【技术实现步骤摘要】
测试电路、测试设备以及测试电路测试方法
本申请涉及测试领域,特别是涉及一种测试电路、测试设备以及测试电路测试方法。
技术介绍
雪崩能力是功率器件(MOSFET、IGBT)的关键参数。随着功率器件开关速度的不断提高,当负载是大电流感性负载,比如电机,关断瞬间感性负载会产生电压尖峰。此时功率器件处于雪崩击穿的状态,要承受雪崩能量。因此雪崩能力就是在这种大电流感性负载的情况下,看被测器件能否承受设定的雪崩能量。因此雪崩测试是被测试器件出厂前的重要测试指标。但是,在对大量被测试器件测试时,现有的测试设备测试效率较低,这都影响了工作效率。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种测试电路、测试设备以及测试电路测试方法。一种测试电路,包括:电源;第一开关和二极管,所述第一开关和所述二极管串联于所述电源的正极和所述电源的负极之间,所述二极管的阳极与所述电源的正极连接;电感,所述电感包括第一端和第二端,所述电感的第一端与所述二极管的阴极连接;第二开关,所述第二开关 ...
【技术保护点】
1.一种测试电路,其特征在于,包括:/n电源;/n第一开关和二极管,所述第一开关和所述二极管串联于所述电源的正极和所述电源的负极之间,所述二极管的阳极与所述电源的正极连接;/n电感,所述电感包括第一端和第二端,所述电感的第一端与所述二极管的阴极连接;/n第二开关,所述第二开关的一端与所述电源的正极连接,所述第二开关的另一端与所述电感的第二端连接;以及/n测试端,所述测试端的一端与所述电感的第二端连接,所述测试端的另一端与所述电源的负极连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种测试电路,其特征在于,包括:
电源;
第一开关和二极管,所述第一开关和所述二极管串联于所述电源的正极和所述电源的负极之间,所述二极管的阳极与所述电源的正极连接;
电感,所述电感包括第一端和第二端,所述电感的第一端与所述二极管的阴极连接;
第二开关,所述第二开关的一端与所述电源的正极连接,所述第二开关的另一端与所述电感的第二端连接;以及
测试端,所述测试端的一端与所述电感的第二端连接,所述测试端的另一端与所述电源的负极连接。
2.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述第一开关、所述第二开关中至少一个为绝缘栅双极型晶体管。
3.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,还包括控制电路,所述控制电路分别与所述电源、所述第一开关、所述第二开关、所述测试端连接,所述控制电路用于控制所述电源、所述第一开关、所述第二开关和所述测试端的工作状态。
4.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述电源包括电容,所述电容的正极板作为所述电源的正极、所述电容的负极板作为所述电容的负极,所述电容的正极板与所述第一开关的一端连接,所述第一开关的另一端与所述二极管的阴极连接,所述二极管的阳极与所述电容的负极板连接。
5.如权利要求4所述的测试电路,其特征在于,所述电源还包括充电设备,所述充电设备的正极与所述电容的正极板连接,所述充电设备的负极与所述电容的负极板连接。
6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈跃俊,巩志远,刘兴,袁鑫,
申请(专利权)人:北京华峰测控技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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