一种滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供的滤波器，通过在滤波器本体的上表面设置第一负耦合孔，在滤波器本体的下表面设置第二负耦合孔，使第一负耦合孔、第二负耦合孔位于滤波器的两个谐振器的连接位置，能够通过第一负耦合孔、第二负耦合孔的共同作用实现这两个谐振器之间的电容耦合，该滤波器无需设置导电隔断层，加工工序简单，成本低，由于第一负耦合孔和第二负耦合孔的存在，可以大大降低负耦合孔的深度，烧结时负耦合孔底壁的变形小，平整度好，通过使第一负耦合孔、第二负耦合孔相互独立的设置，能够降低这两个负耦合孔互相之间的干扰，对滤波器的电气性能的影响小，通过使第一负耦合孔、第二负耦合孔的轴心线相重合，加工方便，便于制作。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器
本申请涉及电子通信设备领域，特别涉及一种滤波器。
技术介绍
传统滤波器存在着体积大，损耗高，介电常数不高等缺陷，无法完美迎合5G通信大时代的到来。由此，介质波导滤波器应运而生，它在相同的谐振频率下，介质材料的介电常数更高，体积更小。随着基站性能的不断提高，对滤波器的性能要求也越来越高，传统的介质波导滤波器多采用电感耦合的方式，难以满足对滤波器频段近端的抑制等特定电气性能要求，为解决这一问题，市场上出现了采用电容耦合的介质滤波器，如国际专利申请WO2018148905A1就公开了一种通过在介质块上设置通孔和导电隔断层实现谐振腔之间电容耦合的介质滤波器，但该方案需要额外设置导电隔断层，工序复杂，需使用额外的设备，成本高，又如中国技术专利CN104604022B就公开了一种通过在由固态介电材料制成的本体上打盲孔的方式实现盲孔两侧谐振器之间电容耦合的介质滤波器，但该方案中盲孔的孔深较深，孔径较小，加工难度大，并且，烧结时盲孔底壁因上凸或下凹造成的变形大，严重影响盲孔的精度，进而影响介质滤波器的电气性能。技术内容本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器，包括至少两个谐振器，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的谐振器本体和位于所述谐振器本体上的谐振孔，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔用于调整所述谐振器的频率；所有所述谐振器本体构成滤波器本体，所述滤波器还包括：/n负耦合孔，所述负耦合孔为盲孔，所述负耦合孔包括第一负耦合孔和第二负耦合孔，所述第一负耦合孔位于所述滤波器本体的上表面，所述第二负耦合孔位于所述滤波器本体的下表面；/n导电层，所述导电层覆盖在所述滤波器本体的表面、所述谐振孔的内壁表面和所述负耦合孔的内壁表面；/n其特征在于：/n所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔相互独立的设置，所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔的轴心线相重合；/n...

【技术特征摘要】
20191231 CN 20191140456361.一种滤波器，包括至少两个谐振器，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的谐振器本体和位于所述谐振器本体上的谐振孔，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔用于调整所述谐振器的频率；所有所述谐振器本体构成滤波器本体，所述滤波器还包括：
负耦合孔，所述负耦合孔为盲孔，所述负耦合孔包括第一负耦合孔和第二负耦合孔，所述第一负耦合孔位于所述滤波器本体的上表面，所述第二负耦合孔位于所述滤波器本体的下表面；
导电层，所述导电层覆盖在所述滤波器本体的表面、所述谐振孔的内壁表面和所述负耦合孔的内壁表面；
其特征在于：
所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔相互独立的设置，所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔的轴心线相重合；
所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔位于所述两个谐振器的连接位置，并连接所述两个谐振器，所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔用于实现所述两个谐振器之间的电容耦合。


2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一负耦合孔、所述第二负耦合孔在竖直方向上的投影相重合。

【专利技术属性】
技术研发人员：朱琦，张颖，
申请(专利权)人：江苏灿勤科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32