【技术实现步骤摘要】
采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置
本技术涉及IGBT驱动
,尤其涉及一种采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT器件基于自身的特性,其驱动装置与MOFET相比有最大的区别是:施加正向栅极电压IGBT的C、E极导通,但关断时其栅极电压不但要低于导通阈值Vgth,还要是负偏压。这样才能使IGBT尽快关断并保持关断,降低米勒效应的影响,不致出现误导通。IGBT器件大多应用于高电压领域,产生驱动脉冲信号的电路均为低压模拟器件和数字器件,因此IGBT功率器件和控制单元之间的电气隔离就非常的必要。目前常用的做法是采用专用的驱动厚膜电路模块,由控制电路产生低压驱动脉冲信号,辅助电源提供专 ...
【技术保护点】
1.采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,包括变压器,所述变压器设有初级绕组和次级绕组,其特征在于:所述初级绕组两端之间连接有变压器驱动电路,所述次级绕组的两端并联有正偏压电路、整流电路和负偏压电路,所述正偏压电路、所述整流电路和所述负偏压电路分别电连接至射极跟随电路,所述射极跟随电路的输出端连接至IGBT功率器件。/n
【技术特征摘要】
1.采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,包括变压器,所述变压器设有初级绕组和次级绕组,其特征在于:所述初级绕组两端之间连接有变压器驱动电路,所述次级绕组的两端并联有正偏压电路、整流电路和负偏压电路,所述正偏压电路、所述整流电路和所述负偏压电路分别电连接至射极跟随电路,所述射极跟随电路的输出端连接至IGBT功率器件。
2.如权利要求1所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述变压器驱动电路包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电容C1,所述电阻R1的输入端连接至控制电源,所述电阻R1的输出端分别连接至所述三极管Q1的基极和所述三极管Q2的基极,所述三极管Q1的集电极连接至辅助电源,所述述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的发射极分别连接至所述电容C1的输入端,所述三极管Q2的集电极接地设置,所述初级绕组连接于所述电容C1的输出端与所述三极管Q2的集电极之间。
3.如权利要求2所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述三极管Q1为NPN开关型三极管,所述三极管Q2为PNP开关型三极管,所述辅助电源为12V,所述初级绕组与所述次级绕组的变比为1:2。
4.如权利要求1所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述正偏压电路包括串联在所述次级绕组两端的二极管D1和电容C3,所述二极管D1的阴极连接至电容C3的输入端,所述二极管D1的阴极还连接至所述射极跟随电路。
5.如权利要求4所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述整流电路包括串联在所述次级绕组两端的电容C2、二极管D2和稳压二极管DZ1,所述二极管D2的阴极连接至所述电容C2,所述二极管D2的阳极连接至所述稳压二极管DZ1的阳极,所述二极管D2的阴极还连接至所述射极跟随电路;
所述负偏压电路包括串联在所述次级绕组两端的稳压二极管DZ2、二极管D3和电容C4,且所述稳压二极管DZ2的阴极连接至所述二极管D3的阴极,所述二极管D3的阳极连接至所述电容C4,所述电容C4连接至所述射极跟随电路。
6.如权利要求4所述的采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置,其特征在于:所述整流电路包括串联在所述次级绕组两端的电容C2、二极管D2和电阻R8,所述二极管D2的阴极连接至所述电容C2,所述二极管D2的阳极连接至所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩锋,姚继忠,龚华刚,潘佩,韩卫峰,
申请(专利权)人:上海汇珏网络通信设备股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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