基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液；将混合溶液与开设有多个通孔的基体表面相接触，使混合溶液和基体表面的接触处形成气液界面；在基体和混合溶液处于静置状态下对混合溶液按预设温度、预设时间进行加热，使气液界面处生成附着在基体上的石墨烯自组装层；对石墨烯自组装层进行干燥处理，得到石墨烯自组装薄膜。本发明专利技术通过小孔诱导自组装形成石墨烯薄膜，不受过滤和LB膜提拉的限制，对于形状不规则的基体也可以在基体表面形成石墨烯薄膜，生产便利。

【技术实现步骤摘要】
基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法
本专利技术涉及石墨烯材料
，具体涉及一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法。
技术介绍
石墨烯薄膜是一种新型材料，具有高导电性、高导热性和超柔性，但石墨烯薄膜的制备不易，故有大量的研究集中于石墨烯薄膜制备方法。目前，在石墨烯薄膜的制备方法方面，存在以下问题：(1)通过过滤石墨烯分散液制备石墨烯薄膜，无法制备大面积的石墨烯薄膜。(2)制备石墨烯薄膜时，对于外形不规则的基体，不能在基体表面所有区域无遗漏的生成石墨烯薄膜。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术提出一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，利用氧化石墨烯还原的化学反应过程，借助滤膜通过小孔诱导还原后的氧化石墨烯自组装制备石墨烯薄膜。本专利技术采用的技术方案如下：第一方面，提供了一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，包括以下步骤：一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，包括以下步骤：制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；/n将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液；/n将混合溶液与开设有多个通孔的基体表面相接触，使混合溶液和基体表面的接触处形成气液界面；/n在基体和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热，使气液界面处生成附着在基体上的石墨烯自组装层；/n对石墨烯自组装层进行干燥处理，得到石墨烯自组装薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液；
将氧化石墨烯溶液、还原剂溶液按比例均匀混合形成混合溶液；
将混合溶液与开设有多个通孔的基体表面相接触，使混合溶液和基体表面的接触处形成气液界面；
在基体和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热，使气液界面处生成附着在基体上的石墨烯自组装层；
对石墨烯自组装层进行干燥处理，得到石墨烯自组装薄膜。


2.根据权利要求1所述的基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述基体具有半封闭结构或全封闭结构。


3.根据权利要求2所述的基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，所述半封闭结构为管形结构，所述基体为管形基体。


4.根据权利要求3所述的基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，将混合溶液与开设有多个通孔的基体表面相接触，具体如下：
将管形基体的一端封堵；
将混合溶液倒入管形基体中，使管形基体的内壁形成气液界面。


5.根据权利要求3所述的基于气液界面的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法，其特征在于，将混合溶液与开设有多个通孔的基体表面相接触，具体如下：
将管形基体的两端封堵，封堵后在管形基体内部保留有气体；
将管形基体部分或全部浸没入混合溶液中，使管形基体的部分外表面区域或整个外表面形成气液界面。


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【专利技术属性】
技术研发人员：向旭，刘昱维，徐志康，
申请(专利权)人：重庆交通大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50