一种天线组件及移动终端制造技术

技术编号:29334665 阅读:15 留言:0更新日期:2021-07-20 17:52
本发明专利技术提供了一种天线组件及移动终端。该天线组件包括天线接地点,所述天线接地点包括:下结构件;万向超低电阻增强膜,热压在所述下结构件上,所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在上结构件上的万向导电胶组成,所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件,且至少刺破所述下结构件表面的氧化层,并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通,从而实现所述万向导电胶的万向电导通。本发明专利技术天线组件通过将热压万向超低电阻增强膜热压在下结构件上,使得上、下结构件之间的界面电阻率非常低,天线组件的PIM性能非常高,且在极端恶劣情况下的电阻率依然可以保持很低,并且两者结合力非常强,获得了意想不到的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种天线组件及移动终端
本专利技术涉及通信
,尤其涉及一种天线组件及移动终端。
技术介绍
随着通信技术的快速发展,特别是5G天线,通信频率的增高,以及语音和数据信号容量的增加,之前对信号产生影响较小的因素也被越来越重视起来,无源互调(PassiveInter-Modulatio,PIM)就是其中关键指标之一。PIM可以发生在任何两种不同金属的连接点或接口处,例如天线和天线馈源的连接处等。影响PIM性能的因素有多种,根据试验,最重要的要求是金对金接触,其次,两种不同金属的连接点处的电阻率是一个重要影响因素,电阻率越低,PIM性能越好。但是现有技术中,对于两种不同金属的连接,如移动终端的天线接地领域中将金属箔电连接至移动终端的金属中框或金属中板上,金属箔用于将天线各触点互联,起到同步信号、提升接地性能以及消除噪音等作用,通常使用焊接、电镀和物理气相沉积等方法进行两种不同金属的连接。然而,以上三种方法中,焊接方法不仅会存在焊疤,影响美观,而且会导致导电元器件的有效使用面积损失,同时也会存在焊点失效、表面凹凸不平导致接触不均匀、难以应用到薄的金属板上等问题。电镀方法不环保,尤其是镀金,会带来氰化物的污染,并且治理成本高,而且局部镀金的价格高昂且影响薄板的平面度,从而带来外观缺陷。物理气相沉积方法效率低,成本高,无法实现批量生产。并且,通常利用以上三种方法来连接两种不同金属,其连接点处的电阻率不会非常低,甚至可能会比较高,进而导致PIM性能差。
技术实现思路
本申请的第一个方面的目的是要解决现有技术中天线中涉及到的两种不同金属的连接点PIM性能差的技术问题。本申请的第二个方面的目的是要提供一种天线组件的制作方法。本申请的第三个方面的目的是要提供一种移动终端。根据本专利技术的第一方面,提供了一种天线组件,包括天线接地点,所述天线接地点包括:下结构件;万向超低电阻增强膜,热压在所述下结构件上,所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在所述上结构件上的万向导电胶组成,所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件,且至少刺破所述下结构件表面的氧化层,并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通,从而实现所述万向导电胶的万向电导通。可选地,所述万向导电胶包括以下组分:树脂基体、导电粒子和导电填料;所述导电粒子选择为在所述热压的条件下能够至少刺破所述下结构件表面的氧化层的导电材料;所述导电填料选择为在所述热压的条件下能够与所述导电粒子一起在所述上结构件和所述下结构件之间的所述连接界面处形成面导通的导电材料。可选地,所述导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料,所述核壳结构由内核结构和包裹在所述内核结构外部的壳结构组成,所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为导电材料;所述导电粒子的硬度大于第一预设硬度,以允许所述万向导电胶在所述热压的条件下通过所述导电粒子至少刺破所述下结构件的氧化层,从而使所述上结构件和所述下结构件导通。可选地,所述内核结构的材料硬度大于所述壳结构的材料硬度,且所述内核结构的材料硬度大于第二预设硬度;可选地,所述壳结构为具有突出部位的规则或不规则形状;可选地,所述导电粒子在Z轴方向的尺寸大于所述导电填料在所述Z轴方向的尺寸;可选地,所述内核结构的材料和所述壳结构的材料选择为不同的材料;可选地,所述核壳结构中所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为金属材料或合金材料;可选地,所述内核结构的材料选择为铁、铜或镍,所述壳结构的材料选择为金、银、铜或镍;所述树脂基体选择为在所述热压的条件下具有适中的流动性,以使所述树脂基体在所述预设温度和所述预设压力下不溢胶。可选地,所述上结构件的材料选择为金属材料或合金材料;可选地,所述金属材料选择为铝或表面镀金的铜;可选地,所述合金材料选择为不锈钢。根据本专利技术的第二方面,提供了一种如前述的天线组件的制作方法,所述天线组件包括天线接地点,所述天线接地点包括如下步骤:按需裁切万向超低电阻增强膜;将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上。可选地,所述将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上,包括如下步骤:在第一预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上;在第二预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上。可选地,所述第一预设条件为:在压力为70-90N且温度为80-100℃范围内保持10-20s;所述第二预设条件为:在压力为150-180N且温度为150-300℃范围内保持30-90s。可选地,在所述按需裁切万向超低电阻增强膜之后、所述将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上之前,还包括如下步骤:去除贴附在所述万向超低电阻增强膜表面的保护膜。根据本专利技术的第三方面,提供了一种移动终端,包括壳体、容置于所述壳体内的电路板、与所述电路板电连接的天线弹片以及如前述的天线组件,所述天线组件与所述天线弹片电接触。根据本专利技术的一个方面,通过在下结构件上热压万向超低电阻增强膜,一方面,上结构件是直接与万向导电胶一起被热压在下结构件上的,无需使用电镀、焊接、物理气相沉积等方式,从而使得上结构件和下结构件的结合变得非常简单,且成本极低,同样克服了电镀、焊接以及物理气相沉积各自的缺陷,另一方面,该热压万向超低电阻增强膜被热压在下结构件上之后,上结构件和下结构件之间的界面电阻率非常低,天线组件的PIM性能非常高,且在极端恶劣情况下的界面电阻率依然可以保持很低,并且两者结合力非常强,获得了意想不到的技术效果。更值得一提的是,在商业上,该种万向超低电阻增强膜被热压在在下结构件上,其成本相对于现有技术中电镀、焊接、物理气相沉积等任一方式都是极低的,可以完全以一种极低的成本和极好的效果取代现有技术中的结构和方式。进一步地,该万向超低电阻增强膜可以实现上、下结构件的万向导通,主要原因在于,导电粒子在热压的条件下可以至少刺破下结构件表面的氧化层,以使上结构件和下结构件的本体之间直接电导通,导电填料在热压的条件下可以在上、下结构件之间的连接界面处与导电粒子一起形成面导通,并最终形成万向导通。更进一步地,万向导电胶在加热处于流动状态下进行涂布,后续烘干、冷却成固态完成粘结,导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料,核壳结构由内核结构和包裹在内核结构外部的壳结构组成,内核结构和壳结构的材料均选择为导电材料,并且,该导电粒子的硬度大于第一预设硬度,从而使得万向导电胶在预设温度和预设压力下通过导电粒子刺破上、下结构件的氧化层,从而使上结构件和下结构件导通。可以理解的是,在预设压力和预设温度下,一方面导电粒子刺破上、下结构件的氧化层,从而使得上、下结构件实现位于氧化层下层的导电材料的电导通,另一方面,导电粒子和导电填料发生变形从而挤压在一起,进而实现电导通,即导电粒子和导电填料之间、导电填料之间连成一片,形成面导通,进而使得该万向导电胶不仅可以实现Z本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线组件,其特征在于,包括天线接地点,所述天线接地点包括:/n下结构件;/n万向超低电阻增强膜,热压在所述下结构件上,所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在所述上结构件上的万向导电胶组成,所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件,且至少刺破所述下结构件表面的氧化层,并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通,从而实现所述万向导电胶的万向电导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线组件,其特征在于,包括天线接地点,所述天线接地点包括:
下结构件;
万向超低电阻增强膜,热压在所述下结构件上,所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在所述上结构件上的万向导电胶组成,所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件,且至少刺破所述下结构件表面的氧化层,并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通,从而实现所述万向导电胶的万向电导通。


2.根据权利要求1所述的天线组件,其特征在于,所述万向导电胶包括以下组分:树脂基体、导电粒子和导电填料;
所述导电粒子选择为在所述热压的条件下能够至少刺破所述下结构件表面的氧化层的导电材料;
所述导电填料选择为在所述热压的条件下能够与所述导电粒子一起在所述上结构件和所述下结构件之间的所述连接界面处形成面导通的导电材料。


3.根据权利要求2所述的天线组件,其特征在于,所述导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料,所述核壳结构由内核结构和包裹在所述内核结构外部的壳结构组成,所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为导电材料;
所述导电粒子的硬度大于第一预设硬度,以允许所述万向导电胶在所述热压的条件下通过所述导电粒子至少刺破所述下结构件的氧化层,从而使所述上结构件和所述下结构件导通。


4.根据权利要求3所述的天线组件,其特征在于,所述内核结构的材料硬度大于所述壳结构的材料硬度,且所述内核结构的材料硬度大于第二预设硬度;
可选地,所述壳结构为具有突出部位的规则或不规则形状;
可选地,所述导电粒子在Z轴方向的尺寸大于所述导电填料在所述Z轴方向的尺寸;
可选地,所述内核结构的材料和所述壳结构的材料选择为不同的材料;
可选地,所述核壳结构中所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为金属材料或合金材料;
可选地,所述内核结构的材...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔馨方
申请(专利权)人:南京恩微信息科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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