基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液并按比例均匀混合形成混合溶液；将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面；在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热，使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层；干燥处理石墨烯自组装层得到石墨烯自组装薄膜。本发明专利技术在氧化石墨烯还原的化学反应过程中，将基膜设于气液界面处，通过小孔诱导自组装形成石墨烯薄膜，不受过滤和LB膜提拉的限制，不需要分两步完成，在一个步骤就能完成石墨烯薄膜的制备，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】
基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法
本专利技术涉及石墨烯材料
，具体涉及一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法。
技术介绍
石墨烯薄膜是一种新型材料，具有高导电性、高导热性和超柔性，但石墨烯薄膜的制备不易，故有大量的研究集中于石墨烯薄膜制备方法。目前，在石墨烯薄膜的制备方法方面，存在以下问题：(1)通过过滤石墨烯分散液制备石墨烯薄膜，无法制备大面积的石墨烯薄膜。(2)采用气液界面自组装法制备石墨烯薄膜，需要先制备氧化石墨烯薄膜，再将氧化石墨烯薄膜还原，过程较为繁琐，应用局限性较大。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术提出一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，利用氧化石墨烯还原的化学反应过程，借助滤膜通过小孔诱导还原后的氧化石墨烯自组装制备石墨烯薄膜。本专利技术采用的技术方案如下：第一方面，提供了一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，包括以下步骤：制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；/n将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液；/n将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面；/n在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热，使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层；/n对石墨烯自组装层进行干燥处理，得到石墨烯自组装薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；
将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液；
将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面；
在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热，使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层；
对石墨烯自组装层进行干燥处理，得到石墨烯自组装薄膜。


2.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述基膜包括有机膜、无机膜或小孔滤网。


3.根据权利要求2所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述有机膜为聚四氟乙烯有机固膜，所述无机膜为Al2O3无机膜，所述小孔滤网为金属滤网。


4.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述通孔的孔径小于或等于5毫米。


5.根据权利要求1所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述还原剂溶液为抗坏血酸溶液或硼氢化钠溶液。


6.根据权利要求5所述的基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组...

【专利技术属性】
技术研发人员：向旭，刘昱维，徐志康，
申请(专利权)人：重庆交通大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50