半导体结构制造技术

本公开涉及半导体结构。通过疏水材料与亲水材料形成密封材的限制区，解决了密封材不易控制的问题，改善了产品的性能，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本公开涉及半导体
，具体涉及半导体结构。
技术介绍
随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，整体封装尺寸也越来越小，其中微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)为半导体与精密机械之整合，通过微传感器与微制动器与外界环境进行沟通连结，进而连动其他机制行为。现在，MEMS封装结构已具高强度、高性能且价格低的优势，是未来重点。传统MEMS扬声器封装结构通常在基板端或者MEMS端设计密封环(sealring)，以避免声波经过反射后干涉同相音波(即反相音波干涉同相音波)。然而由于sealring与连接MEMS及基板之间的焊接材料(soldermaterial)由不同制程制作，制程较复杂，加上若基板相对MEMS之间有翘曲(warpage)问题，密封环则不易于基板及MEMS之间形成密封，甚至因为流动不易控制的关系盖住音孔，进而影响MEMS扬声器封装结构的性能。
技术实现思路
本公开提供了半导体结构。第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n第一电子元件，所述第一电子元件的下表面具有第一限制区域；/n第二电子元件，所述第二电子元件的上表面具有第二限制区域；/n密封材，设于所述第一限制区域与所述第二限制区域之间；/n所述第一限制区域、所述第二限制区域以及所述密封材具有相同的材料表面特性。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
第一电子元件，所述第一电子元件的下表面具有第一限制区域；
第二电子元件，所述第二电子元件的上表面具有第二限制区域；
密封材，设于所述第一限制区域与所述第二限制区域之间；
所述第一限制区域、所述第二限制区域以及所述密封材具有相同的材料表面特性。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二电子元件的上表面具有围绕所述第二限制区域的第三限制区域，所述第三限制区域与所述第一限制区域具有不同的材料表面特性。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一限制区域、所述第二限制区域以及所述密封材具有相同的材料表面特性，包括：
所述第一限制区域、所述第二限制区域以及所述密封材具有亲水性。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第三限制区域具有疏水性。


5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昶麟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71