电路基板及电路基板的制备方法技术

本发明专利技术提供了电路基板及电路基板的制备方法，该电路基板包括绝缘基体以及分别设置在绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；绝缘基体内设置有通孔，通孔贯穿第一导电层和第二导电层；通孔的直径从靠近所述第一导电层的一端到背离所述第一导电层的一端呈先减小后增加的趋势；所述通孔内设置有导电部，所述导电部的两端分别与所述第一导电层和第二导电层连接。本发明专利技术通过在电路基板上设置有通孔，通孔能够贯穿第一导电层、绝缘基体和第二导电层，解决了现有技术中的激光盲孔的底部与第一导电层或者是第二导电层之间存在绝缘基体的残胶的问题，保证了第一导电层与第二导电层之间的导通，进而提高了电路基板的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
电路基板及电路基板的制备方法
本专利技术涉及电路板制造
，尤其涉及一种电路基板及电路基板的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，电子设备的功能越来越强大，而体积越来越小，导致电路板上的线路密集度越来越高，电路板朝向高密度、高精度的方向发展，进而高密度互连技术HDI(HighDensityInterconnector)应运而成。HDI板是指高密度多层互连印制线路板，是使用微盲埋孔技术生产的线路分布密度比较高的一种线路板。相关技术中，线路板通常由多层电路基板通过叠加压合的方式制作而成，如图1所示，电路基板包括绝缘基体10以及分别设置在绝缘基体10两侧表面上的第一导电层20和第二导电层30，为了实现第一导电层20和第二导电层30之间电信号的连通，通常，第一导电层20上或者是第二导电层30制备激光盲孔90，使激光盲孔90贯穿绝缘基体10并延伸至第二导电层或第一导电层上，来实现第一导电层20和第二导电层30之间的导通。但是，激光盲孔的底部容易存在残胶，影响电路基板的导电性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电路基板及电路基板的制备方法，以解决现有技术中激光盲孔的底部容易存在残胶，影响电路基板的导电性能的技术问题。为了实现上述的目的，本专利技术实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种电路基板，包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层。所述绝缘基体内设置有通孔，所述通孔贯穿所述第一导电层和所述第二导电层。所述通孔的直径从靠近所述第一导电层的一端到背离所述第一导电层的一端呈先减小后增加的趋势。所述通孔内设置有导电部，所述导电部的两端分别与所述第一导电层和第二导电层连接。如上所述的电路基板，其中，所述导电部包括贴合设置在所述通孔内表面上的金属层。如上所述的电路基板，其中，所述导电部包括填充在所述通孔内导电金属，所述导电金属充满所述通孔。如上所述的电路基板，其中，所述电路基板上设置有至少两个用于与激光钻机进行对位的对位标记。本专利技术实施例还提供了电路基板的制备方法，包括，所述电路基板包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；所述方法包括：在第一导电层上形成第一孔，且所述第一孔延伸至所述绝缘基体中，所述第一孔的直径从靠近所述第一导电层的一端向背离所述第一导电层的一端逐渐减小。在第二导电层上形成第二孔，且所述第二孔延伸至所述绝缘基体中，所述第二孔的直径从靠近所述第二导电层的一端向背离所述第一导电层的一端逐渐减小；所述第一孔与所述第二孔连通构成通孔。在通孔内形成导电部，所述导电部的两端分别与第一导电层和第二导电层连接。如上所述的电路基板的制备方法，其中，在所述在第一导电层上形成第一孔之前，还包括：在电路基板的边缘上形成至少两个用于与激光钻机进行对位的对位标记。如上所述的电路基板的制备方法，其中，所述对位标记为对位孔，多个所述对位孔沿所述电路基板的边缘间隔分布，且每个所述对位孔贯穿所述电路基板。如上所述的电路基板的制备方法，其中，每个所述对位标记均包括第一环形对位槽和第二环形对位槽；所述第一环形对位槽位于所述电路基板的一个侧表面上，且所述第一环形对位槽延伸至所述第一导电层与所述绝缘基体的界面处。所述第二环形对位槽位于所述电路基板的另一侧面上，并与所述第二环形对位槽对齐，所述第二环形对位槽延伸至所述第二导电层与所述绝缘基体的界面处。如上所述的电路基板的制备方法，其中，在所述在电路基板的边缘形成有两个用于与激光钻机进行对位的对位标记之前，还包括：对电路基板进行烘干，释放电路基板内的水分。如上所述的电路基板的制备方法，其中，在通孔内形成导电部，所述导电部的两端分别与第一导电层和第二导电层连接之前，还包括：对电路基板进行除胶渣处理、去黑膜处理和检测处理。本专利技术实施例提供了电路基板及电路基板的制备方法，该电路基板包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；所述绝缘基体内设置有通孔，所述通孔贯穿所述第一导电层和所述第二导电层；所述通孔的直径从靠近所述第一导电层的一端到背离所述第一导电层的一端呈先减小后增加的趋势；所述通孔内设置有导电部，所述导电部的两端分别与所述第一导电层和第二导电层连接。本专利技术实施例通过在电路基板上设置有通孔，通孔能够贯穿第一导电层、绝缘基体和第二导电层，解决了现有技术中的激光盲孔的底部与第一导电层或者是第二导电层之间存在绝缘基体的残胶的问题，保证了第一导电层与第二导电层之间的导通，进而提高了电路基板的导电性能。除了上面所描述的本专利技术实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本专利技术实施例提供的电路基板及电路基板的制备方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中做出进一步详细的说明。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。图1是现有技术中的电路基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种电路基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种电路基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的通孔的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种对位标记的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的另一种对位标记的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的电路基板的制备方法的流程图一；图8是本专利技术实施例提供的电路基板的制备方法的流程图二。附图标记说明：10：绝缘基体；20：第一导电层；30：第二导电层；40：通孔；401：第一孔；402：第二孔；50：金属层；60：导电金属；70：对位孔；80：第一环形对位槽；801：第一环形边缘；802：第二环形边缘；90：激光盲孔。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而仅仅表示本专利技术的选定实施方式。在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。线路板通常是由多层电路基板通过叠加压合的制作而成，而电路基板包括绝缘基体10、第一导电层20和第二导电层30，如图1所示，第一导电层20设置在绝缘基体10的上侧表面上，第二导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路基板，其特征在于，包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；/n所述绝缘基体内设置有通孔，所述通孔贯穿所述第一导电层和所述第二导电层；/n所述通孔的直径从靠近所述第一导电层的一端到背离所述第一导电层的一端呈先减小后增加的趋势；/n所述通孔内设置有导电部，所述导电部的两端分别与所述第一导电层和第二导电层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电路基板，其特征在于，包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；
所述绝缘基体内设置有通孔，所述通孔贯穿所述第一导电层和所述第二导电层；
所述通孔的直径从靠近所述第一导电层的一端到背离所述第一导电层的一端呈先减小后增加的趋势；
所述通孔内设置有导电部，所述导电部的两端分别与所述第一导电层和第二导电层连接。


2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述导电部包括贴合设置在所述通孔内表面上的金属层。


3.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述导电部包括填充在所述通孔内导电金属，所述导电金属充满所述通孔。


4.根据权利要求1-3任一项所述的电路基板，其特征在于，所述电路基板上设置有至少两个用于与激光钻机进行对位的对位标记。


5.一种电路基板的制备方法，其特征在于，所述电路基板包括绝缘基体以及分别设置在所述绝缘基体两侧表面上的第一导电层和第二导电层；所述方法包括：
在第一导电层上形成第一孔，且所述第一孔延伸至所述绝缘基体中，所述第一孔的直径从靠近所述第一导电层的一端向背离所述第一导电层的一端逐渐减小；
在第二导电层上形成第二孔，且所述第二孔延伸至所述绝缘基体中，所述第二孔的直径从靠近所述第二导电层的一端向背离所述第一导电层的一端逐渐减小；所述第一孔与所述第二孔连通构成通孔；
在通孔内形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：车世民，车世雄，陈德福，王细心，李晋峰，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，珠海方正科技高密电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11