一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路制造技术

技术编号:29410235 阅读:24 留言:0更新日期:2021-07-23 22:51
本发明专利技术公开了一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,包括锂电池、保险丝、电压检测芯片、场效应晶体管、电容、电阻,所述锂电池包括第一锂电池和第二锂电池,所述电压检测芯片包括第一电压检测芯片和第二电压检测芯片,所述场效应晶体管包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管和第四场效应晶体管,所述电容包括第三电容、第三电容和第三电容,所述电阻包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻。本发明专利技术的多节锂一次电池串接电路防止过放保护有效性优异,可解决锂一次电池使用过程中的过充、过放、短路等问题,可大力推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路
本专利技术属于物联网、锂一次电池保护
,涉及一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路。
技术介绍
锂一次电池放完内部储存的电量,电压达到一定值后,继续放电就会造成过放电,通常锂一次原电池的截止电压为2.0V。电池过放可能会给电池带来灾难性的后果,特别是大电流过放,或反复过放。过放严重的情况下存在爆浆甚至爆炸的风险。现有技术的电池存在以下问题:1)锂一次电池不能过放,过放电池有不可逆转的损坏及安全风险,应防止电池过放现象产生;2)电池串联组大多只会保护一组过放,不会保护串联时任何单节电池的过放;3)电池串接组合时一般以同一批次多串组合,来保证性能一样,但是长期工作后可能会出现差异,某节电量多,个别节电量少,若仍继续使用,电量少的某节电池可能会存在过放。探究解决以上技术问题,成为了新的研发趋势。
技术实现思路
本专利技术提供一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,以解决锂一次电池使用过程中的过充、过放、短路等问题。为解决以上技术问题,本专利技术采用以下技术方案。一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,其特征在于,包括锂电池、保险丝F1、电压检测芯片、场效应晶体管、电容、电阻,所述锂电池包括第一锂电池和第二锂电池,所述电压检测芯片包括第一电压检测芯片U1和第二电压检测芯片U2,所述场效应晶体管包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2、第三场效应晶体管Q3和第四场效应晶体管Q4,所述电容包括第三电容C1、第三电容C2和第三电容C3,所述电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8;所述第一锂电池一端接脚位J1,另一端接脚位J3;第二锂电池一端接脚位J3,另一端接脚位J4;所述保险丝F1与第一锂电池一端接J1的一端连接,另一端连接第八电阻R8、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第一电阻R1和第一场效应晶体管Q1的漏极连接;所述第一电压检测芯片U1的第一脚连接第三电阻R3、第四电阻R4和第三场效应晶体管Q3的漏极;第一电压检测芯片U1的第二脚连接第八电阻R8;第一电压检测芯片U1的第三脚连接J3和第五电阻R5;所述第二电压检测芯片U2的第一脚连接第二电阻R2和第三场效应晶体管Q3的栅极;第二电压检测芯片U2的第二脚连接第五电阻R5、第三场效应晶体管Q3的源极、第二电容C2、第四场效应晶体管Q4的源极和第二场效应晶体管Q2的源极;第二电压检测芯片U2的第三脚连接J4和第六电阻R6和第七电阻R7;所述第一场效应晶体管Q1的栅极连接第一电阻R1、第二场效应晶体管Q2的漏极、第四场效应晶体管Q4的栅极和第二电容C2;第一场效应晶体管Q1的源极连接第三电容C3和输出端VBAT;所述第二场效应晶体管Q2的栅极连接第四场效应晶体管Q4的漏极、第一电容C1、第四电阻R4;所述第三电容C3一端连接第六电阻R6、第七电阻R7和输出端GND。优选地,所述锂一次性电池为锂亚硫酰氯电池。优选地,所述的锂亚硫酰氯电池包括ER14250锂亚硫酰氯电池、ER18505锂亚硫酰氯电池中的一种。优选地,所述第一锂电池和第二锂电池的电压均为3.6V。优选地,所述保险丝F1是电流2.5A可恢复保险丝。优选地,所述场效应晶体管包括Pmos场效应晶体管和Nmos场效应晶体管。优选地,所述Pmos场效应晶体管包括第一Pmos场效应晶体管Q1和第三Pmos场效应晶体管Q3,所述Nmos场效应晶体管包括第二Nmos场效应晶体管Q2和第四Nmos场效应晶体管Q4。优选地,所述第三电容C3是超级电容。优选地,所述超级电容为1F。通过本技术方案,可以实现以下效果:(1)本专利技术设置第一电容C1和第四电阻R4,第四Nmos场效应晶体管Q4和第二电容C2可防止临界点振荡变化导致输出变化,起到变化缓冲作用,保险丝F1、第六电阻R6和第七电阻R7可起到短路保护的作用,第三电容C3可提供大电流供电需求以及防止锂一次电池在临界电压点的开关抖动。(2)本专利技术的多节锂一次电池串接电路防止过放保护有效性优异,可解决锂一次电池使用过程中的过充、过放、短路等问题,可大力推广应用。【附图说明】图1是本专利技术的多节锂一次电池串接防止过放保护电路示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施方式并对照附图对本专利技术作进一步详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。实施例1如图所示1,一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,包括锂电池、保险丝F1、电压检测芯片、场效应晶体管、电容、电阻,所述锂电池包括第一锂电池和第二锂电池,所述电压检测芯片包括第一电压检测芯片U1和第二电压检测芯片U2,所述场效应晶体管包括Pmos场效应晶体管和Nmos场效应晶体管,所述Pmos场效应晶体管包括第一Pmos场效应晶体管Q1和第三Pmos场效应晶体管Q3,所述Nmos场效应晶体管包括第二Nmos场效应晶体管Q2和第四Nmos场效应晶体管Q4,所述电容包括第三电容C1、第三电容C2和第三电容C3,所述电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8。所述第一锂电池一端接脚位J1,另一端接脚位J3;第二锂电池一端接脚位J3,另一端接脚位J4,所述锂一次性电池为锂亚硫酰氯电池,所述的锂亚硫酰氯电池包括ER14250锂亚硫酰氯电池。所述保险丝F1与第一锂电池一端接J1的一端连接,另一端连接第八电阻R8、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第一电阻R1和第一Pmos场效应晶体管Q1的漏极连接。所述第一电压检测芯片U1的第一脚连接第三电阻R3、第四电阻R4和第三Pmos场效应晶体管Q3的漏极;第一电压检测芯片U1的第二脚连接第八电阻R8;第一电压检测芯片U1的第三脚连接J3和第五电阻R5。所述第二电压检测芯片U2的第一脚连接第二电阻R2和第三Pmos场效应晶体管Q3的栅极;第二电压检测芯片U2的第二脚连接第五电阻R5、第三Pmos场效应晶体管Q3的源极、第二电容C2、第四Nmos场效应晶体管Q4的源极和第二Nmos场效应晶体管Q2的源极;第二电压检测芯片U2的第三脚连接J4和第六电阻R6和第七电阻R7。所述第一Pmos场效应晶体管Q1的栅极连接第一电阻R1、第二Nmos场效应晶体管Q2的漏极、第四Nmos场效应晶体管Q4的栅极和第二电容C2;第一Pmos场效应晶体管Q1的源极连接第三电容C3和输出端VBAT(脚位J2)。所述第二Nmos场效应晶体管Q2的栅极连接第四Nmos场效应晶体管Q4的漏极、第一电容C1、第四电阻R4。所述第三电容C3一端连接第六电阻R6、第七电阻R7和输出端GND(脚位J5)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,其特征在于,包括锂电池、保险丝F1、电压检测芯片、场效应晶体管、电容、电阻,所述锂电池包括第一锂电池和第二锂电池,所述电压检测芯片包括第一电压检测芯片U1和第二电压检测芯片U2,所述场效应晶体管包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2、第三场效应晶体管Q3和第四场效应晶体管Q4,所述电容包括第三电容C1、第三电容C2和第三电容C3,所述电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8;/n所述第一锂电池一端接脚位J1,另一端接脚位J3;第二锂电池一端接脚位J3,另一端接脚位J4;/n所述保险丝F1与第一锂电池一端接J1的一端连接,另一端连接第八电阻R8、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第一电阻R1和第一场效应晶体管Q1的漏极连接;/n所述第一电压检测芯片U1的第一脚连接第三电阻R3、第四电阻R4和第三场效应晶体管Q3的漏极;第一电压检测芯片U1的第二脚连接第八电阻R8;第一电压检测芯片U1的第三脚连接J3和第五电阻R5;/n所述第二电压检测芯片U2的第一脚连接第二电阻R2和第三场效应晶体管Q3的栅极;第二电压检测芯片U2的第二脚连接第五电阻R5、第三场效应晶体管Q3的源极、第二电容C2、第四场效应晶体管Q4的源极和第二场效应晶体管Q2的源极;第二电压检测芯片U2的第三脚连接J4和第六电阻R6和第七电阻R7;/n所述第一场效应晶体管Q1的栅极连接第一电阻R1、第二场效应晶体管Q2的漏极、第四场效应晶体管Q4的栅极和第二电容C2;第一场效应晶体管Q1的源极连接第三电容C3和输出端VBAT;/n所述第二场效应晶体管Q2的栅极连接第四场效应晶体管Q4的漏极、第一电容C1、第四电阻R4;/n所述第三电容C3一端连接第六电阻R6、第七电阻R7和输出端GND。/n...

【技术特征摘要】
1.一种多节锂一次电池串接防止过放保护电路,其特征在于,包括锂电池、保险丝F1、电压检测芯片、场效应晶体管、电容、电阻,所述锂电池包括第一锂电池和第二锂电池,所述电压检测芯片包括第一电压检测芯片U1和第二电压检测芯片U2,所述场效应晶体管包括第一场效应晶体管Q1、第二场效应晶体管Q2、第三场效应晶体管Q3和第四场效应晶体管Q4,所述电容包括第三电容C1、第三电容C2和第三电容C3,所述电阻包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8;
所述第一锂电池一端接脚位J1,另一端接脚位J3;第二锂电池一端接脚位J3,另一端接脚位J4;
所述保险丝F1与第一锂电池一端接J1的一端连接,另一端连接第八电阻R8、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第一电阻R1和第一场效应晶体管Q1的漏极连接;
所述第一电压检测芯片U1的第一脚连接第三电阻R3、第四电阻R4和第三场效应晶体管Q3的漏极;第一电压检测芯片U1的第二脚连接第八电阻R8;第一电压检测芯片U1的第三脚连接J3和第五电阻R5;
所述第二电压检测芯片U2的第一脚连接第二电阻R2和第三场效应晶体管Q3的栅极;第二电压检测芯片U2的第二脚连接第五电阻R5、第三场效应晶体管Q3的源极、第二电容C2、第四场效应晶体管Q4的源极和第二场效应晶体管Q2的源极;第二电压检测芯片U2的第三脚连接J4和第六电阻R6和第七电阻R7;
所述第一场效应晶体管Q1的栅极连接第一电阻R1、第二场效应晶体管Q2的漏极、第四场效应晶体管Q4的栅极和第二电容C2;第一场效应晶体管Q1的源极连接第三电容C3和输出端V...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈阜东丁志扬谭卫国
申请(专利权)人:矽朋微电子无锡有限公司广西睿奕新能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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