功率放大器和功率放大器模块制造技术

本公开提供一种功率放大器和功率放大器模块。所述功率放大器包括：放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地中。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器和功率放大器模块本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局提交的10-2020-0007301号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
本公开涉及一种功率放大器和功率放大器模块。
技术介绍
诸如蜂窝电话等的移动通信终端可采用用于放大将发送到基站的射频(RF)信号的功率放大器模块。功率放大器模块可包括用于放大RF信号的放大器，并且可包括用于控制放大器的偏置点的偏置电路。然而，当连接到输出端子的负载阻抗减小时，因为输出信号的电流水平可能过度增加，所以可能导致天线开关可能损坏的问题。因此，为了防止由于连接到输出端子的负载阻抗的减小而发生的对天线开关的损坏，适当地限制用于控制放大器的偏置电流并且限制用于控制偏置电路的控制电流可能是有用的。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以便以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的选择的构思。本
技术实现思路
不旨在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种功率放大器包括：放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地中。所述过电流保护电路可被配置为：响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而将所述控制电流旁路。所述过电流保护电路可包括：第一晶体管，包括所述输出信号被输入到其中的基极和连接到驱动电压端子的集电极；以及第二晶体管，包括连接到所述第一晶体管的发射极的基极、连接到所述偏置晶体管的所述基极的集电极和连接到所述地的发射极。所述过电流保护电路还可包括：设置在所述驱动电压端子与所述第一晶体管的所述集电极之间的至少一个二极管接法的晶体管。所述第一晶体管和所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而导通。所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于所述参考电流水平而将所述控制电流旁路到所述地中。所述放大晶体管可包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管被配置为依次放大所述输入信号，并且所述偏置晶体管可包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管，所述第一偏置晶体管被配置为向所述第一放大晶体管提供第一偏置电流，所述第二偏置晶体管被配置为向所述第二放大晶体管提供第二偏置电流。所述过电流保护电路可被配置为：根据所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管中的一个放大晶体管的输出信号的电流水平，将提供给所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管中的与所述一个放大晶体管对应的偏置晶体管的所述控制电流旁路。在另一总体方面，一种功率放大器模块包括：控制器集成电路(IC)，被配置为产生控制电流；以及功率放大器，包括：放大电路，包括被配置为放大输入信号并被配置为对输出信号进行输出的放大晶体管；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为根据所述控制电流进行操作以向所述放大晶体管提供偏置电流；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平产生检测电压，其中，所述控制器IC被配置为响应于所述检测电压的水平高于参考电压水平而改变所述控制电流以降低所述偏置电流的水平。所述过电流保护电路可响应于所述输出信号的电流水平高于参考电流水平而产生高于所述参考电压水平的所述检测电压。所述过电流保护电路可包括：第一晶体管，包括所述输出信号被输入到其中的基极和连接到第一驱动电压端子的集电极；第二晶体管，包括连接到所述第一晶体管的发射极的基极、连接到第二驱动电压端子的集电极和连接到地的发射极；以及检测电阻器，设置在所述第二驱动电压端子与所述第二晶体管的所述集电极之间。所述过电流保护电路还可包括：设置在所述第一驱动电压端子与所述第一晶体管的所述集电极之间的至少一个二极管接法的晶体管。所述第一晶体管和所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而导通。所述检测电阻器可被配置为：响应于所述输出信号的所述电流水平高于所述参考电流水平，根据从所述第二驱动电压端子流入所述第二晶体管的所述集电极中的电流而输出所述检测电压。所述控制器IC可被配置为：响应于所述检测电压的水平高于所述参考电压水平而降低所述控制电流的水平。可根据所述控制电流的降低的水平来降低所述偏置电流的水平。在另一总体方面，一种功率放大器包括：放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及过电流保护电路，被配置为响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而将所述控制电流旁路。所述过电流保护电路可被配置为将所述控制电流旁路到地中。所述放大晶体管可包括被配置为依次放大所述输入信号的第一放大晶体管和第二放大晶体管。所述偏置晶体管可包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管，所述第一偏置晶体管被配置为向所述第一放大晶体管提供第一偏置电流，所述第二偏置晶体管被配置为向所述第二放大晶体管提供第二偏置电流。通过以下具体实施方式、附图和权利要求书，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是根据第一示例的功率放大器模块的框图。图2是更详细地示出根据第一示例的功率放大器模块的示图。图3是根据第二示例的功率放大器模块的框图。图4是更详细地示出根据第二示例的功率放大器模块的示图。贯穿附图和具体实施方式，相同的附图标记指代相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大器，包括：/n放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；/n偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及/n过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地中。/n

【技术特征摘要】
20200120 KR 10-2020-00073011.一种功率放大器，包括：
放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；
偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及
过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地中。


2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述过电流保护电路被配置为：响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而将所述控制电流旁路。


3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述过电流保护电路包括：
第一晶体管，包括所述输出信号被输入到其中的基极和连接到驱动电压端子的集电极；以及
第二晶体管，包括连接到所述第一晶体管的发射极的基极、连接到所述偏置晶体管的所述基极的集电极和连接到所述地的发射极。


4.根据权利要求3所述的功率放大器，其中，所述过电流保护电路还包括：设置在所述驱动电压端子与所述第一晶体管的所述集电极之间的至少一个二极管接法的晶体管。


5.根据权利要求3所述的功率放大器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而导通。


6.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，所述第二晶体管响应于所述输出信号的所述电流水平高于所述参考电流水平而将所述控制电流旁路到所述地中。


7.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述放大晶体管包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管被配置为依次放大所述输入信号，并且
所述偏置晶体管包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管，所述第一偏置晶体管被配置为向所述第一放大晶体管提供第一偏置电流，所述第二偏置晶体管被配置为向所述第二放大晶体管提供第二偏置电流。


8.根据权利要求7所述的功率放大器，其中，所述过电流保护电路被配置为：根据所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管中的一个放大晶体管的输出信号的电流水平，将提供给所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管中的与所述一个放大晶体管对应的偏置晶体管的所述控制电流旁路。


9.一种功率放大器模块，包括：
控制器集成电路，被配置为产生控制电流；以及
功率放大器，包括：放大电路，包括被配置为放大输入信号并被配置为对输出信号进行输出的放大晶体管；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为根据所述控制电流进行操作以向所述放大晶体管提供偏置电流；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平产生检测电压，
其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀沇，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR