一晶体管的一源极通过所述切换节点到所述第四晶体管的一漏极的一个第一传导路径，所述第一传导路径具有第一长度；以及从所述第一晶体管的一源极通过所述切换节点到所述第二晶体管的一漏极的一个第二传导路径，所述第二传导路径具有第二长度，其中所述第一传导路径的所述第一长度大于所述第二传导路径的所述第二长度。

【技术实现步骤摘要】
电转换器系统及其制造方法相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119主张于2020年1月31日提交的印度专利申请第202011004303号的权益，出于所有目的，通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术的实施例总体上涉及功率转换，更具体地，涉及多种用于功率转换的并联的功率切换器件。
技术介绍
众所周知，使用例如不间断电源(uninterruptiblepowersupplies,UPS)之类的电源装置来为例如计算机系统以及其他数据处理系统之类的敏感及/或关键负载提供调节的、不间断的电源。UPS通常包括各种类型的功率转换器(powerconverter)，用于将交流电转换为直流电，将直流电转换为交流电，以及将直流电从一种电压电平转换为另一种电压电平。这些各种功率转换器可以包括利用各种类型的切换器件(switchingdevices)的功率切换电路，例如场效应晶体管(FieldEffectTransistors,FETs)、高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistors,HEMTs)、双本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电转换器系统，其特征在于，所述电转换器系统包含：/n一印刷电路板，至少包括一第一层及一第二层；/n一切换节点，设置在所述第二层上；/n一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一第四晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管设置在所述第一层上，所述第一晶体管以及所述第三晶体管均具有耦合至所述切换节点的一源极，并且所述第二晶体管以及所述第四晶体管均具有耦合至所述切换节点的一漏极；/n从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第四晶体管的所述漏极的一个第一传导路径，所述第一传导路径具有一第一长度；以及/n从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述...

【技术特征摘要】
20200131 IN 2020110043031.一种电转换器系统，其特征在于，所述电转换器系统包含：
一印刷电路板，至少包括一第一层及一第二层；
一切换节点，设置在所述第二层上；
一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一第四晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管设置在所述第一层上，所述第一晶体管以及所述第三晶体管均具有耦合至所述切换节点的一源极，并且所述第二晶体管以及所述第四晶体管均具有耦合至所述切换节点的一漏极；
从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第四晶体管的所述漏极的一个第一传导路径，所述第一传导路径具有一第一长度；以及
从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第二晶体管的所述漏极的一个第二传导路径，所述第二传导路径具有一第二长度，其中所述第一传导路径的所述第一长度大于所述第二传导路径的所述第二长度。


2.如权利要求1所述的电转换器系统，其特征在于：所述电转换器系统还包含：从所述第三晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第二晶体管的所述漏极的一个第三传导路径，所述第三传导路径具有一第三长度；以及
从所述第三晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第四晶体管的所述漏极的一个第四传导路径，所述第四传导路径具有一第四长度，其中所述第三传导路径的所述第三长度大于所述第四传导路径的所述第四长度。


3.如权利要求2所述的电转换器系统，其特征在于：多个所述晶体管对称地放置在所述第一层上，使得所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的一第一距离与所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的一第二距离基本上相同，并且所述第一晶体管与所述第三晶体管之间的一第三距离与所述第二晶体管与所述第四晶体管之间的一第四距离基本上相同。


4.如权利要求3所述的电转换器系统，其特征在于：所述第一传导路径的所述第一长度与所述第三传导路径的所述第三长度基本上相同，并且所述第二传导路径的所述第二长度与所述第四传导路径的所述第四长度基本上相同。


5.如权利要求4所述的电转换器系统，其特征在于：所述电转换器系统还包含：多个栅极驱动输出以及多个栅极驱动传导路径，所述多个栅极驱动传导路径位在所述多个栅极驱动输出与所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极以及所述第四晶体管的栅极之间，其中所述多个栅极驱动传导路径中的每一个具有基本上相同的长度。


6.如权利要求1所述的电转换器系统，其特征在于：所述电转换器系统还包含：一正极总线及一负极总线，所述正极总线及所述负极总线设置在所述第一层上，其中所述第一晶体管的一漏极及所述第三晶体管的一漏极耦合至所述正极总线，以及所述第二晶体管的一源极及所述第四晶体管的一源极耦合至所述负极总线。


7.如权利要求6所述的电转换器系统，其特征在于：所述电转换器系统还包含：多个去耦电容器，耦合在所述正极总线与所述负极总线之间，并且设置在多个所述晶体管之间以及所述切换节点的上方的所述第一层上。


8.如权利要求1所述的电转换器系统，其特征在于：每一个所述晶体管是氮化镓(GaN)功率晶体管。


9.如权利要求8所述的电转换器系统，其特征在于：所述氮化镓功率晶体管设置在一通孔器件封装以及一表面安装器件封装之一中。


10.一种电转换器系统，其特征在于，所述电转换器系统包含：
一印刷电路板，至少包括一第一层及一第二层；
一切换节点，设置在所述第二层上；
一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管及一第四晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管设置在所述第一层上，所述第一晶体管以及所述第三晶体管均具有耦合至所述切换节点的一源极，并且所述第二晶体管以及所述第四晶体管均具有耦合至所述切换节点的一漏极；
从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第四晶体管的所述漏极的一个第一传导路径，所述第一传导路径具有一第一电感；以及
从所述第一晶体管的所述源极通过所述切换节点到所述第二晶体管的所述漏极的一个第二传导路径，所述第二传导路径具有一第二电感，
其中所述第一传导路径的所述第一电感大于所述第二传导路径的所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：因德拉·普拉卡，罗杰·弗朗奇诺，达米尔·克里基克，
申请(专利权)人：施耐德电气IT公司，
类型：发明
国别省市：美国;US