一种动态偏置电压基准LED电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种动态偏置电压基准LED电源，包括启动电路，动态偏置电路，基准LED电源电路，分压电阻模块和LED负载，所述启动电路由晶体管MP1‑MP2、电阻R1‑R2和三极管N1‑N2组成，当电路上电时，通过三极管与晶体管的相互作用使电路摆脱偏置点，通过基准LED电源电路，以基准源的电压为参考，控制输出电压值，电路得以启动并且稳定工作。本实用新型专利技术动态偏置电压基准LED电源使用动态偏置，降低了电源电压对电压基准源的影响，而且减小了电路的复杂程度，芯片所占的面积也相应的减少，基准LED电源的电源稳定性提高，电源抑制比性能提高。

【技术实现步骤摘要】
一种动态偏置电压基准LED电源
本技术涉及电源
，具体是一种动态偏置电压基准LED电源。
技术介绍
随着科技的发展，集成电路也日益多样化，为了使集成电路更好的运行，基准电压源是不可缺少的一部分，它具有很高的电源抑制比和低温系数，它为稳压电路、A/D和D/A转换器提高基准电压，电路功能的实现与性能的优劣大多取决于基准电源的稳定程度，目前，市面上的基准电压源大多对电源的抑制比不是很好，过多的放大器虽然降低了电源电压对基准电压的影响，但同时增加了成本与复杂程度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种动态偏置电压基准LED电源，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种动态偏置电压基准LED电源，包括启动电路，动态偏置电路，基准LED电源电路，分压电阻模块和LED负载，所述启动电路由晶体管MP1-MP2、电阻R1-R2和三极管N1-N2组成，当电路上电时，通过三极管与晶体管的相互作用使电路摆脱偏置点，通过基准LED电源电路，以基准源的电压为参考，控制输出电压值，电路得以启动并且稳定工作。作为本技术的进一步技术方案：所述晶体管MP1的发射极连接电源VCC、电阻R4、电阻R5和三极管N7的集电极，晶体管MP1的基极连接晶体管MP1的集电极和晶体管MP2的发射极，晶体管MP2的基极连接晶体管MP2的集电极并通过电阻R1连接电阻R2、三极管N2的基极和三极管N1的基极，电阻R2的另一端连接三极管N1的集电极，三极管N1的发射极连接地端GND、电阻R3、电阻R6、电容C1、电阻R8、电阻R10、电容C2和二极管Ln的阴极，三极管N2的集电极连接晶体管MN1的集电极、三极管P1的集电极、三极管P1的基极和三极管P2的基极，三极管P1的发射极连接电阻R4的另一端，三极管P5的发射极连接电阻R5的另一端，三极管N2的发射极连接晶体管MN1的发射极和电阻R3的另一端，晶体管MN1的基极连接三极管N5的集电极和晶体管MP3的集电极，三极管P2的集电极连接三极管P7的基极、三极管N4的基极和三极管N4的集电极，三极管N4的发射极连接电阻R6的另一端和电容C1的另一端，三极管N7的发射极连接晶体管MP3的发射极、晶体管MP4的发射极、电阻R9、电容C2的另一端和电阻R11，电阻R11的另一端通过二极管L1的阳极连接二极管L2的阳极，二极管L2的阴极与多个二极管依次同向串联并最终连接二极管Ln的阳极，晶体管MP3的基极连接晶体管MP4的基极、三极管N6的集电极和晶体管MP4的集电极，晶体管MP3的集电极连接晶体管MN1的集电极和三极管N5的集电极，三极管N6的基极通过电阻R12连接三极管N5的基极、电阻R9的另一端和电阻R10的另一端，三极管N6的发射极通过电阻R7连接电阻R8的另一端和三极管N5的发射极。作为本技术的进一步技术方案：所述动态配置电路由三极管P1-P2、三极管N4-N5、晶体管MN1和电阻R3-R6组成。作为本技术的进一步技术方案：所述基准LED电源电路由晶体管MP3-MP4、三极管N5-N7、电阻R8和电阻R12组成。作为本技术的进一步技术方案：所述分压电阻模块由电阻R9和电阻R10组成。作为本技术的进一步技术方案：所述二极管L1-Ln为LED灯。作为本技术的进一步技术方案：所述晶体管MP1-MP4为PMOS晶体管，晶体管MN1为NMOS晶体管。作为本技术的进一步技术方案：所述三极管N1-N6为NPN型三极管,三极管P1-P2为PNP型三极管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术动态偏置电压基准LED电源使用动态偏置，降低了电源电压对电压基准源的影响，而且减小了电路的复杂程度，芯片所占的面积也相应的减少，基准LED电源的电源稳定性提高，电源抑制比性能提高。附图说明图1为本技术的原理方框示意图。图2为本技术的电路图。图3为传统基准电路的架构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1：请参阅图1，一种动态偏置电压基准LED电源，包括启动电路，动态偏置电路，基准LED电源电路，分压电阻模块和LED负载，所述启动电路由晶体管MP1-MP2、电阻R1-R2和三极管N1-N2组成，当电路上电时，通过三极管与晶体管的相互作用使电路摆脱偏置点，通过基准LED电源电路，以基准源的电压为参考，控制输出电压值，电路得以启动并且稳定工作。实施例2：在实施例1的基础上，请参阅图2-3，晶体管MP1的发射极连接电源VCC、电阻R4、电阻R5和三极管N7的集电极，晶体管MP1的基极连接晶体管MP1的集电极和晶体管MP2的发射极，晶体管MP2的基极连接晶体管MP2的集电极并通过电阻R1连接电阻R2、三极管N2的基极和三极管N1的基极，电阻R2的另一端连接三极管N1的集电极，三极管N1的发射极连接地端GND、电阻R3、电阻R6、电容C1、电阻R8、电阻R10、电容C2和二极管Ln的阴极，三极管N2的集电极连接晶体管MN1的集电极、三极管P1的集电极、三极管P1的基极和三极管P2的基极，三极管P1的发射极连接电阻R4的另一端，三极管P5的发射极连接电阻R5的另一端，三极管N2的发射极连接晶体管MN1的发射极和电阻R3的另一端，晶体管MN1的基极连接三极管N5的集电极和晶体管MP3的集电极，三极管P2的集电极连接三极管P7的基极、三极管N4的基极和三极管N4的集电极，三极管N4的发射极连接电阻R6的另一端和电容C1的另一端，三极管N7的发射极连接晶体管MP3的发射极、晶体管MP4的发射极、电阻R9、电容C2的另一端和电阻R11，电阻R11的另一端通过二极管L1的阳极连接二极管L2的阳极，二极管L2的阴极与多个二极管依次同向串联并最终连接二极管Ln的阳极，晶体管MP3的基极连接晶体管MP4的基极、三极管N6的集电极和晶体管MP4的集电极，晶体管MP3的集电极连接晶体管MN1的集电极和三极管N5的集电极，三极管N6的基极通过电阻R12连接三极管N5的基极、电阻R9的另一端和电阻R10的另一端，三极管N6的发射极通过电阻R7连接电阻R8的另一端和三极管N5的发射极。本技术的工作原理是：当电路上电后，因为启动电路的存在，使得电路可以通过动态偏置电路摆脱偏置点，电源VCC的电压开始上升时，晶体管MP1、MP2放大，三极管N2导通使三极管P1有电流通过，P2镜像，随着电压的上升，三极管N3导通，电阻R3的压降增大，使三极管N2的发射极升的过高而截止，基准LED电源电路中的反馈回路提高动态偏置电路内的负反馈回路的反馈系数，实现高的电源抑制比性能，整个过程输出得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态偏置电压基准LED电源，其特征在于，包括启动电路，动态偏置电路，基准LED电源电路，分压电阻模块和LED负载，所述启动电路含有晶体管MP1-MP2，晶体管MP1的发射极连接电源VCC、电阻R4、电阻R5和三极管N5的集电极，晶体管MP1的基极连接晶体管MP1的集电极和晶体管MP2的发射极，晶体管MP2的基极连接晶体管MP2的集电极并通过电阻R1连接电阻R2、三极管N2的基极和三极管N1的基极，电阻R2的另一端连接三极管N1的集电极，三极管N1的发射极连接地端GND、电阻R3、电阻R6、电容C1、电阻R8、电阻R10、电容C2和二极管Ln的阴极，三极管N2的集电极连接晶体管MN1的集电极、三极管P1的集电极、三极管P1的基极和三极管P2的基极，三极管P1的发射极连接电阻R4的另一端，三极管P2的发射极连接电阻R5的另一端，三极管N2的发射极连接晶体管MN1的发射极和电阻R3的另一端，三极管P2的集电极连接三极管N5的基极、三极管N4的基极和三极管N4的集电极，三极管N4的发射极连接电阻R6的另一端和电容C1的另一端，三极管N5的发射极连接晶体管MP3的发射极、晶体管MP4的发射极、电阻R9、电容C2的另一端和电阻R11，电阻R11的另一端通过二极管L1的阳极连接二极管L2的阳极，二极管L2的阴极与多个二极管依次同向串联并最终连接二极管Ln的阳极，晶体管MP3的基极连接晶体管MP4的基极、三极管N6的集电极和晶体管MP4的集电极，晶体管MP3的集电极连接晶体管MN1的基极和三极管N7的集电极，三极管N6的基极通过电阻R12连接三极管N7的基极、电阻R9的另一端和电阻R10的另一端，三极管N6的发射极通过电阻R7连接电阻R8的另一端和三极管N7的发射极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种动态偏置电压基准LED电源，其特征在于，包括启动电路，动态偏置电路，基准LED电源电路，分压电阻模块和LED负载，所述启动电路含有晶体管MP1-MP2，晶体管MP1的发射极连接电源VCC、电阻R4、电阻R5和三极管N5的集电极，晶体管MP1的基极连接晶体管MP1的集电极和晶体管MP2的发射极，晶体管MP2的基极连接晶体管MP2的集电极并通过电阻R1连接电阻R2、三极管N2的基极和三极管N1的基极，电阻R2的另一端连接三极管N1的集电极，三极管N1的发射极连接地端GND、电阻R3、电阻R6、电容C1、电阻R8、电阻R10、电容C2和二极管Ln的阴极，三极管N2的集电极连接晶体管MN1的集电极、三极管P1的集电极、三极管P1的基极和三极管P2的基极，三极管P1的发射极连接电阻R4的另一端，三极管P2的发射极连接电阻R5的另一端，三极管N2的发射极连接晶体管MN1的发射极和电阻R3的另一端，三极管P2的集电极连接三极管N5的基极、三极管N4的基极和三极管N4的集电极，三极管N4的发射极连接电阻R6的另一端和电容C1的另一端，三极管N5的发射极连接晶体管MP3的发射极、晶体管MP4的发射极、电阻R9、电容C2的另一端和电阻R11，电阻R11的另一端通过二极管L1的阳极连接二极管L2的阳极，二极管L2的阴极与多个二极管依次同向串联并最终连接二极管Ln的阳极，晶体管MP3的基极连接晶体管MP4的基极、三极管N6的集电极和晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：金小秀，向健慧，李建华，
申请(专利权)人：深圳市双向诚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44