抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法技术

本发明专利技术公开一种抗蚀剂底层组合物，包含含由化学式1表示的结构单元的聚合物和溶剂，以及一种使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。在化学式1中，每一个取代基与详细描述中所定义的相同。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法相关申请案的交叉引用本申请案主张2020年1月31日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2020-0011629号的优先权和权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种抗蚀剂底层组合物和一种使用所述组合物形成图案的方法。
技术介绍
最近，半导体行业已研发出具有几纳米大小到几十纳米大小的图案的超精细技术。这种超精细技术本质上需要有效的光刻技术。在光刻胶图案的形成期间进行曝光是获得具有高分辨率的光刻胶图像的重要因素中的一个因素。通过使用激活辐射进行光刻胶的曝光，激活的辐射通常被反射且因此限制在光刻胶层中图案化的图像的分辨率，且特定来说，当辐射在衬底和光刻胶层之间的界面上或在层间硬掩模上反射时，激活的辐射散射到光刻胶区中，光刻胶线宽可能变得不均匀且可能遮挡图案形式。另外，光刻胶底层组合物应吸收反射的辐射，且同时具有对光刻胶的高刻蚀选择性，并在热固化之后的后续工艺中需要针对溶剂的耐化学性和对光刻胶的优异粘附性来帮助图案化光刻胶。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂底层组合物，包括：/n包含由化学式1表示的结构单元的聚合物；以及/n溶剂：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20200131 KR 10-2020-00116291.一种抗蚀剂底层组合物，包括：
包含由化学式1表示的结构单元的聚合物；以及
溶剂：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
L1、L2以及L3独立地为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、经取代或未经取代的C1到C10亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C20亚芳基、经取代或未经取代的C1到C10亚杂芳基、羰基、酯基或其组合，
R为氢、氘、卤素、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C1到C10杂烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂烯基、经取代或未经取代的C3到C20杂环烷基或经取代或未经取代的C6到C20杂芳基，
X1和X2独立地为卤素、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C1到C10杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C3到C20杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基或经取代或未经取代的C6到C20杂芳基，前提是X1和X2中的至少一个选自卤素，
k为1到10的整数，以及
*为键联点。


2.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中L1、L2以及L3独立地为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、经取代或未经取代的C1到C10亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、羰基、酯基或其组合。


3.根据权利要求2所述的抗蚀剂底层组合物，其中L1、L2以及L3中的至少一个为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、经取代或未经取代的C1到C10亚杂烷基、羰基或其组合。


4.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中
X1和X2中的一个选自卤素，且
另一个为经卤素取代的C1到C10烷基、经卤素取代的C1到C10杂烷基、经卤素取代的C3到C20环烷基或经卤素取代的C3到C20杂环烷基。


5.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中由化学式1表示的所述结构单元包括由化学式2表示的结构单元：
[化学式2]



其中，在化学式2中，
L11和L13独立地为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、经取代或未经取代的C1到C10亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、羰...

【专利技术属性】
技术研发人员：白载烈，权纯亨，金旼秀，朴贤，裵信孝，宋大锡，崔有廷，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR