【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体、晶体的制造方法、以及使硅烷醇化合物自组装化的方法
本专利技术涉及晶体、晶体的制造方法、以及使硅烷醇化合物自组装化的方法。技术背景通过在原子级别控制而构建物质,发现了迄今为止没有的物性,可以成为有用的材料。例如,富勒烯、碳纳米管、石墨烯是碳在0维、1维、2维组建而成的纳米碳材料,分别具有独特的物性。SiO2与碳一样无穷尽地存在于地球上,是至今为止持续使用的材料。作为获得像纳米碳材料那样在原子级别控制SiO2而构建出的SiO2材料的方法,认为将组建SiO2的基本单位即原硅酸(Si(OH)4)的方法是有效率的。已知可以通过在例如Pd或Pt/C催化剂存在下,使具有能够由氢解除去的苄基保护基的硅化合物反应的方法来合成并分离Si(OH)4(非专利文献1)。另外,通过上述方法已经成功地合成并分离了Si(OH)4的二聚体,环状三聚体、环状四聚体。这些Si(OH)4的二聚体、环状三聚体、环状四聚体等低聚体也用作用于获得SiO2材料的原料。[化学式1]现有技术文献非专利文献非专利 ...
【技术保护点】
1.一种晶体,其特征在于,/n包含多个从由下述式(1)表示的六聚体、式(2)表示的八聚体、以及式(3)表示的十聚体组成的组中选择的至少一种硅烷醇化合物,并且具有通过由所述硅烷醇化合物彼此的至少一个羟基形成的氢键的相互作用,/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181024 JP 2018-2000471.一种晶体,其特征在于,
包含多个从由下述式(1)表示的六聚体、式(2)表示的八聚体、以及式(3)表示的十聚体组成的组中选择的至少一种硅烷醇化合物,并且具有通过由所述硅烷醇化合物彼此的至少一个羟基形成的氢键的相互作用,
[化学式1]
2.根据权利要求1所述的晶体,其特征在于,
所述晶体具有所述硅烷醇化合物通过介由所述氢键的相互作用线形排列而成的一维结构。
3.根据权利要求1所述的晶体,其特征在于,
所述晶体具有所述硅烷醇化合物通过介由所述氢键的相互作用平面排列而成的二维结构。
4.根据权利要求1所述的晶体,其特征在于,
所述晶体具有所述硅烷醇化合物通过介由所述氢键的相互作用立体排列而成的三维结构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体,其特征在于,
所述晶体包含从由有机化合物、过渡金属配合物、无机物和单质组成的组中选择的至少一种物质。
6.一种晶体的制造方法,其特征在于,所述晶体是权利要求1至5中任一项所述的晶体,所述晶体的制造方法包括:
准备包含所述硅烷醇化合物的溶液的工序;以及
根据需要,进一步向所述溶液添加从由有机化合物、过渡金属配合物、无机物和单质组成的组中选择的至少一种物质,并通过针对该溶液的蒸汽扩散法来进行重结晶化的工序。
7.一种晶体的制造方法,其特征在于,所述晶体是权利要求1至5中任一项所述的晶体,所述晶体的制造方法包括:
准备包含所述硅烷醇化合物的溶液的工序;以及
根据需要,进一步向所述溶液添加从由有机化合物、过渡金属配合物、无机物和单质组成的组中选择的至少一种物质,并通过减压浓缩该溶液来进行重结晶化的工序。
8.一种晶体的制造方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:五十岚正安,松本朋浩,野泽竹志,八木桥不二夫,佐藤一彦,
申请(专利权)人:国立研究开发法人产业技术综合研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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