一种R-T-B磁体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分：R：≥30.0wt.％，所述R为稀土元素；Cu：0.16～0.6wt.％；Ti：0.4～0.8wt.％；Ga：≤0.2wt.％；B：0.955～1.2wt.％；Fe：58～69％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。本发明专利技术中的R‑T‑B磁体具备较高的剩磁、矫顽力、方形度和高温稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种R-T-B磁体及其制备方法
本专利技术涉及一种R-T-B磁体及其制备方法。
技术介绍
钕铁硼永磁体材料作为一类重要的稀土功能材料，拥有优良的综合磁性能，被广泛应用于电子行业、电动汽车等诸多领域。但目前的钕铁硼磁体材料的温度稳定的较差，使其在高温领域的应用受到限制。例如中国专利文献CN102412044A公开了一种钕铁硼磁体材料，其包括以下质量含量的组分：Nd：23～30％、Dy：0.5～8％、Ti：0.2～0.5％、Co：2.5～4、Nb：0.2～3.8％、Cu：0.05～0.7％、Ga：0.01～0.9％、B：0.6～1.8％。该专利文献仅仅记载了该配方通过Ti、Ga和Co复合添加的方式，将材料的耐腐蚀性大大提高，同时Ga替代Dy在材料中发挥部分作用，降低了成本。但是该专利中并未进一步研究其会对磁体材料的性能产生何种影响。其实施例公开了以质量含量的组分：Nb：28.3％、Dy：3.2％、Ti：0.3％、Co：2.7％、Nb：0.7％、Cu：0.4％、Ga：0.25％、B：1.2％。该磁体材料的配方并不能够充分利用各个元素对钕铁硼类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R-T-B磁体，其特征在于，其包括以下组分：R：≥30.0wt.％，所述R为稀土元素；/nCu：0.16～0.6wt.％；/nTi：0.4～0.8wt.％；/nGa：≤0.2wt.％；/nB：0.955～1.2wt.％；/nFe：58～69％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。/n

【技术特征摘要】
1.一种R-T-B磁体，其特征在于，其包括以下组分：R：≥30.0wt.％，所述R为稀土元素；
Cu：0.16～0.6wt.％；
Ti：0.4～0.8wt.％；
Ga：≤0.2wt.％；
B：0.955～1.2wt.％；
Fe：58～69％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。


2.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R的含量在30.5wt.％以上，较佳地为30.5～32wt.％，例如30.6wt.％或32wt.％；
和/或，所述R还包括Nd；
其中，所述Nd的含量较佳地为29～31wt.％，例如28.6wt.％、29.6wt.％、29.8wt.％、30wt.％、30.2wt.％、30.4wt.％、30.6wt.％或31wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比；
和/或，所述R中还包括Pr和/或RH，所述RH为重稀土元素；
其中，所述Pr的含量较佳地在0.3wt.％以下；
其中，所述RH的含量较佳地在2wt.％以下，例如0.2wt.％、0.4wt.％、0.6wt.％、0.8wt.％、1wt.％或2wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比；
其中，所述RH的种类较佳地包括Tb和/或Dy；
当所述R中含有Tb时，所述Tb的含量较佳地在1.4wt.％以下，例如0.2wt.％、0.4wt.％、0.5wt.％、0.6wt.％、0.8wt.％或1wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比；
当所述R中含有Dy时，所述Dy的含量较佳地为0.5～2wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比；
所述RH的原子百分含量与所述R的原子百分含量的比值较佳地为0.1以下，例如0.02、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08或0.09，所述的原子百分比含量是指占各组分总含量的原子百分比。


3.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述Cu的含量为0.16～0.45wt.％，例如0.16wt.％、0.21wt.％、0.34wt.％或0.45wt.％，较佳地为0.16～0.35wt.％；
和/或，所述Ti的含量为0.4～0.7wt.％，例如0.4wt.％、0.45wt.％、0.55wt.％、0.6wt.％或0.7wt.％，较佳地为0.4～0.5wt.％；
和/或，所述Ga的含量为0.01～0.19wt.％，例如0.01wt.％、0.02wt.％、0.06wt.％或0.19wt.％，较佳地为0.01～0.06wt.％；
和/或，所述B的含量为0.96～1.15wt.％，例如0.96wt.％、1wt.％、1.04wt.％或1.15wt.％；
和/或，所述B的原子百分含量与所述R-T-B磁体中R的原子百分含量的比值在0.35以上，例如0.401、0.420、0.436、0.437、0.438、0.455或0.503，较佳地为0.42～0.51；
和/或，所述Fe的含量为66～68wt.％，例如66.3wt.％、66.66wt.％、66.68wt.％、67.09wt.％、67.43wt.％、67.5wt.％、67.54wt.％、67.57wt.％、67.58wt.％、67.64wt.％、67.67wt.％、67.68wt.％、67.7wt.％、67.75wt.％或67.8wt.％。


4.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述的R-T-B磁体还含有Al；
其中，所述Al的含量较佳地在0.18wt.％以下，例如0.02wt.％、0.04wt.％、0.05wt.％、0.06wt.％、0.07wt.％或0.14wt.％，更佳地为0.02～0.08wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比；
和/或，所述的R-T-B磁体还含有Co；
其中，所述Co的含量较佳地为0.5～1.5wt％，例如1wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比。


5.如权利要求1～4中任一项所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述的R-T-B磁体还包括TixCuyB1-x-y相，x为20～30，y为20～30，1-x-y为40～60，x、y、1-x-y分别是指Ti、Cu、B分别在所述TixCuyB1-x-y相中的原子百分含量占比；所述TixCuyB1-x-y相位于晶间三角区，所述TixCuyB1-x-y相的面积与“富钕相和晶间三角区”总面积的比为1～5％；
其中，所述x的值例如为21、22、23、24、25或27；
其中，所述y的值例如为21、22、23、24、25、26或27；
其中，所述1-x-y的值例如为48、49、50、51、52、53、55或58；
其中，所述TixCuyB1-x-y相的面积与所述“富钕相和晶间三角区”总面积的比较佳地为2.5～4％，例如2.9％、3.2％、3.4％、3.5％、3.6％、3.7％或3.9％。


6.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd29.6wt.％、Tb1wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.04wt.％和Fe67.68wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti23Cu25B52相，所述Ti23Cu25B52相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.5％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd29.8wt.％、Tb0.8wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.05wt.％和Fe67.67wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti23Cu24B53相，所述Ti23Cu24B53相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.4％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd30wt.％、Tb0.6wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.04wt.％、和Fe67.68wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti22Cu26B52相，所述Ti22Cu26B52相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.6％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd30.2wt.％、Tb0.4wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.08wt.％和Fe67.64wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti25Cu25B50相，所述Ti25Cu25B50相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.5％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd30.4wt.％、Tb0.2wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.02wt.％和Fe67.7wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti24Cu26B50相，所述Ti24Cu26B50相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.5％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd30.6wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.05wt.％和Fe67.67wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti22Cu23B55相，所述Ti22Cu23B55相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.2％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd29.6wt.％、Tb1wt.％、Co1wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.04wt.％和Fe66.68wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti26Cu25B49相，所述Ti26Cu25B49相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.6％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分：Nd30.6wt.％、Co1wt.％、Cu0.21wt.％、Ti0.45wt.％、B1wt.％、Ga0.02wt.％、Al0.06wt.％和Fe66.66wt.％，wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比；所述R-T-B磁体的晶间三角区中含有Ti24Cu25B51相，所述Ti24Cu25B51相的面积与“富钕相和晶间三角区”的总面积比为3.2％；
或者，所述R-T-B磁体包括以下组分...

【专利技术属性】
技术研发人员：牟维国，黄佳莹，
申请(专利权)人：福建省长汀金龙稀土有限公司，厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35