【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含用于无空隙亚微米特征填充的添加剂的用于镀钴的组合物本专利技术涉及一种包含钴离子的用于镀钴的组合物，其包含用于无空隙填充半导体基材上的凹陷特征的试剂。专利技术背景通过金属电镀填充小型特征如通孔和沟槽为半导体制造方法的必需部分。熟知有机物质作为添加剂存在于电镀浴中对于在基材表面上实现均匀金属沉积物且在金属线内避免缺陷如空隙和缝隙而言可为关键的。对于电镀铜而言，通过使用添加剂来无空隙填充亚微米大小互连件特征以确保自下而上填充(bottom-upfilling)在本领域中是熟知的。对于基材上的常规电镀镍如在聚合物表面上电镀金属、金属合金和金属化聚合物，特别是铜、铁、黄铜、钢、铸铁或化学沉积的铜或镍而言，包含乙炔系化合物的增亮添加剂是已知的。在进一步减小凹陷特征如通孔或沟槽的孔口大小的情况下，用铜填充互连件变得尤其具有挑战性，还是因为在铜电沉积之前通过物理气相沉积(PVD)的铜晶种沉积(seeddeposition)可能呈现不均匀性和不整合性(non-conformity)，且因此进一步减小尤其在孔口的顶部处的孔口大...
【技术保护点】
1.一种组合物，包含：/n(a)金属离子，其基本上由钴离子组成，和/n(b)抑制剂，其包含式S1的结构或具有式S2的结构或包含式S3a或S3b的结构或具有式S4的结构和其盐/n[B]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181221 US 62/7842581.一种组合物，包含：
(a)金属离子，其基本上由钴离子组成，和
(b)抑制剂，其包含式S1的结构或具有式S2的结构或包含式S3a或S3b的结构或具有式S4的结构和其盐
[B]n[A]p(S1)
其中
R1选自X1-CO-O-R11、X1-SO2-O-R11、X1-PR11O(OR11)、X1-P(OR11)2、X1-PO(OR11)2和X1-SO-O-R11；
R2、R3、R4独立地选自R1和(i)H、(ii)芳基、(iii)C1-C10烷基、(iv)芳基烷基、(v)烷基芳基，和(vi)-(O-C2H3R12)m-OH，其条件为若R2、R3或R4中的一个选自R1，则其他基团R2、R3或R4不同于R1，
为C6-C14碳环或C3-C10含氮或含氧杂环芳基，其可未经取代或经至多3个C1-C12烷基或至多2个OH、NH2或NO2基团取代，
R31选自R1、H、OR32和R32，
R32选自(i)H和(ii)C1-C6烷基，
X1为二价基团，其选自(i)化学键；(ii)芳基；(iii)C1-C12烷二基，其可间隔有一个或多个O原子；(iv)芳基烷基-X12-X11-；(v)烷基芳基-X11-X12-；和(vi)-(O-C2H3R12)mO-，
X2为(i)化学键或(ii)甲烷二基，
R11选自H和C1-C4烷基，
R12选自H和C1-C4烷基，
X12为二价芳基，
X11为二价C1-C15烷二基，
A为共聚单体，其选自乙烯醇，其可任选为(聚)乙氧基化的丙烯腈、苯乙烯和丙烯酰胺，
B选自式S1a：
n为2-10000的整数，
m为2-50的整数，
o为2-1000的整数，和
p为0或1-10000的整数，
其中所述组合物基本上不含任何分散颗粒，且
其中所述组合物基本上不含任何其他抑制剂。
2.根据权利要求1的组合物，其中R2、R3和R4选自H、甲基、乙基或丙基。
3.根据权利要求1的组合物，其中R2和R3或R4选自H、甲基、乙基或丙基，且另一基团R3或R4选自R1。
4.根据权利要求1的组合物，其中R3和R4选自H、甲基、乙基或丙基，且R2选自R1。
5.根据权利要求1的组合物，其中抑制剂为式S4a的化合物：
其中R5、R6、R7、R8和R9独立地选自(i)H和(ii)C1-C6烷基，优选选自H、甲基、乙基或丙基。
6.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中R11为H。
7.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中n+p为10-5000的整数，且m为2-30的整数。
8.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中抑制剂选自聚丙烯酸、聚衣康酸、马来酸丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸丙烯酸共聚物、衣康酸丙烯酸共聚物、聚乙烯基膦酸和聚乙烯基磺酸。
9.根据权利要求1-7中任一项的组合物，其中抑制剂选自丙烯酸、衣康酸、乙烯基膦酸、苯基次膦酸和乙烯基磺酸。
10.根据权利要求1-7中任一项的组合物，其中R1为磺酸化物基团且R31为OH。
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·基塔亚波恩，C·埃姆内特，D·迈耶，N·恩格尔哈特，M·阿诺德，L·B·亨德森，A·弗鲁格尔，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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