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交变磁场监测测量装置及系统制造方法及图纸

技术编号:29397764 阅读:42 留言:0更新日期:2021-07-23 22:34
本申请涉及交变磁场监测测量装置及系统,具体而言,涉及交变磁场的测量领域。本申请提供的交变磁场监测测量装置包括:第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底;第一磁性条和第二磁性条会在交变磁场作用下产生热量,又由于第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第二光纤与第一光纤之间,则当第一磁性条和第二磁性条在在交变磁场的作用下产生热量的时候,第一热膨胀部和第二热膨胀部吸收热量后发生膨胀,进而使得第一光纤和第二光纤形变,从而改变第一光纤和第二光纤的透射率,进而根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系,得到待测交变磁场的强度。

【技术实现步骤摘要】
交变磁场监测测量装置及系统
本申请涉及交变磁场的测量领域,具体而言,涉及交变磁场监测测量装置及系统。
技术介绍
交变磁场就是交变电流产生的交变磁场。交变磁场的大小和方向都会随着时间按照一定的规律变化。现有技术中,对交变磁场的测量是通过示波器或者电流检测装置对交变磁场进行测量。但是,由于交变测量的变化的特性,使得现有技术中的测量技术,均误差对交变磁场进行准确的描述与测量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种交变磁场监测测量装置及系统,以解决现有技术中由于交变测量的变化的特性,使得现有技术中的测量技术,均误差对交变磁场进行准确的描述与测量的问题。为实现上述目的,本专利技术实施例采用的技术方案如下:第一方面,本申请提供一种交变磁场监测测量装置,装置包括:第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底;第一光纤设置在基底的一侧,第一磁性条设置在第一光纤的外壁上,第二光纤为弯折光纤,第二光纤的形状为“U”形,“U”形的第二光纤的底部与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交变磁场监测测量装置,其特征在于,所述装置包括:第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底;所述第一光纤设置在所述基底的一侧,所述第一磁性条设置在所述第一光纤的外壁上,所述第二光纤为弯折光纤,所述第二光纤的形状为“U”形,“U”形的所述第二光纤的底部与所述第一光纤远离基底一侧的面相切设置,所述第二磁性条设置在所述第二光纤的外壁上,所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部设置在所述第一光纤和所述第二光纤之间,且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部均设置在“U”形的所述第二光纤的两侧,用于支撑所述第二光纤,且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部靠近“U”形的所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种交变磁场监测测量装置,其特征在于,所述装置包括:第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底;所述第一光纤设置在所述基底的一侧,所述第一磁性条设置在所述第一光纤的外壁上,所述第二光纤为弯折光纤,所述第二光纤的形状为“U”形,“U”形的所述第二光纤的底部与所述第一光纤远离基底一侧的面相切设置,所述第二磁性条设置在所述第二光纤的外壁上,所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部设置在所述第一光纤和所述第二光纤之间,且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部均设置在“U”形的所述第二光纤的两侧,用于支撑所述第二光纤,且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部靠近“U”形的所述第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的所述第二光纤的底部的高度。


2.根据权利要求1所述的交变磁场监测测量装置,其特征在于,所述装置还包括金属颗粒层,所述金属颗粒层设置在所述第一光纤靠近所述第二光纤的一侧。


3.根据权利要求2所述的交变磁场监测测量装置,其特征在于,所述金属颗粒层的材料为贵金属材料。


4.根据权利要求3所述的交变磁场监测测量装置,其特征在于,所述金属颗粒层的材料为金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂中至少一种。


5.根据权利要求4所述的交变磁场监测测量装...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:李润生
类型:发明
国别省市:山西;14

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