一种除静电装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种除静电装置。除静电装置包括剥离治具、接料通道、接料容器以及离子风模块，确保在半导体芯片从UV膜剥离过程中，针对每个产生静电的区域均有离子风来中和静电，同时，又避免了离子风将半导体芯片吹飞造成飞料和混料。

Electrostatic removing device

【技术实现步骤摘要】
一种除静电装置
本专利技术涉及半导体芯片加工的
，特别是涉及一种用于半导体封装芯片剥离工序中除静电装置。
技术介绍
半导体封装芯片在UV膜上完成切割和UV工序之后，需要将芯片从UV膜上剥离下来。目前，剥离的方式主要包括手工剥离的方式或者采用机械或超声等自动化剥离方式。无论是手工作业、还是自动化作业，在剥离过程中，在UV膜的背面、正面、芯片落料区，均会生产高压静电，有时会达到1000V以上。一旦芯片产生ESD(静电放电)，将对芯片产生直接或潜在的损害，导致芯片良品率下降，或产生质量隐患。目前，在剥离作业时，通常采用离子风吹拂作业区域的方式进行静电消除。由于在除静电过程中，离子风的风力必须维持在较低的风速水平以确保芯片不会被风力吹飞造成飞料、混料；而低速离子风则不能快速、有效的去除静电，仍然会造成部分芯片ESD(静电放电)。因此，现有的剥离作业中的除静电工艺中芯片的静电电压仍然维持在数百伏至1000V以上，并不能有效的除静电防止ESD。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种高效的离子风除静电装置，防止半导体芯片ESD损害，同时高速离子风又不会将芯片吹飞导致飞料和混料。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种高效的离子风除静电装置，同时高速离子风又不会将芯片吹飞导致飞料和混料。本专利技术实施例所提供的除静电装置包括分别位于不同位置的多个离子风模块，确保在芯片剥离过程中，多个方位均有离子风来中和静电。为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供的技术方案如下：一种除静电装置，包括剥离治具，用于承载带有芯片的UV膜；接料通道，所述接料通道的入口与所述剥离治具连接，用于作为从所述UV膜剥离后的芯片的路径通道；接料容器，与所述接料通道的出口对准，用于接纳沿所述接料通道进入的芯片；其中，所述除静电装置还包括：第一离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第二离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第三离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；所述第一离子风模块位于所述剥离治具的上方位置，所述第二离子风模块位于所述剥离治具与所述接料通道的入口之间，所述第三离子风模块位于所述接料通道的出口与所述接料容器之间。作为本专利技术的进一步改进，所述第一离子风模块的出风口朝向所述剥离治具，用于消除由于摩擦UV膜背面而产生的静电。作为本专利技术的进一步改进，所述第二离子风模块的出风口朝向所述剥离治具的中心区域，用于消除由于芯片从UV膜上剥粒以及芯片互相撞击而产生的静电。作为本专利技术的进一步改进，所述第三离子风模块的出风口朝向所述接料容器的容纳空间，用于消除由于芯片跌落而产生的静电。作为本专利技术的进一步改进，所述剥离治具、所述第二离子风模块与所述接料通道的入口之间相互密封连接，防止离子风泄漏和芯片飞料。作为本专利技术的进一步改进，所述接料通道呈漏斗状或直筒状，所述接料通道的一端为所述接料通道的入口，所述接料通道的另一端为所述接料通道的出口。作为本专利技术的进一步改进，所述剥离治具由抗静电材料制成和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。作为本专利技术的进一步改进，所述第二离子风模块由抗静电材料和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。作为本专利技术的进一步改进，所述接料通道和/或所述接料容器采用抗静电材料制成和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。作为本专利技术的进一步改进，所述除静电装置还包括真空吸尘模块，所述真空吸尘模块与所述接料容器连通，用于抽吸除芯片外的其它杂质。作为本专利技术的进一步改进，所述接料容器中设置有滤网。本专利技术具有以下优点：本专利技术实施例所提供的除静电装置快速清除芯片剥离过程中各个部位产生的静电，防止ESD对芯片的损害，同时又防止芯片被离子风吹飞造成飞料和混料。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的除静电装置的立体结构示意图；图2为图1所示实施例的除静电装置(装有UV膜和芯片)的爆炸示意图。附图中的标记说明：100、除静电装置10、剥离治具30、接料通道50、接料容器70、真空吸尘模块22、第一离子风模块24、第二离子风模块26、第三离子风模块11、料环41、芯片45、UV膜具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。如图1和图2所示，本专利技术第一实施例提供的除静电装置100。在该实施例中，除静电装置100包括剥离治具10、接料通道30、接料容器50以及多个位于不同区域的离子风模块。离子风模块是一种高效的除静电装置，可产生大量的带有正负电荷的气流，被压缩气高速吹出，可以将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷时，它会吸引气流中的正电荷，当物体表面所带电荷为正电荷时，它会吸引气流中的负电荷，从而使物体表面上的静电被中和，达到消除静电的目的。继续参考图2，剥离治具10用于承载带有芯片41的UV膜45。带有芯片41的UV膜45通过料环11固定于剥离治具10，即将带有芯片41的UV膜45置入剥离治具10中。载有芯片41的一面定义为UV膜45的正面。在该实施例中，将UV膜45的正面朝向接料通道30。人工或者自动刮蹭UV解胶后的UV膜45的背面，芯片41即可从UV膜45上剥离脱离，并沿接料通道30限定的路径而落入接料容器50中。接料通道30的入口与剥离治具10连接，用于作为从UV膜45剥离后的芯片41的路径通道。接料通道30可以呈漏斗状或直筒状。接料通道30的一端为接料通道30的入口，接料通道30的另一端为接料通道的出口。继续参考图2所示，在该实施例中，接料通道30呈漏斗状。漏斗状的大口为接料通道30的入口，漏斗状的小口为接料通道30的出口。接料通道30漏斗状的形状设置，有助于提高芯片41的掉落速度和效率。接料容器50用于接纳沿接料通道30进入的芯片41。接料通道50位于接料通道30的下方，与接料通道30的出口对准，此处对准的含义为从接料通道30出口出来的芯片41能落入接料容器50的入口即可。继续参考图1和图2所示，除静电装置100还包括多个离子风模块，具体地，多个离子风模块包括第一离子风模块22、第二离子风模块24和第三离子风模块26。第一离子风模块22位于剥离治具10的上方位置。第一离子风模块22的出风口朝向剥离治具10，用于消除由于摩擦UV膜45本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种除静电装置，其特征在于，包括：/n剥离治具，用于承载带有芯片的UV膜；/n接料通道，所述接料通道的入口与所述剥离治具连接，用于作为从所述UV膜剥离后的芯片的路径通道；/n接料容器，与所述接料通道的出口对准，用于接纳沿所述接料通道进入的芯片；/n所述除静电装置还包括：/n第一离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第二离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第三离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；/n所述第一离子风模块位于所述剥离治具的上方位置，所述第二离子风模块位于所述剥离治具与所述接料通道的入口之间，所述第三离子风模块位于所述接料通道的出口与所述接料容器之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种除静电装置，其特征在于，包括：
剥离治具，用于承载带有芯片的UV膜；
接料通道，所述接料通道的入口与所述剥离治具连接，用于作为从所述UV膜剥离后的芯片的路径通道；
接料容器，与所述接料通道的出口对准，用于接纳沿所述接料通道进入的芯片；
所述除静电装置还包括：
第一离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第二离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第三离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；
所述第一离子风模块位于所述剥离治具的上方位置，所述第二离子风模块位于所述剥离治具与所述接料通道的入口之间，所述第三离子风模块位于所述接料通道的出口与所述接料容器之间。


2.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述第一离子风模块的出风口朝向所述剥离治具，用于消除由于摩擦UV膜背面而产生的静电。


3.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述第二离子风模块的出风口朝向所述剥离治具的中心区域，用于消除由于芯片从UV膜上剥离以及芯片互相撞击而产生的静电。


4.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汝长海，陈瑞华，朱小明，
申请(专利权)人：苏州微赛智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32