【技术实现步骤摘要】
过压保护电路及设备
示例涉及过压保护电路,例如用于适于至少传送电能的设备接口。其他示例涉及一种可包括用于至少传送电能的接口和过压保护电路的设备。
技术介绍
在客户电子设备中,例如移动电话中,提供接口以启用至少对设备充电的电源。例如,可以经由公共接口或连接启用电源和数据交换这两者。例如,这样的接口(例如,数据和电源接口)可以在对设备进行充电的同时实现设备的同步。例如,通过USBtype-C接口对消费者设备进行快速充电或高速充电在今天越来越流行。例如,用于快速充电的USB功率输出(PD)协议可支持高达20V的充电电压。然而,并非所有设备都可以被配置为使用这种高电压电源来充电。因此,一些设备可能需要过压保护(OVP),例如,以避免由于高压(例如20V)充电器而损坏设备。此外,在USB功率输出应用中,对USBtype-C接口的配置通道(CC)引脚的过压保护可能是必要的。这种USBtype-C接口中的配置通道引脚(例如CC触点)可能具有接触高充电电压的风险(例如,由于CC引脚和电源引脚之间的短路),并且可能导致损坏。配 ...
【技术保护点】
1.一种过压保护电路(10),用于适于至少传送电能的设备接口(102),所述过压保护电路(10)包括:/n第一端子(12)和第二端子(14);/n常通晶体管(20),其中所述常通晶体管(20)的漏极触点(D)被电耦合到所述第一端子(12),并且所述常通晶体管(20)的源极触点(S)被电耦合到所述第二端子(14);以及/n控制电路(30),被配置为根据所述第一端子(12)处的电压和所述第二端子(14)处的电压中的至少一个,来关断所述常通晶体管(20)。/n
【技术特征摘要】
20200122 EP 20153136.51.一种过压保护电路(10),用于适于至少传送电能的设备接口(102),所述过压保护电路(10)包括:
第一端子(12)和第二端子(14);
常通晶体管(20),其中所述常通晶体管(20)的漏极触点(D)被电耦合到所述第一端子(12),并且所述常通晶体管(20)的源极触点(S)被电耦合到所述第二端子(14);以及
控制电路(30),被配置为根据所述第一端子(12)处的电压和所述第二端子(14)处的电压中的至少一个,来关断所述常通晶体管(20)。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路(10),
其中所述常通晶体管(20)是氮化镓晶体管。
3.根据权利要求1所述的过压保护电路(10),
其中所述常通晶体管(20)是耗尽型硅场效应晶体管。
4.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10),
其中所述控制电路(30)被配置为:如果所述第一端子(12)处的电压和所述第二端子(14)处的电压中的至少一个达到电压阈值或上升到所述电压阈值以上,则关断所述常通晶体管(20)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10),
其中所述控制电路(30)包括电压检测电路(40),所述电压检测电路(40)被配置为:取决于所述第一端子(12)处的电压或所述第二端子(14)处的电压是高于还是低于所述电压阈值而提供具有电压电平的检测信号。
6.根据权利要求5所述的过压保护电路(10),
其中所述电压检测电路(40)包括串联连接的二极管(42)和分压器(R1,R2),其中所述检测信号由所述分压器(R1,R2)提供。
7.根据权利要求6所述的过压保护电路(10),
其中所述二极管(42)是齐纳二极管。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:方杰,H·G·海斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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