【技术实现步骤摘要】
一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法
本专利技术涉及无机非金属材料，具体涉及一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法。技术背景随着二维材料的蓬勃发展，因其可以容易地剥离成单层或少数层，引起人们广泛的关注，尤其是过渡族金属二硫属化物(TMDCs)。TMDCs是可以用化学式MX2表达的一大类化合物，其中M＝Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W等，X＝S，Se，Te。过渡族金属层状化合物一直以来都是凝聚态物理以及材料研究中的热点，无论是在基础研究或是潜在的应用领域都展现出了独特的价值。这类材料具有极其丰富的元素组成和晶体结构，从而展现出极为丰富的物理性质，如超导、电荷密度波、磁性等等。此外，由于过渡族金属层状化合物的层与层之间依靠范德瓦尔斯力结合，这使得在其层间引入不同的客体物质成为了可能，进而可以实现对于其结构与物理性质的调控。高熵的概念最早是在2004年由叶均蔚等在高熵合金(HEA)体系当中提出的，高熵合金通常是指由五种或五种以上的不同金属元素，等比例或接近等比例组成。高熵材料为新材料探索提供了一条新路...
【技术保护点】
1.一种高熵层状化合物，其特征在于，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)
【技术特征摘要】
1.一种高熵层状化合物，其特征在于，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，0＜x≤1，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种高熵层状化合物，其特征在于，HEM为Fe、Co、Cr、Ni、Mn中的四种或五种金属元素的组合，M为Ti、Zr、V、Cr、Nb、Ta、Hf、Mo、W、Pt、Pd、Rh、Ir、Os元素中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种高熵层状化合物，其特征在于，高熵原子层位于层间间隙位置。
4.一种固相插层法制备如权利要求1所述的高熵层状化合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将M元素粉末、X元素粉末，按照1:2的比例混合均匀；
2)将混合均匀的粉末压片成型，放入真空石英管中，在高温炉中进行烧结，烧结温度不高于1200℃，保温一段时间后，自然冷却至室温，得到MX2产物；
3)将HEM粉末与上述MX2产物在研钵中混合均匀得到粉体，然后将粉体装入石英管中，真...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洪祥，李升，戴品强，林智杰，洪春福，常发，
申请(专利权)人：福建工程学院，
类型：发明
国别省市：福建;35
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