用于制造图案化SrB4BO7和PbB4O7晶体的方法技术

SrB

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造图案化SrB4BO7和PbB4O7晶体的方法专利技术背景
本公开涉及具有带有交替极性的体积周期性结构域/孪晶结构的四硼酸锶(SrB4O7或SBO)和四硼酸铅(PbB4O7或PBO)晶体，制造这些晶体的方法，以及包含本专利技术的晶体的高功率固态激光器。
技术介绍
激光器对于许多技术进步的发展起关键的作用。为了解决材料加工行业、医药、数据存储、光通信、娱乐和其他行业的需求，对在同时包括可见UV(VIS)范围并且特别是高功率深UV(DUV)范围的紫外线(UV)中的激光工具的需求大幅增长。例如，半导体光刻法、显微机械加工和材料加工应用中的进展正在驱动对于在UV和DUV光谱范围工作的相干光源的需求。一些气体激光器比如准分子激光器可以发射具有高平均输出功率的在UV和DUV光谱范围内的单独波长的相关光。然而，采用凭借非线性光学(NLO)晶体的接近1微米(μm)辐射的转换的紧凑型固态激光器可以提供高得多的效率和灵活性。固态激光器在UV和DUV光谱范围中的性能主要取决于在最近二十年发现的高效且可靠的非线性光学(NLO)晶体的生长和制作的进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SrB

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181218 US 62/781,3711.一种SrB4O7或PbB4O7晶体，所述SrB4O7或PbB4O7晶体被配置为具有多个结构域，所述多个结构域具有使QPM应用成为可能的相应周期性交替的晶轴极性，其中所述结构域具有高度平行的壁，所述壁在10mm距离内彼此偏离小于1微米。


2.根据权利要求1所述的SrB4O7或PbB4O7晶体，其中所述晶体被配置为非线性光学元件，所述非线性光学元件具有用于将基频转化为高次谐波的QPM，所述高次谐波选自由以下各项组成的组：二次谐波、三次谐波产生、更高次谐波产生和光参量相互作用。


3.根据权利要求1所述的SrB4O7或PbB4O7晶体，其中所述晶体被配置为用于生长更大尺寸的SrB4O7或PbB4O7非线性晶体的晶种。


4.根据权利要求1所述的SrB4O7或PbB4O7非线性晶体，其中用于VIS-DUV光的每一个结构域的厚度在0.2μm至约20μm的范围内。


5.根据权利要求1所述的SrB4O7或PbB4O7非线性晶体，所述SrB4O7或PbB4O7非线性晶体还具有最小直径从约1mm至约5cm变化的通光孔径。


6.一种在四硼酸锶(SrB4O7)或四硼酸铅(PbB4O7)非线性晶体中制作周期性结构的方法，所述方法包括：
将SrB4O7或PbB4O7的晶体块的表面图案化，从而在所述表面上提供多个交替的受保护和未保护的具有均匀极性标记的均匀尺寸区域；
在已图案化表面上产生扰动，从而使每隔一个区域的晶体极性的标记反转以提供具有多个结构域的SrB4O7或SrB4O7晶体，所述多个结构域具有交替的极性并且使QPM成为可能。


7.根据权利要求6所述的方法，其中图案化步骤包括：
在图案化之前将光刻胶层涂布到所述表面上，
在所述光刻胶层上施用具有所需周期的掩模，从而提供多个具有彼此交替的暴露光刻胶和被覆盖光刻胶的区域，以及
从具有暴露光刻胶的区域移除所述光刻胶层，从而在所述表面上形成受保护区域和未保护区域。


8.根据权利要求6所述的方法，其中图案化步骤包括：
将所述已图案化表面金属化，
在金属化的表面上涂布光刻胶层，
在所述光刻胶层上施用具有所需周期的掩模，从而提供多个具有彼此交替的暴露光刻胶和被覆盖光刻胶的区域，以及
从具有暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹·皮尔洛夫，亚历山大·扎采夫，阿纳托利·赞姆科奥夫，尼基塔·拉迪奥诺夫，阿勒科山德·赤列巴科赫因，尼科莱·埃夫提希耶夫，安德丽·萨多夫斯基，
申请(专利权)人：IPG光子公司，
类型：发明
国别省市：美国;US