半导体防雷冰组合式瓷绝缘子制造技术

本发明专利技术一种半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，由防雷冰罩与陶瓷柱式绝缘子组合而成。防雷冰罩上涂有一金属氧化物半导体釉，金属氧化物半导体釉，是在普通电瓷釉中加人一定量(约30％‑35％)的导电性金属氧化物锡、镍、铬构成，防雷冰罩具有特殊性能的电能导热，表面电阻率为100‑110Ω，介于绝缘体与导体之间，通过空架线路电流而发热为常温25℃‑30℃，表面电压热量分布均匀，雪雨非可逗留，针罩表面始终保持干燥，从而绝缘子的异结构具有高绝缘、高耐污、高强度、高耐久性，提高冰雪及暴雨湿闪耐受电压有效值的极高效果，确保了电网线路输电安全的可靠性。

Semiconductor lightning protection ice composite porcelain insulator

【技术实现步骤摘要】
半导体防雷冰组合式瓷绝缘子
本专利技术涉及输变电空架线路的电力设备
，具体为一种电气元件半导体防雷冰组合式瓷绝缘子。
技术介绍
未来的电网将朝智能化电网发展，以特高压电网为骨干网架、各级电网协调发展的坚强电网为基础，利用先进的通信、信息和控制技术，构建以信息化、自动化、互动化为特征的智能化电网，保障供电安全可靠性。但在长距离、高海拔、高寒地区、覆冰強，地形地况和气候条件复杂，遭遇线路覆冰的概率非常高，从而导致复合绝缘子变形炸裂老化，电气性能下降，易发冰闪、污闪事故，严重危害输电线路安全运行，是一项十分重要而艰巨的挑战。
技术实现思路
鉴于当前对特高压电网输电器件的要求，本专利技术提供一种利用多金属氧化物半导体釉、具有电能导热的防雷冰组合式瓷绝缘子。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案：一种半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，包括上附件、柱式瓷绝缘子和钢帽；所述上附件自带线夹，固定于柱式瓷绝缘子顶端，用于连接线路导线；所述钢帽固定于柱式瓷绝缘子底端，用于连接和固定绝缘子与电力金具；所述柱式瓷绝缘子是柱体与伞裙为一体的瓷绝缘子，在伞裙的最顶部是一个大于所有伞裙的最大针罩——防雷冰罩；所述防雷冰罩的结构为：在针式大伞外表面涂有一金属氧化物半导体釉层。所述柱式瓷绝缘子的伞裙为大小裙在柱体上交替排列的形式。所述柱式瓷绝缘子长度300mm，小伞裙直径130mm，大伞裙直径180mm，伞裙间距50mm。所述上附件、钢帽是由胶合剂固定于柱式瓷绝缘子两端。所述金属氧化物半导体釉层的厚度为1500～2000微米。金属氧化物半导体釉层是在电瓷釉中加入30％-35％的导电性金属氧化物锡、镍及铬混合构成。本专利技术的有益效果是：所述半导体防雷冰组合式瓷绝缘子技术要求：爬电距高(防雷冰罩底端至钢帽顶端之间，即图1中A点-B点)730mm，弯曲破坏负荷≥12.5KN，工频湿耐受电压有效值不小于65KV，雷电冲击耐受电压峰值≥150LV，执行标准GB/T100L1-2003、GB/21206-2007(线路柱式绝缘子特性)。本专利技术在运行中因通过电流而发热为常温25℃-30℃，雪雨非可逗留，使表面始终保持干燥，表面电压热量分布均匀，确保电力系统安全运行。针罩与多伞裙陶瓷结构，具有高绝缘、高耐污、高强度、高耐久性，提高冰雪及暴雨湿闪耐受电压有效值的极高效果保持较高的闪络电压及确保良好的绝缘效果，确保了电网线路输电安全的可靠性。附图说明图1是本实用半导体防雷冰组合式瓷绝缘子半剖结构示意图。图中：1上附件，2胶合剂，3防雷冰罩，3.1金属氧化物半导体釉层，4柱式瓷绝缘子，5钢帽。具体实施方式本专利技术一种半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，包括上附件1、柱式瓷绝缘子4和钢帽5。所述上附件1与现有结构相同，其自带线夹，固定于柱式瓷绝缘子4顶端，用于连接线路导线。所述钢帽5也与现有结构相同，固定于柱式瓷绝缘子4底端，用于连接和固定绝缘子与电力金具。所述柱式瓷绝缘子4是柱体与伞裙为一体的瓷绝缘子，其中，伞裙为大小裙在柱体上交替排列的形式，此异形排列的大小伞裙使绝缘子具有高绝缘、高耐污、高强度、高耐久性，提高冰雪及暴雨天气下湿闪耐受电压有效值的极高效果。作为实施例，所述柱式瓷绝缘子4长度300mm，小伞裙直径130mm，大伞裙直径180mm，伞裙间距50mm。所述上附件1、钢帽5是由胶合剂2固定于柱式瓷绝缘子4两端。在伞裙的最顶部是一个大于所有伞裙的最大伞(大针罩)——防雷冰罩3。所述防雷冰罩3的结构为：在针式大伞外表面涂有一金属氧化物半导体釉层3.1，表面电阻率为100-110Ω，在运行中通过电流而发热为常温25℃-30℃，表面电压热量分布均匀，雪雨非可逗留，针罩表面始终保持干燥，从而针罩与多伞裙陶瓷结构保持较高的闪络电压及确保良好的绝缘效果。新型半导体釉具有良好的抗腐蚀性与较大的半值温度。所述金属氧化物半导体釉层3.1是一种用于高压电磁而具有特殊性能的导热体釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入30％-35％的导电性金属氧化物锡、镍及铬混合构成，其中，锡、镍及铬的比例可以随意。导体晶体形成聚合网络时获得导电率。釉的电阻与导体含量的函数关系呈S形曲线变化，导电率的差别取决于颗粒形状及其在釉中的分布情况。形成的显微结构与普通釉不同。在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。氧化锡、镍、铬釉是目前被认为最好的半导体金属釉。金属氧化物半导体釉在针式大伞外表面要上三次金属氧化物半导体釉，构成金属氧化物半导体釉层3.1，其总厚度为1500～2000微米。金属氧化物半导体釉特点：1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间；2.半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化；3.在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强；具有高寒防雷冰能力及能保持较高的闪络电并确保良好的绝缘效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，包括上附件(1)、柱式瓷绝缘子(4)和钢帽(5)；其特征在于：/n所述上附件(1)自带线夹，固定于柱式瓷绝缘子(4)顶端，用于连接线路导线；/n所述钢帽(5)固定于柱式瓷绝缘子(4)底端，用于连接和固定绝缘子与电力金具；/n所述柱式瓷绝缘子(4)是柱体与伞裙为一体的瓷绝缘子，/n在伞裙的最顶部是一个大于所有伞裙的最大针罩——防雷冰罩(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，包括上附件(1)、柱式瓷绝缘子(4)和钢帽(5)；其特征在于：
所述上附件(1)自带线夹，固定于柱式瓷绝缘子(4)顶端，用于连接线路导线；
所述钢帽(5)固定于柱式瓷绝缘子(4)底端，用于连接和固定绝缘子与电力金具；
所述柱式瓷绝缘子(4)是柱体与伞裙为一体的瓷绝缘子，
在伞裙的最顶部是一个大于所有伞裙的最大针罩——防雷冰罩(3)。


2.根据权利要求1所述的半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，其特征在于：所述防雷冰罩(3)的结构为：在针式大伞外表面涂有一金属氧化物半导体釉层(3.1)。


3.根据权利要求1所述的半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，其特征在于：所述柱式瓷绝缘子(4)的伞裙为大小裙在柱体上交替排列的形式。


4.根据权利要求3所述的半导体防雷冰组合式瓷绝缘子，其特征在于：所述柱式瓷绝缘子(4)长度300mm，小伞裙直径130mm，大伞裙直径180mm，伞裙间距50m...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建保，陈启军，申自强，肖娟秀，骆丽杰，杨光远，黎庆辉，周亚芳，林强，孙超，赵丽丽，
申请(专利权)人：江西百新电瓷电气有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36