照明设备制造技术

技术编号:29504874 阅读:33 留言:0更新日期:2021-07-30 19:20
根据本公开的实施例的照明设备10包括发光设备、控制单元和传感器。发光设备1发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长λ1和430nm至700nm的范围内的第二峰值波长λ2的光。控制单元7控制从发光设备1发射的光的发射光谱。传感器8包括传感器单元81并将由传感器单元81接收的信号发送给控制单元7。控制单元7基于由传感器8检测到的信号来控制发射光谱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】照明设备
本公开涉及照明设备。
技术介绍
近年来,代替荧光灯和灯泡,使用了使用诸如LED(发光二极管)的半导体发光元件作为光源的照明设备。例如,使用发光元件作为光源的照明设备也用作用于对家用电器、客运车辆等的经涂覆的表面进行外观检查的光源。半导体发光元件具有辐射光的窄波段,并且能够仅发射一种颜色的光。当期望使用白光作为照射光时,准备具有辐射光的不同波段的多个半导体发光元件,并且通过混合多束辐射光的颜色来提供白光。备选地,准备通过同一波长的激发光发射不同波段的荧光的多个荧光体,并且通过来自半导体发光元件的辐射光并通过混合通过来自半导体发光元件的辐射光激发且发射光的多束荧光的颜色来提供白光。通过使用这样的混合颜色的方法,可以制作具有与除白光以外的目的相对应的光谱的光源(参见日本待审专利申请公开No.2015-126160)。然而,日本待审专利申请公开No.2015-126160中所公开的技术即未描述也不预期对照明设备的发射强度和发射光谱进行控制。
技术实现思路
根据本公开的实施例的照明设备包括发光设备、控制单元和传感器。发光设备发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长和430nm至700nm的范围内的第二峰值波长的光。控制单元控制从发光设备发射的光的发射光谱。传感器包括传感器单元,并且将由该传感器单元接收的信号发送给控制单元。控制单元基于由传感器检测到的信号来控制发射光谱。根据本公开的实施例的照明设备包括多个发光设备、控制单元和传感器。多个发光设备发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长和430nm至700nm的范围内的第二峰值波长的光。控制单元控制从发光设备发射的光的发射光谱。传感器包括传感器单元,并且将由该传感器单元接收的信号发送给控制单元。控制单元基于由传感器检测到的信号来控制发射光谱。根据本公开的实施例的照明设备包括第一发光设备、第二发光设备、控制单元和传感器。第一发光设备发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长的光。第二发光设备发射具有430nm至700nm的范围内的第二峰值波长的光。控制单元控制通过将从第一发光设备发射的光的第一发射光谱与从第二发光设备发射的光的第二发射光谱进行组合而获得的发射光谱。传感器包括传感器单元,并且将由该传感器单元接收的信号发送给控制单元。控制单元基于由传感器检测到的信号来控制发射光谱。附图说明图1是根据本公开的实施例的发光设备的外部透视图。图2是沿虚线所指示的平面截取图1中所示的发光设备时的横截面图。图3是沿虚线所指示的平面截取图1中所示的发光设备的另一实施例时的截面图。图4是图2中所示的发光设备的放大视图。图5是呈现根据本公开的实施例的发光设备的外部辐射光的光谱的曲线图。图6是呈现根据本公开的实施例的发光设备的外部辐射光的光谱的曲线图。图7是包括根据本公开的实施例的发光设备的照明设备的外部透视图。图8是根据本公开的实施例的照明设备的分解透视图。图9是示出了从根据本公开的实施例的照明设备的壳体中去除半透明基板的状态的透视图。图10是呈现使用了根据本公开的实施例的发光设备或照明设备时的杀菌效果的曲线图。图11是示出了根据本公开的实施例的照明设备的配置的示图。图12是示出了根据本公开的实施例的照明设备的配置的示图。图13是根据本公开的实施例的照明设备的配置图。图14是示出了根据本公开的实施例的照明设备的配置的横截面图。图15是呈现根据本公开的另一实施例的照明设备的外部辐射光的光谱的曲线图。具体实施方式在下文中,将参考附图来描述根据本公开的实施例的发光设备和照明设备。<发光设备和照明设备的配置>图1是根据本公开的实施例的发光设备的外部透视图。图2是沿虚线所指示的平面截取图1中所示的发光设备时的横截面图。图3是沿虚线所指示的平面截取图1中所示的发光设备时的横截面图。图10是呈现使用了根据本公开的实施例的发光设备或照明设备时的杀菌效果的曲线图。在这些附图中,发光设备1包括基板2、发光元件3、框体4、密封构件5和波长转换构件6。发光元件3位于基板2上。框体4位于基板2上,以包围发光元件3。被框体4包围的内空间填充有密封构件5,而被框体4包围的空间的上部的一部分未被填充。波长转换构件6在被框体4包围的内空间的上部的一部分中,沿密封构件5的上表面容纳在框体4中。发光元件3是例如LED(发光二极管)或??(激光二极管),并且当使用半导体的pn结中的电子与空穴重新结合时朝外部发射光。基板2是主要由绝缘材料制成的基板。绝缘材料是例如陶瓷材料(诸如,矾土或莫来石)或玻璃陶瓷材料。备选地,基板2由通过混合多种这些材料而获得的复合材料制成。可以使用其中分散有能够调整基板2的热膨胀的金属氧化物颗粒的聚合物树脂,作为基板2。电连接基板2的内部和外部的布线导体至少设置在基板2的主表面上或基板2内部。布线导体由例如导电材料(诸如,钨、钼、锰或铜)制成。当基板2由陶瓷材料制成时,例如,通过将有机溶剂添加到钨等的粉末而获得的金属浆料以预定图案印刷在要作为基板2的陶瓷生片上。然后,堆叠和烧制(fire)多个陶瓷生片,以获得基板2。例如,镍、金等的镀覆层形成在布线导体的表面上,以抑制氧化。金属反射层可以与布线导体和镀覆层具有间隙地位于基板2的上表面上,以便有效地反射基板2上的光。金属反射层是例如铝、银、金、铜或铂。发光元件3安装在基板2的主表面上。发光元件3经由例如钎焊材料或焊料电连接到沉积在基板2的主表面上所形成的布线导体的表面上。发光元件3包括半透明基底和形成在该半透明基底上的光学半导体层。半透明基底可以是能够通过化学气相沉积法(诸如,金属有机化学气相沉积法或分子束外延沉积法)在其上生长光学半导体层的任何对象。用于半透明基底的材料的示例包括蓝宝石、氮化镓、氮化铝、氧化锌、硒化锌、碳化硅、硅和二硼化锆。半透明基底的厚度是例如大于或等于50μm且小于或等于1000μm。光学半导体层包括:第一半导体层,形成在半透明基底上;发光层,形成在第一半导体层上;以及第二半导体层,形成在发光层上。第一半导体层、发光层和第二半导体层可以由例如III族氮化物半导体、III-V族半导体(诸如,磷化镓或砷化镓)或III族氮化物半导体(诸如,氮化镓、氮化铝或氮化铟)制成。第一半导体层的厚度是例如大于或等于1μm且小于或等于5μm,发光层的厚度是例如大于或等于25nm且小于或等于150nm,以及第二半导体层的厚度是例如大于或等于50nm且小于或等于600nm。如图5、图6和图15中所示,如上所述地配置的发光元件3可以发射例如大于或等于280nm且小于或等于450nm的波长范围内的激发光。框体4由例如陶瓷材料(诸如,氧化铝、氧化钛、氧化锆或氧化钇)、多孔材料、或者与由金属氧化物(诸如,氧化铝、氧化钛、氧化锆或氧化钇)制成的粉末混合的树脂材料制成。框体4经由例如树脂、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种照明设备,包括:/n发光设备,发射具有360nm至430nm的波长范围内的第一峰值波长和430nm至700nm的波长范围内的第二峰值波长的光;/n控制单元,控制从所述发光设备发射的光的发射光谱;以及/n传感器,包括传感器单元,并且将由所述传感器单元接收的信号发送给所述控制单元,/n其中,所述控制单元基于由所述传感器检测到的信号来控制所述发射光谱。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181127 JP 2018-2213571.一种照明设备,包括:
发光设备,发射具有360nm至430nm的波长范围内的第一峰值波长和430nm至700nm的波长范围内的第二峰值波长的光;
控制单元,控制从所述发光设备发射的光的发射光谱;以及
传感器,包括传感器单元,并且将由所述传感器单元接收的信号发送给所述控制单元,
其中,所述控制单元基于由所述传感器检测到的信号来控制所述发射光谱。


2.一种照明设备,包括:
多个发光设备,发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长和430nm至700nm的范围内的第二峰值波长的光;
控制单元,控制通过将从所述多个发光设备中的每个发光设备发射的光进行组合而获得的光的发射光谱;以及
传感器,包括传感器单元,并且将由所述传感器单元接收的信号发送给所述控制单元,
其中,所述控制单元基于由所述传感器检测到的信号来控制所述发射光谱。


3.一种照明设备,包括:
第一发光设备,发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长的光;
第二发光设备,发射具有430nm至700nm的范围内的第二峰值波长的光;
控制单元,控制通过将从所述第一发光设备发射的光的第一发射光谱与从所述第二发光设备发射的光的第二发射光谱进行组合而获得的发射光谱;以及
传感器,包括传感器单元,并且将由所述传感器单元接收的信号发送给所述控制单元,
其中,所述控制单元基于由所述传感器检测到的信号来控制所述发射光谱。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的照明设备,其中,所述传感器通过无线通信将所述检测到的信号发送给所述控制单元。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的照明设备,其中,所述传感器是光学传感器。


6.根据权利要求5所述的照明设备,其中,所述光学传...

【专利技术属性】
技术研发人员:加藤秀崇草野民男二塚健安藤嘉基
申请(专利权)人:京瓷株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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