一种P掺杂SnS制造技术

本发明专利技术提供了一种P掺杂SnS

【技术实现步骤摘要】
一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法
本专利技术属于光电催化、析氧电极材料
，具体涉及一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂，还涉及该P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法。
技术介绍
光电催化分解水在将太阳能转化为清洁化学燃料方面具有潜在的前景，所以开发出优异的光电催化剂对于光电催化(PEC)的发展尤为重要。二硫化锡(SnS2)是一种出色的二维n型半导体材料，并且SnS2地球含量丰富，结构简单，成本低廉且对生态友好，因此已将其确定为可持续设备应用的新兴材料。近些年，已经有实验表明，半导体中的掺杂可以有效地导致带隙变窄，粒径减小，并且可以充当电子/空穴能带中心。此外，杂原子掺杂的优点之一是它不会改变基体材料的成分，可以保留其本身所需的固有特性。因此，我们可以通过对SnS2进行离子掺杂，以达到更好的光电催化性能。
技术实现思路
本专利技术第一目的在于提供一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，解决现有SnS2纳米片光电催化分解水性能不够优异的问题。本专利技术第二目的在于提供一种上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种P掺杂SnS

【技术特征摘要】
1.一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，并使用双温区管式炉进行反应，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；
(2)将上述SnS2纳米片同样采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，P：S的摩尔比为1：10-5：10；同时，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，上温区、下温区的温度分别为250-300℃、3300-400℃，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。


2.根据权利要求1所述P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中SnCl4·5H2O与硫粉的质量比大于等于1比2。


3.根据权利要求1所述P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，其特征在于，所述导电基质材料为FTO、钛片、TiO2纳米管阵列、钨箔。


4.根据权利要求1所述P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中在双温控真空气氛管式炉进行化学气相沉积合成二硫化锡纳米片阵列，具体操作如下：将硫粉置于上游加热区的烧舟中，四氯化锡置于下游加热区的烧舟中，同时，导电基底材料置于下游加热区后，在氩气氛围中，将上游加热区升温至200-350℃，下游加热区升温至400-...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇平，庄杨，吕慧丹，李伟，黄成，王子良，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45