一种六方晶系的RhO制造技术

本发明专利技术公开了一种RhO

【技术实现步骤摘要】
一种六方晶系的RhO2晶体及其制备方法和应用
本专利技术属于新材料及晶体生长
，特别涉及一种六方晶系的RhO2晶体及其制备方法和应用。
技术介绍
4d和5d过渡金属氧化物材料由于独特的电子特性，一直是基础科学和应用科学的研究焦点。例如，MoO2表现出巨大的磁电阻效应(Q.Chen,Z.F.Lou,etal.,Phys.Rev.B102,165133(2020).)；ReO2是一种新型拓扑材料(S.S.Wang,Y.Liu,etal.,Nat.Commun.8,1844(2017).)；RuO2不仅是一种具有平带特征表面态的节线拓扑半金属材料，还表现出反常的反铁磁性(V.Jovic,R.J.Koch,S.K.Panda,etal.,Phys.Rev.B98,241101(R)(2018).；Z.H.Zhu,J.Strempfer,etal.,Phys.Rev.Lett.122,017202(2019).)；IrO2具有很强的自旋轨道耦合作用(J.N.Nelson,J.P.Ruf,etal.,Phys.Rev.Materials.3,0642本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RhO

【技术特征摘要】
1.一种RhO2晶体，其特征在于，所述RhO2晶体属于六方晶系，空间群为P63/mmc(No.194)，其晶格常数为


2.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述晶体在高温下表现为金属行为，在100-150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2-300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。


3.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，根据Mott(莫特)跳跃电导理论，其公式为：ρ(T)＝Aexp(1/T1/4)，其中，ρ(T)为在温度为T时的电阻率，A是常数；T为温度(以K计)；
根据Mott跳跃电导理论，通过电阻温度依赖测试分析表明，所述晶体出现的金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott转变，即所述RhO2晶体是一种莫特绝缘体。


4.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述RhO2晶体为单晶体，所述RhO2单晶体的至少一个维度的尺寸达毫米级。
优选地，所述RhO2单晶体的至少一个维度的尺寸为1mm以上，优选为1-4mm。


5.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述单晶体呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕洋洋，卢浩敏，姚淑华，陈延彬，周健，陈延峰，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32