一种超宽带放大器有源偏置电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超宽带放大器有源偏置电路，包括第一MOSFET管、第二MOSFET管、电阻以及微带传输线，其中：第一MOSFET管与第二MOSFET管的漏极结电源VCC；第一MOSFET管与第二MOSFET管的栅极互相连接，并同时连接到第一MOSFET管的源极上；第一MOSFET管的源极通过电阻连接到地；第二MOSFET管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。本实用新型专利技术能够解决超宽带微波放大器偏置电路设计问题，使得偏置电路能在DC‑20GHz的频率范围内给微波放大器提供正常工作的电压和电路，并对射频信号进行有效阻断作用，使得信号在经过偏置电路时放大器传输方向上的损耗很小。

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带放大器有源偏置电路
本技术涉及无线通信领域，具体地，涉及一种超宽带放大器有源偏置电路。
技术介绍
现代无线通信系统中，微波放大器的使用十分广泛，而偏置电路是保证该器件能够正常工作的一个重要因素，它为放大器正常工作提供必需的偏置电压和偏置电流。直流偏置电路的理想状态是在直流馈入点获得射频的开路点，但这只能在点频情况下实现。而在具体工程应用中往往都是具有一定带宽的使用要求，且在特定使用情况下需要宽带甚至超宽带的放大器偏置电路。在微波放大器实际设计电路中，通常采用串联电感和并联电容到地的组合来实现偏置电路，且构成该串联电感和并联电容的形式也比较多样化。如典型的射频偏置电路由一段高阻线和一个低阻线构成。但这样的偏置电路很难实现宽带的应用，只能针对窄带或中等带宽(相对带宽小于50％)的应用场合。因此，设计超宽带的放大器偏置电路是本专利技术需要解决的工程问题。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种超宽带放大器有源偏置电路。根据本技术提供的一种超宽带放大器有源偏置电路，包括第一MOSFET管、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，包括第一MOSFET管、第二MOSFET管、电阻以及微带传输线，其中：/n第一MOSFET管与第二MOSFET管的漏极结电源VCC；/n第一MOSFET管与第二MOSFET管的栅极互相连接，并同时连接到第一MOSFET管的源极上；/n第一MOSFET管的源极通过电阻连接到地；/n第二MOSFET管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。/n

【技术特征摘要】
1.一种超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，包括第一MOSFET管、第二MOSFET管、电阻以及微带传输线，其中：
第一MOSFET管与第二MOSFET管的漏极结电源VCC；
第一MOSFET管与第二MOSFET管的栅极互相连接，并同时连接到第一MOSFET管的源极上；
第一MOSFET管的源极通过电阻连接到地；
第二MOSFET管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。


2.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，所述微带传输线为50欧姆微带传输线。


3.根据权利要求1所述的超...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鑫，赵闯，
申请(专利权)人：上海微波技术研究所中国电子科技集团公司第五十研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31