一种大功率发光半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率发光半导体器件，包括上壳体，所述上壳体的下方设置有下壳体，所述上壳体的底部设置有芯片，所述芯片上设置有激光器，激光器的右侧设置有左透镜、右透镜，所述左透镜与右透镜之间设置有隔离器，所述右透镜的右侧设置有光纤，所述芯片的底部设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片下方设置有自然散热装置和风冷装置，所述自然散热装置包括一组固定连接在半导体制冷片下端面上的散热片，所述风冷装置包括设置在下壳体左侧壁上的风扇。本实用新型专利技术设计合理，结构简单，散热性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率发光半导体器件
本技术涉及半导体
，具体为一种大功率发光半导体器件。
技术介绍
半导体激光器又称激光二极管，作为大功率发光半导体器件一种，它主要是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。目前，现有的发光半导体器件大多采用制冷器对芯片以及激光器进行冷却，使用过程中制冷器本身的散热性能决定着自身的冷却能力，进而决定发光半导体器件的散热性能。然而，现有的大功率发光半导体器件中的制冷器大多存在散热性能较差的缺陷，因此亟需一种新型的大功率发光半导体器件克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大功率发光半导体器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种大功率发光半导体器件，包括上壳体，所述上壳体的下方设置有下壳体，所述上壳体的底部设置有芯片，所述芯片上设置有激光器，激光器的右侧设置有左透镜、右透镜，所述左透镜与右透镜之间设置有隔离器，所述右透镜的右侧设置有光纤，所述芯片的底部设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片下方设置有自然散热装置和风冷装置，所述自然散热装置包括一组固定连接在半导体制冷片下端面上的散热片，所述风冷装置包括设置在下壳体左侧壁上的风扇。优选的，所述散热片上固定连接有一组贯通的导热管，所述散热片上设置有穿孔，所述导热管穿设在穿孔中，导热管左端位于风扇的右侧，导热管右端穿出下壳体的右壁。优选的，所述导热管的左端固定连接有风罩，所述风罩罩设在风扇的外侧。优选的，所述上壳体的底部设置有插接座，所述半导体制冷片插接在插接座中。优选的，所述半导体制冷片与芯片之间设置有导热硅胶片。优选的，所述下壳体的前后两端镂空设置并固定连接有防护网。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过在半导体制冷片下方设置有风冷装置和自然散热装置提升半导体制冷片的散热能力，从而提升半导体制冷片的冷却能力，满足大功率发光半导体器件的散热需求。风扇工作将导热管中的热量快速传递到空气中，实现快速散热。风罩提升风扇产生的气流的利用率。导热硅胶片提升半导体制冷片与芯片之间的热传递效率。下壳体的前后两端镂空设置，有利于散热片快速散热。本技术设计合理，结构简单，散热性能好。附图说明图1为一种大功率发光半导体器件的结构示意图；图2为图1中K处的局部放大图。图中：1-上壳体，2-下壳体，3-防护网，4-半导体制冷片，5-芯片，6-激光器，7-右透镜，8-自然散热装置，9-散热片，10-风冷装置，11-导热管，12-风扇，13-风罩，14-插接座，15-导热硅胶片，16-光纤，17-左透镜，18-隔离器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1～2，本技术提供一种技术方案：一种大功率发光半导体器件，包括上壳体1，所述上壳体1的下方设置有下壳体2，所述上壳体1的底部设置有芯片5，所述芯片5上设置有激光器6，激光器6的右侧设置有左透镜17、右透镜7，所述左透镜17与右透镜7之间设置有隔离器18，所述右透镜7的右侧设置有光纤16，所述芯片5的底部设置有半导体制冷片4，所述半导体制冷片4下方设置有自然散热装置8和风冷装置10，所述自然散热装置8包括一组固定连接在半导体制冷片4下端面上的散热片9，所述风冷装置10包括设置在下壳体2左侧壁上的风扇12。本技术通过在半导体制冷片4下方设置有风冷装置10和自然散热装置8提升半导体制冷片4的散热能力，从而提升半导体制冷片4的冷却能力，满足大功率发光半导体器件的散热需求。可优选地，所述散热片9上固定连接有一组贯通的导热管11，所述散热片9上设置有穿孔，所述导热管11穿设在穿孔中，导热管11左端位于风扇12的右侧，导热管11右端穿出下壳体2的右壁。风扇12工作将导热管11中的热量快速传递到空气中，实现快速散热。可优选地，所述导热管11的左端固定连接有风罩13，所述风罩13罩设在风扇12的外侧。风罩13提升风扇12产生的气流的利用率。可优选地，所述上壳体1的底部设置有插接座14，所述半导体制冷片4插接在插接座14中。可优选地，所述半导体制冷片4与芯片5之间设置有导热硅胶片15。导热硅胶片15提升半导体制冷片4与芯片5之间的热传递效率。可优选地，所述下壳体2的前后两端镂空设置并固定连接有防护网3。下壳体2的前后两端镂空设置，有利于散热片9快速散热。本技术的工作原理是：本技术通过在半导体制冷片4下方设置有风冷装置10和自然散热装置8提升半导体制冷片4的散热能力，从而提升半导体制冷片4的冷却能力，满足大功率发光半导体器件的散热需求。风扇12工作将导热管11中的热量快速传递到空气中，实现快速散热。风罩13提升风扇12产生的气流的利用率。导热硅胶片15提升半导体制冷片4与芯片5之间的热传递效率。下壳体2的前后两端镂空设置，有利于散热片9快速散热。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率发光半导体器件，包括上壳体(1)，其特征在于：所述上壳体(1)的下方设置有下壳体(2)，所述上壳体(1)的底部设置有芯片(5)，所述芯片(5)上设置有激光器(6)，激光器(6)的右侧设置有左透镜(17)、右透镜(7)，所述左透镜(17)与右透镜(7)之间设置有隔离器(18)，所述右透镜(7)的右侧设置有光纤(16)，所述芯片(5)的底部设置有半导体制冷片(4)，所述半导体制冷片(4)下方设置有自然散热装置(8)和风冷装置(10)，所述自然散热装置(8)包括一组固定连接在半导体制冷片(4)下端面上的散热片(9)，所述风冷装置(10)包括设置在下壳体(2)左侧壁上的风扇(12)。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率发光半导体器件，包括上壳体(1)，其特征在于：所述上壳体(1)的下方设置有下壳体(2)，所述上壳体(1)的底部设置有芯片(5)，所述芯片(5)上设置有激光器(6)，激光器(6)的右侧设置有左透镜(17)、右透镜(7)，所述左透镜(17)与右透镜(7)之间设置有隔离器(18)，所述右透镜(7)的右侧设置有光纤(16)，所述芯片(5)的底部设置有半导体制冷片(4)，所述半导体制冷片(4)下方设置有自然散热装置(8)和风冷装置(10)，所述自然散热装置(8)包括一组固定连接在半导体制冷片(4)下端面上的散热片(9)，所述风冷装置(10)包括设置在下壳体(2)左侧壁上的风扇(12)。


2.根据权利要求1所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述散热片(9)上固定连接有一组贯通的导热管(11)，所述散热片(9)上设置有穿孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔旭红，
申请(专利权)人：昆山慕仕达光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32