电测定型表面等离子体激元共振传感器、电测定型表面等离子体激元共振传感器芯片和表面等离子体激元共振变化的检测方法技术

本发明专利技术提供一种电测定型表面等离子体激元共振传感器，具备等离子体激元共振增强传感器芯片和电测定装置，所述等离子体激元共振增强传感器芯片是将依次配置有电极、硅半导体膜和等离子体激元共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述电极、所述硅半导体膜和所述等离子体激元共振膜电极的顺序配置而成的，所述电测定装置由所述电极和所述等离子体激元共振膜电极直接测定电流或电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电测定型表面等离子体激元共振传感器、电测定型表面等离子体激元共振传感器芯片和表面等离子体激元共振变化的检测方法
本专利技术涉及电测定型表面等离子体激元共振传感器、其中使用的电测定型表面等离子体激元共振传感器芯片和使用它们的表面等离子体激元共振变化的检测方法。
技术介绍
表面等离子体激元共振(SPR：SurfacePlasmonResonance)是指在金属的表面自由电子发生集体振荡运动(等离子体振荡)的状态，具有在金属表面传播的传播型表面等离子体激元共振(PSPR：PropagatingSurfacePlasmonResonance)和在纳米尺寸的金属结构局部存在的局域型表面等离子体激元共振(LSPR：LocalizedSurfacePlasmonResonance)。传播型表面等离子体激元共振是由在发生等离子体振荡的自由电子的周围产生的电场与入射的光的相互作用而产生共振的状态，上述等离子体振荡与沿界面前进的电磁波结合而成的电子纵波(表面等离子体激元极化，SPP：SurfacePlasmonPolariton)沿金属表面传播。另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电测定型表面等离子体激元共振传感器，具备等离子体激元共振增强传感器芯片和电测定装置，/n所述等离子体激元共振增强传感器芯片是将依次配置有电极、硅半导体膜和等离子体激元共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述电极、所述硅半导体膜和所述等离子体激元共振膜电极的顺序配置而成的，/n所述电测定装置由所述电极和所述等离子体激元共振膜电极直接测定电流或电压。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20191018 JP 2019-1912101.一种电测定型表面等离子体激元共振传感器，具备等离子体激元共振增强传感器芯片和电测定装置，
所述等离子体激元共振增强传感器芯片是将依次配置有电极、硅半导体膜和等离子体激元共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述电极、所述硅半导体膜和所述等离子体激元共振膜电极的顺序配置而成的，
所述电测定装置由所述电极和所述等离子体激元共振膜电极直接测定电流或电压。


2.根据权利要求1所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，所述等离子体激元共振膜电极的厚度为200nm以下，但不包含0。


3.根据权利要求1或2所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，在所述等离子体激元共振膜电极与所述电极之间显示整流特性。


4.根据权利要求3所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，所述等离子体激元共振膜电极与所述硅半导体膜的组合是形成肖特基势垒的组合。


5.根据权利要求3所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，在所述硅半导体膜中形成有pn结。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，在所述硅半导体膜与所述等离子体激元共振膜电极之间进一步具备粘接层。


7.根据权利要求6所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，在所述硅半导体膜与所述电极之间显示整流特性。


8.根据权利要求7所述的电测定型表面等离子体激元共振传感器，其中，在所述传感器芯片中，在所述硅半导体膜与所述电极之间的界面中显示由肖特基势垒带来的整流特性。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的电测定型表面等离子体激元共振...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿姆里塔·萨纳，贾尔斯·阿莉森，铃木博纪，加藤英美，安藤正夫，维耶·强·莱，
申请(专利权)人：IMRA日本公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP