一种SoC的Bootstrap自动设置结构制造技术

技术编号:29409827 阅读:43 留言:0更新日期:2021-07-23 22:50
本实用新型专利技术公开的SoC的Bootstrap自动设置结构包括设置SoC的板卡,其中,所述板卡上设置为所述SoC提供文件的闪存,SD卡插槽及SD存储卡;所述SD卡插槽和所述闪存电性连接所述SoC;所述SD卡插槽电性连接Bootstrap设置电路;所述Bootstrap设置电路电性连接所述SoC。本申请提供的SoC的Bootstrap自动设置结构通过当没有所述SD存储卡插入所述SD卡插槽时,所述SoC读取默认的Bootstrap配置信息,并从所述闪存读取文件启动;当有所述SD存储卡插入所述SD卡插槽时,所述Bootstrap配置电路使得变Bootstrap配置信息变更,所述SoC读取变更后的变Bootstrap配置信息从相应的所述SD存储卡读取文件启动。通过在不同的SD存储卡配置不同的功能程序,可以很方便的通过插接所述SD存储卡对所述SoC进行测试、验证、维护。

【技术实现步骤摘要】
一种SoC的Bootstrap自动设置结构
本技术涉及Bootstrap控制领域,尤其涉及一种SoC的Bootstrap自动设置结构。
技术介绍
Bootstrap,芯片上电/复位后的默认配置过程。SoC在上电或者复位之后需要读取相应的Bootstrap配置信息,系统会按照配置信息选择相应的系统路径,而且由于SoC在上电和复位后系统尚未启动,因此Bootstrap配置信息一般通过硬件提供。在产品的研发、测试和维护过程中,需要频繁的重启切换系统路径来进行各种测试验证。现有技术为通过排针和跳帽进行比特位设置来改变Bootstrap配置信息,通过跳帽连接不同的管脚调整输出电平为高电平或者低电平,捉个通过跳帽和排针设置比特位极为不便,需要先查阅每种Bootstrap配置信息的功能,然后按照Bootstrap配置信息进行跳帽连接,过程中容易出现差错。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提供一种SoC的Bootstrap自动设置结构,包括设置SoC的板卡,其中,所述板卡上设置为所述SoC提供文件的闪存,SD卡插槽及SD存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SoC的Bootstrap自动设置结构,其特征在于,包括设置SoC的板卡(1),其中,/n所述板卡(1)上设置为所述SoC提供文件的闪存(2),SD卡插槽(3)及SD存储卡(4);/n所述SD卡插槽(3)和所述闪存(2)电性连接所述SoC;/n所述SD卡插槽(3)电性连接Bootstrap设置电路(5);/n所述Bootstrap设置电路(5)电性连接所述SoC。/n

【技术特征摘要】
1.一种SoC的Bootstrap自动设置结构,其特征在于,包括设置SoC的板卡(1),其中,
所述板卡(1)上设置为所述SoC提供文件的闪存(2),SD卡插槽(3)及SD存储卡(4);
所述SD卡插槽(3)和所述闪存(2)电性连接所述SoC;
所述SD卡插槽(3)电性连接Bootstrap设置电路(5);
所述Bootstrap设置电路(5)电性连接所述SoC。


2.根据权利要求1所述的SoC的Bootstrap自动设置结构,其特征在于,所述Bootstrap设置电路(5)为高电平触发Bootstrap设置电路或低电平触发Bootstrap设置电路。


3.根据权利要求2所述的SoC的Bootstrap自动设置结构,其特征在于,所述高电平触发Bootstrap设置电路包括第一N型场效应管Q1,所述第一N型场效应管Q1的栅极电性连接所述SD卡插槽(3)的在位检测触点,所述第一N型场效应管Q1的栅极经电阻R1接VCC电源,所述第一N型场效应管Q1的源极接地,漏极经电阻R3接VCC电源,所述第一N型场效应管Q1的漏极接第二N型场效应管Q2的栅极,所述第二N型场效应管Q2的源极接三管脚排针的二号管脚,所述第二N型场效应管Q2的漏极接第三N型场效应管Q3的漏极,所述第三N型场效应管Q3的栅极连接所述第一N型场效应管Q1的栅极,所述第三N型场效应管Q3的源极接地,所述第二N型场效应管Q2和所述第三N型场效应管Q3的漏极经电阻R4接VCC电源,所述第二N型场效应管Q2和所述第三N型场效应管Q3的漏极电性连接所述SoC,所述三管脚排针的一号管脚电性连接VCC电源,所述三管脚排针的三号管脚电性接地。


4.根据权利要求2所述的SoC的Bootstrap自动设置结构,其特征在于,所述高电平触...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩大峰刘铁军刘丹
申请(专利权)人:苏州浪潮智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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