一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，包括按照从AC输入到DC输出的方向依次连接的EMI滤波与整流电路模块、APFC有源功率因数校正电路模块、PWM控制电路模块、功率开关氮化镓芯片U4、开关变压器T1A、输出整流滤波电路模块，其中，APFC有源功率因数校正电路模块通过连接PFC控制电路模块实现功率因数校正，在输出整流滤波电路模块与PWM控制电路模块之间设置有用于输出电压检测反馈的电压检测反馈回路，电压检测反馈回路包括光耦合器和电压检测采样电路模块，输出整流滤波电路模块通过电压检测采样电路模块连接光耦合器，所述光耦合器连接PWM控制电路模块。本实用新型专利技术提高了驱动电源的性能并实现了驱动电源的小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路
本技术涉及驱动电源
，具体涉及一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路。
技术介绍
在电力电子电器设备中，高效的电力转换是实现环保节能的重要手段。高效电力转换是通过高效的开关器件来实现的。目前在驱动电源电路中的开关器件普遍采用硅基功率半导体器件。但是传统的硅材料的功率器件性能己逐渐到了瓶颈，从以硅为材料的晶体管、场效应管、栅极控制的晶体管IGBT以及二极管等，再到如今日益发展的第三代宽禁带半导体材料氮化稼(GaN)为基础的开关器件，第三代氮化稼器件宽禁带半导体器件中的氮化稼功率器件相对于硅材料的MOSFET具有更小的导通阻抗，可以承受更高的开关频率。氮化稼具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、高的化学稳定性(几乎不被任何酸腐蚀)和强的抗辐照能力等性质，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。功率半导体器件是电力电子技术的基础，是电力电子设备的构成核心，其在工作过程中，有两种功率损耗：器件开关损耗和导通损耗，器件工作在高频时，主要是开启和关断损耗。器件在实际应用中，要求开启本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，包括按照从AC输入到DC输出的方向依次连接的EMI滤波与整流电路模块、APFC有源功率因数校正电路模块、PWM控制电路模块、功率开关氮化镓芯片U4、开关变压器T1A、输出整流滤波电路模块，其中，所述APFC有源功率因数校正电路模块通过连接PFC控制电路模块实现功率因数校正，在所述输出整流滤波电路模块与所述PWM控制电路模块之间设置有用于输出电压检测反馈的电压检测反馈回路，所述电压检测反馈回路包括光耦合器和电压检测采样电路模块，所述输出整流滤波电路模块通过所述电压检测采样电路模块连接所述光耦合器，所述光耦合器连接PWM控制电路模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，包括按照从AC输入到DC输出的方向依次连接的EMI滤波与整流电路模块、APFC有源功率因数校正电路模块、PWM控制电路模块、功率开关氮化镓芯片U4、开关变压器T1A、输出整流滤波电路模块，其中，所述APFC有源功率因数校正电路模块通过连接PFC控制电路模块实现功率因数校正，在所述输出整流滤波电路模块与所述PWM控制电路模块之间设置有用于输出电压检测反馈的电压检测反馈回路，所述电压检测反馈回路包括光耦合器和电压检测采样电路模块，所述输出整流滤波电路模块通过所述电压检测采样电路模块连接所述光耦合器，所述光耦合器连接PWM控制电路模块。


2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，所述EMI滤波与整流电路模块包括依次连接在AC输入的火线与零线之间的可调电阻VAR1、励磁线圈LF2、电容CX1、励磁线圈LF1、串联电阻R48-R47-R60、电容CX2、贴片式整流桥BD1。


3.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，所述APFC有源功率因数校正电路模块包括连接在所述贴片式整流桥BD1电压输出端的整流电压输出正极线HB+和整流电压输出负极线，所述整流电压输出正极线HB+上依次设置有带铁芯电感线圈L1、正温度系数的热敏电阻TH1、带铁芯电感线圈T2B、一对并联二极管D10，所述整流电压输出负极线上设置有电阻RS2，所述整流电压输出正极线HB+和整流电压输出负极线分别设置有电容C29和增强型N-MOS场效应管Q3，所述增强型N-MOS场效应管Q3的漏极连接所述整流电压输出正极线HB+、源极连接所述整流电压输出负极线，所述增强型N-MOS场效应管Q3的漏极与源极之间并联有电容C35。


4.根据权利要求3所述的一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，所述PFC控制电路模块包括功率因数校正控制器芯片U8，所述增强型N-MOS场效应管Q3的源极引出电阻R64与所述增强型N-MOS场效应管Q3的栅极连接后再通过串联设置的二极管D13及电阻R63连接至所述功率因数校正控制器芯片U8的管脚DRV，所述串联设置的二极管D13及电阻R63的两端并联有电阻R65；所述功率因数校正控制器芯片U8的管脚VCC连接所述PWM控制电路模块。


5.根据权利要求4所述的一种基于氮化镓功率芯片的驱动电源电路，其特征在于，所述PWM控制电路模块包括准谐振反激控制器芯片U5，所述APFC有源功率因数校正电路模块的整流电压输出正极线HB+上位于所述热敏电阻TH1与所述带铁芯电感线圈T2B之间的位置引出有一路电压供电线，所述电压供电线与所述整流电压输出正极线HB+的输出端之间连接有二极管D9，所述电压供电线通过串联电阻R6-R13连接至所述准谐振反激控制器芯片U5的管脚VH，所述开关变压器T1A上引出有一组电感线圈T1B，所述电感线圈T1B的正极端通过电阻R24和二极管D6连接至所述准谐振反激控制器芯片U5的管脚Zcd/Opp，所述电感线圈T1B的正极端依次通过正向设置的二极管D5、二极管D8、三极管Q2和二极管D3分别连接至所述准谐振反激控...

【专利技术属性】
技术研发人员：王万里，
申请(专利权)人：江阴旺达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32